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公开(公告)号：CN118207625A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410509106.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法，金属坩埚包括坩埚体和盖合于坩埚体的坩埚盖，坩埚盖自其中心位置向边缘位置高度逐渐减小，坩埚盖边缘与坩埚体的内壁接触，且接触点位于坩埚体的开口所在的平面以下。坩埚盖与坩埚体之间的缝隙，可以通过坩埚内原料蒸发产生的蒸汽在此冷凝而自动密封，从而可以解决氧化镓熔体在高温下继续挥发的问题。同时，由于坩埚实现了自密封，坩埚内由于原料分解产生的氧分压很快达到饱和，因此也进一步抑制了原料的分解，可以生长高质量、大尺寸的氧化镓晶体。
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公开(公告)号：CN114875481B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210600670.1
申请日：2022-05-30
Applicant: 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种物理气相传输法晶体生长炉、制备晶锭的方法及晶锭。其中，晶体生长炉包括：炉体，包括圆筒形侧壁、炉盖和炉底；位于炉体内部的保温层结构，位于保温层结构内部的加热器结构；位于加热器结构内部的坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖；芯冷吹气系统，包括芯冷吹气埚盖、多个芯冷出气通孔、芯冷吹气管和芯冷进气嘴；多个测温点，用于监测所述晶体生长炉中的温度。本申请通过物理气相传输法生长晶体，然后经退火处理得到晶锭。退火处理过程中通过芯冷吹气系统向晶锭的芯部吹气，始终让晶锭芯部的温度小于等于晶锭外表面的温度，实现了径向温度分布反转，改善晶锭退火处理过程中由于应力累积导致的晶锭开裂问题，从而提高了晶锭的成品率。
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公开(公告)号：CN114775042A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210441154.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶体生长用坩埚及晶体生长方法，晶体生长用坩埚包括坩埚本体，在坩埚本体的内部形成有主腔体室，在坩埚本体的底部设置有籽晶平台，坩埚本体的底部还设置有环绕所述籽晶平台布置且与主腔体室连通的低温引导室，低温引导室的高度低于籽晶平台，在低温引导室与籽晶平台之间形成低温引导室的入口，坩埚本体的侧壁由上至下包括第一部段和第二部段，第一部段呈圆筒状，在第一部段的内壁上设置有盛料装置，第二部段的内径由上至下逐渐减小，第二部段的下端延伸至低温引导室的入口，低温引导室的入口处为高温热区。低温引导室用于沉积杂质、多余组份和多晶，高温热区用于降低籽晶边缘处生长气体的饱和度，避免籽晶周围多晶的产生。
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公开(公告)号：CN114875480A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210457950.1
申请日：2022-04-28
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种单晶炉及其加热保温系统、生长氧化镓晶体的方法，包括发热件、感应线圈和保温组件，发热件用于加热原料；发热件被配置为与感应线圈电磁耦合，以产生热量；保温组件包括间隔设置的第一保温套筒、第二保温套筒以及保温颗粒，保温颗粒填充于发热件与第一保温套筒之间，以及第一保温套筒和第二保温套筒之间，并与发热件、第一保温套筒和第二保温套筒接触。保温组件能够降低单晶炉的加热保温系统在收颈和放肩阶段的热延时，提高温场的稳定性，从而提高生长晶体的质量。
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公开(公告)号：CN114775042B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210441154.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶体生长用坩埚及晶体生长方法，晶体生长用坩埚包括坩埚本体，在坩埚本体的内部形成有主腔体室，在坩埚本体的底部设置有籽晶平台，坩埚本体的底部还设置有环绕所述籽晶平台布置且与主腔体室连通的低温引导室，低温引导室的高度低于籽晶平台，在低温引导室与籽晶平台之间形成低温引导室的入口，坩埚本体的侧壁由上至下包括第一部段和第二部段，第一部段呈圆筒状，在第一部段的内壁上设置有盛料装置，第二部段的内径由上至下逐渐减小，第二部段的下端延伸至低温引导室的入口，低温引导室的入口处为高温热区。低温引导室用于沉积杂质、多余组份和多晶，高温热区用于降低籽晶边缘处生长气体的饱和度，避免籽晶周围多晶的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113774476A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111086174.0
申请日：2021-09-16
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供一种电阻加热的物理气相传输法单晶生长炉，包括：炉体，包括圆筒形侧壁、炉底和炉盖；位于炉体内部的保温层结构，包括圆筒形侧周保温层、下保温层和上保温层；位于保温层结构内部的电阻加热器结构，包括侧周加热器、底部加热器和顶部加热器；位于电阻加热器结构内部的坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖，坩埚本体内中下部装有单晶生长的原料，坩埚盖内表面上固定有籽晶；底部加热器位于坩埚本体底部与下保温层之间，并与坩埚本体底部同轴，顶部加热器位于坩埚盖与上保温层之间，并与坩埚盖同轴；多个测温点，包括顶部测温点、底部测温点和侧壁测温点。可以更精确地测量和灵活调控原料和晶体的温度，提高了晶体的生长质量和原料的利用率。
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公开(公告)号：CN114875480B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202210457950.1
申请日：2022-04-28
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种单晶炉及其加热保温系统、生长氧化镓晶体的方法，包括发热件、感应线圈和保温组件，发热件用于加热原料；发热件被配置为与感应线圈电磁耦合，以产生热量；保温组件包括间隔设置的第一保温套筒、第二保温套筒以及保温颗粒，保温颗粒填充于发热件与第一保温套筒之间，以及第一保温套筒和第二保温套筒之间，并与发热件、第一保温套筒和第二保温套筒接触。保温组件能够降低单晶炉的加热保温系统在收颈和放肩阶段的热延时，提高温场的稳定性，从而提高生长晶体的质量。
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公开(公告)号：CN114875481A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210600670.1
申请日：2022-05-30
Applicant: 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种物理气相传输法晶体生长炉、制备晶锭的方法及晶锭。其中，晶体生长炉包括：炉体，包括圆筒形侧壁、炉盖和炉底；位于炉体内部的保温层结构，位于保温层结构内部的加热器结构；位于加热器结构内部的坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖；芯冷吹气系统，包括芯冷吹气埚盖、多个芯冷出气通孔、芯冷吹气管和芯冷进气嘴；多个测温点，用于监测所述晶体生长炉中的温度。本申请通过物理气相传输法生长晶体，然后经退火处理得到晶锭。退火处理过程中通过芯冷吹气系统向晶锭的芯部吹气，始终让晶锭芯部的温度小于等于晶锭外表面的温度，实现了径向温度分布反转，改善晶锭退火处理过程中由于应力累积导致的晶锭开裂问题，从而提高了晶锭的成品率。
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公开(公告)号：CN116024652A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211647122.0
申请日：2022-12-21
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，包括以下步骤：⑴取Al2O3和降低蓝宝石吸收系数的物质，将降低蓝宝石吸收系数的物质掺杂入Al2O3形成混合料；⑵将⑴的混合料装入坩埚中；⑶抽真空，升温化料；⑷缩颈及引晶；⑸放肩；⑹等径生长阶段；⑺降温退火取蓝宝石晶体。本发明通过对泡生法工艺地改进，降低了蓝宝石的吸收系数。
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公开(公告)号：CN112030231A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010889717.1
申请日：2020-08-28
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种复合材料及其制备方法和应用，其中复合材料包括高熔点金属基体和耐氧化金属镀层，所述高熔点金属基体的熔点大于1800℃，所述耐氧化金属镀层的熔点大于1600℃。所述复合材料可以用于高温耐氧化的金属坩埚和发热体，在高温氧化气氛中生长单晶，大大降低了制作坩埚和发热体的成本，并具有更高的使用温度。
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