Invention Publication
- Patent Title: 生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法
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Application No.: CN202410509106.8Application Date: 2024-04-25
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Publication No.: CN118207625APublication Date: 2024-06-18
- Inventor: 倪代秦 , 赵鹏 , 高崇 , 何敬晖 , 陈建荣 , 杜洪兵
- Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司
- Applicant Address: 北京市朝阳区东坝红松园1号;
- Assignee: 北京中材人工晶体研究院有限公司,中材人工晶体研究院有限公司
- Current Assignee: 北京中材人工晶体研究院有限公司,中材人工晶体研究院有限公司
- Current Assignee Address: 北京市朝阳区东坝红松园1号;
- Agency: 北京柏杉松知识产权代理事务所
- Agent 丁芸; 高莺然
- Main IPC: C30B29/16
- IPC: C30B29/16 ; C30B23/00

Abstract:
本申请实施例提供一种生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法,金属坩埚包括坩埚体和盖合于坩埚体的坩埚盖,坩埚盖自其中心位置向边缘位置高度逐渐减小,坩埚盖边缘与坩埚体的内壁接触,且接触点位于坩埚体的开口所在的平面以下。坩埚盖与坩埚体之间的缝隙,可以通过坩埚内原料蒸发产生的蒸汽在此冷凝而自动密封,从而可以解决氧化镓熔体在高温下继续挥发的问题。同时,由于坩埚实现了自密封,坩埚内由于原料分解产生的氧分压很快达到饱和,因此也进一步抑制了原料的分解,可以生长高质量、大尺寸的氧化镓晶体。
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