Invention Publication
CN116110934A 半导体器件及其制造方法
审中-实审
- Patent Title: 半导体器件及其制造方法
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Application No.: CN202211382957.8Application Date: 2022-11-07
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Publication No.: CN116110934APublication Date: 2023-05-12
- Inventor: 岩桥洋平 , 斋藤顺
- Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社
- Applicant Address: 日本爱知县; ;
- Assignee: 株式会社电装,丰田自动车株式会社,未来瞻科技株式会社
- Current Assignee: 株式会社电装,丰田自动车株式会社,未来瞻科技株式会社
- Current Assignee Address: 日本爱知县; ;
- Agency: 永新专利商标代理有限公司
- Agent 王琼先
- Priority: 2021-182833 20211109 JP
- Main IPC: H01L29/06
- IPC: H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/16 ; H01L29/423 ; H01L29/78 ; H01L21/336
Abstract:
在半导体器件中，在漂移层(19)中设置在沟道栅极结构的沟道(25)下方并与沟道分离的第一深层(15)在沿深度方向的杂质浓度浓度曲线中具有高浓度区(15a)和低浓度区(15b)。高浓度区具有杂质浓度最大的高浓度峰，并且包括在断开状态下不耗尽的区域。低浓度区(15b)比高浓度区更靠近高浓度层(11)设置，具有杂质浓度变化梯度小于预定值的区域，并且在断开状态下耗尽。在第一深层中最靠近基底层的第一位置(P1)和高浓度峰的第二位置(P2)之间的第一长度(L1)小于第二位置和在低浓度区中最靠近基底层的第三位置(P3)之间的第二长度(L2)。
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IPC分类:
