Invention Grant
- Patent Title: 半导体装置
-
Application No.: CN202180008223.0Application Date: 2021-09-17
-
Publication No.: CN115152032BPublication Date: 2023-03-14
- Inventor: 中村浩尚 , 大河亮介 , 井上翼 , 木村晃 , 安田英司
- Applicant: 新唐科技日本株式会社
- Applicant Address: 日本京都府
- Assignee: 新唐科技日本株式会社
- Current Assignee: 新唐科技日本株式会社
- Current Assignee Address: 日本京都府
- Agency: 永新专利商标代理有限公司
- Agent 吕文卓
- International Application: PCT/JP2021/034220 2021.09.17
- Date entered country: 2022-07-05
- Main IPC: H01L29/06
- IPC: H01L29/06 ; H01L29/08 ; H01L29/423 ; H01L29/78

Abstract:
在将第1源极区域(14)以及第1体区域(18)与第1源极电极(11)连接的第1连接部(18A)在第1沟槽(17)延伸的第1方向(Y方向)上交替地且周期性地设置的第1纵型场效应晶体管(10)中,在与第1方向(Y方向)正交的第2方向(X方向)上,相邻的第1沟槽(17)与第1沟槽(17)之间的距离Lxm和第1沟槽(17)的内部宽度Lxr处于Lxm≦Lxr≦0.20μm的关系,关于第1连接部(18A)的长度,对第1栅极导体(15)施加规格值的电压而流过规格值的电流时的第1纵型场效应晶体管(10)的导通电阻处于即使进一步缩短第1连接部(18A)的长度也不显著地减小的收敛域。
Public/Granted literature
- CN115152032A 半导体装置 Public/Granted day:2022-10-04
Information query
IPC分类: