-
公开(公告)号：CN117059649A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310531077.0
申请日：2023-05-11
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置(1)具备设在单元部(10A)和边界部(10B)的第2导电型的多个连接区域(17)。多个连接区域在半导体层(10)的厚度方向上配置在多个底区域(14、15)与体区域(18)之间，与多个底区域及体区域相接，至少沿着一个方向隔开间隔反复配置，由此在这些间隔中配置有漂移区域(16)。
-
公开(公告)号：CN115411111A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210585166.9
申请日：2022-05-26
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括半导体元件。所述半导体元件具有半导体层(1)、第一导电类型层(2)、饱和电流抑制层(3，4)、电流扩散层(6)、基极区(7)、源极区(8)、沟槽栅极结构、层间绝缘膜(13)、源极电极(14)、漏极电极(15)和第二深层(5)。第一导电类型层设置在半导体层上方。设置在第一导电类型层上方的饱和电流抑制层包括第一深层(4)和JFET部分(3)。基极区设置在饱和电流抑制层上方。所述源极区和所述接触区设置在所述区域上方。每个沟槽栅极结构具有栅极沟槽(10)、栅极绝缘膜(11)和栅极电极(12)。第二深层设置在沟槽栅极结构之间并连接到第一深层。
-
公开(公告)号：CN118522688A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410176805.5
申请日：2024-02-08
IPC: H01L21/762 , H10N19/00
Abstract: 提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具有元件区域和感测区域。元件区域内的栅极型开关元件具有多个栅极沟槽、栅极电极和将栅极电极的上表面覆盖的层间绝缘层。感测区域内的温度感测二极管具有阳极区域、阴极区域、设在上述阳极区域内的多个第1伪沟槽、配置在上述各第1伪沟槽内的第1绝缘层、设在上述阴极区域内的多个第2伪沟槽、和配置在上述各第2伪沟槽内的第2绝缘层。在具有开关元件和温度感测二极管的半导体装置中，适当地形成有层间绝缘层。
-
公开(公告)号：CN115954360A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211208581.9
申请日：2022-09-30
IPC: H01L27/088 , H01L21/8232
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，在该半导体装置中，在沿深度方向上的杂质浓度的浓度分布中，在位于与栅极电极(27)的下端部相同深度处的部分和位于与栅极电极的上端部相同深度处的部分之间的位置处，基层(21)具有低浓度峰值。杂质区域(22)在第一峰值位置与第二峰值位置之间的位置处在深度方向上具有与基层的边界，在所述第一峰值位置处，在位于与下端部相同深度处的部分与低浓度峰的位置之间基层的杂质浓度最大，在所述第二峰值位置处，在低浓度峰值的位置与位于跟上端部分相同深度处的部分之间基层的杂质浓度最大。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115588617A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210786074.7
申请日：2022-07-04
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括形成电极和形成栅极布线。所述电极形成为通过第一接触孔电连接到包括在半导体衬底中的基极层和杂质区。栅极布线形成为通过第二接触孔电连接到连接布线，并且由能够使氧化膜脱氧的材料制成。通过在栅极布线的形成中或在栅极布线的形成之后对栅极布线进行热处理，对连接布线上形成的氧化膜进行脱氧以将氧从氧化膜去除而进入栅极布线中以去除氧化膜。
-
公开(公告)号：CN115206803A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210372989.3
申请日：2022-04-11
IPC: H01L21/336 , H01L29/16
Abstract: 一种用于制造开关器件(10)的方法，包括：在半导体衬底(12)的顶表面(12a)处形成沟槽(22)；形成用于覆盖沟槽内表面的栅极绝缘膜(24)；在沟槽内部形成栅电极(26)以将栅电极的顶表面定位在半导体衬底的顶表面下方；通过氧化栅电极的顶表面形成氧化膜(40)；通过气相生长在氧化膜的顶表面处形成层间绝缘膜(28)，以使层间绝缘膜的顶表面位于半导体衬底的顶表面下方；以及在半导体衬底的顶表面和沟槽的位于层间绝缘膜的顶表面上方的侧表面处形成与半导体衬底接触的上电极(70)。
-
公开(公告)号：CN116110934A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211382957.8
申请日：2022-11-07
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在半导体器件中，在漂移层(19)中设置在沟道栅极结构的沟道(25)下方并与沟道分离的第一深层(15)在沿深度方向的杂质浓度浓度曲线中具有高浓度区(15a)和低浓度区(15b)。高浓度区具有杂质浓度最大的高浓度峰，并且包括在断开状态下不耗尽的区域。低浓度区(15b)比高浓度区更靠近高浓度层(11)设置，具有杂质浓度变化梯度小于预定值的区域，并且在断开状态下耗尽。在第一深层中最靠近基底层的第一位置(P1)和高浓度峰的第二位置(P2)之间的第一长度(L1)小于第二位置和在低浓度区中最靠近基底层的第三位置(P3)之间的第二长度(L2)。
-
公开(公告)号：CN104950236B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510142715.5
申请日：2015-03-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 岩桥洋平
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/26 , G01R31/2608 , G01R31/261 , G01R31/2621
Abstract: 本发明涉及一种试验装置以及试验方法，其公开了一种能够向半导体元件提供充足的负载，并且能够在半导体元件损坏了的情况下适当地抑制半导体元件的损坏的进展的技术。试验装置(2)具有电源(10)、电感器(20)、二极管(30)、试验对象元件(40)、截断用元件(50)。截断用元件(50)被设置于电源(10)与试验对象元件(40)之间，并能够截断朝向试验对象元件(40)的电流的流入。截断用元件(50)在被施加于试验对象元件(40)上的电压因试验对象元件(40)的关闭而上升至浪涌电压之后且稳定了的时刻之前，开始截断朝向试验对象元件(40)的电流的流入，并在该时刻之后结束截断。
-
公开(公告)号：CN104950236A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510142715.5
申请日：2015-03-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 岩桥洋平
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/26 , G01R31/2608 , G01R31/261 , G01R31/2621
Abstract: 本发明涉及一种试验装置以及试验方法，其公开了一种能够向半导体元件提供充足的负载，并且能够在半导体元件损坏了的情况下适当地抑制半导体元件的损坏的进展的技术。试验装置(2)具有电源(10)、电感器(20)、二极管(30)、试验对象元件(40)、截断用元件(50)。截断用元件(50)被设置于电源(10)与试验对象元件(40)之间，并能够截断朝向试验对象元件(40)的电流的流入。截断用元件(50)在被施加于试验对象元件(40)上的电压因试验对象元件(40)的关闭而上升至浪涌电压之后且稳定了的时刻之前，开始截断朝向试验对象元件(40)的电流的流入，并在该时刻之后结束截断。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.05 seconds)
