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半导体装置
Abstract:
在将第1源极区域(14)以及第1体区域(18)与第1源极电极(11)连接的第1连接部(18A)在第1沟槽(17)延伸的第1方向(Y方向)上交替地且周期性地设置的第1纵型场效应晶体管(10)中,在与第1方向(Y方向)正交的第2方向(X方向)上,相邻的第1沟槽(17)与第1沟槽(17)之间的距离Lxm和第1沟槽(17)的内部宽度Lxr处于Lxm≦Lxr≦0.20μm的关系,关于第1连接部(18A)的长度,对第1栅极导体(15)施加规格值的电压而流过规格值的电流时的第1纵型场效应晶体管(10)的导通电阻处于即使进一步缩短第1连接部(18A)的长度也不显著地减小的收敛域。
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