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公开(公告)号：CN119710939A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411949638.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司
IPC: C30B33/02 , C30B33/00 , C30B33/10 , C30B29/28 , B23K26/382 , B23K26/402 , C09G1/02 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B49/00 , B23K103/00
Abstract: 本申请提供了一种掺铈钆铝镓石榴石晶片的加工方法，其包括以下步骤：(1)晶片切割：将晶体切割成晶片；(2)激光打孔：在所述晶片上用激光进行打孔；其中，所述打孔的速度为5mm/s～100mm/s；(3)退火后处理：对打孔后的所述晶片进行退火处理，所述退火处理的条件为：以10℃/h～40℃/h的升温速率升温至1100℃～1400℃，保温12h～48h，之后以5℃/h～30℃/h的降温速率降至室温；(4)光学加工：对退火处理后的所述晶片进行抛光。使用本申请的方法加工掺铈钆铝镓石榴石晶片，能够提高晶片的加工成品率，晶片加工成品率可达70％以上。
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公开(公告)号：CN119569438A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411859360.7
申请日：2024-12-17
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司
IPC: C04B35/443 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供了一种镁铝尖晶石透明陶瓷及其制备方法，其制备方法包括S1.原料预处理，S2.真空热压，包括高低压循环加压；S3.热等静压。本申请通过采用高低压循环加压的真空热压工艺结合热等静压的分步降温和原位退火工艺，可有效避免陶瓷开裂，实现大尺寸、高均匀性镁铝尖晶石透明陶瓷的制备。
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公开(公告)号：CN119433677A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411776252.3
申请日：2024-12-05
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 中国建材集团有限公司
Abstract: 本申请提供了一种磷酸氧钛铷电光晶体及其生长方法，磷酸氧钛铷电光晶体的生长方法包括以下步骤：原料合成：将Rb2CO3、NH4H2PO4、TiO2按摩尔比均匀混合，经高温固相烧结合成生长原料，置于坩埚中；充入高纯氩气：将坩埚放入晶体生长炉中，充入高纯氩气排出空气1‑3h，再将高纯氩气的流量恒定为1‑20L/min；高温反应：将生长原料进行高温处理，获得高温溶液；过热处理：将高温溶液进行过热处理，获得过热溶液；晶体生长：放入籽晶，生长磷酸氧钛铷电光晶体。通过上述设置，能够得到具有较高质量的磷酸氧钛铷电光晶体。
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公开(公告)号：CN119145050A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410751941.2
申请日：2024-06-12
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种铈锂共掺卤化镧闪烁晶体及其制备方法和用途。铈锂共掺卤化镧闪烁晶体的通式为Cex6LiyMzLa(1‑x‑y‑z)X3‑y，其中，0＜x≤0.2，0＜y≤0.05，0＜z≤0.01，M选自Na、Mg、Ca、Sr、Ba或Zn中的至少一种，X选自Cl或Br中的至少一种。通过在LaX3:Ce晶体中同时掺入6LiBr和MXa，其中a为1或2，利用6LiBr掺杂实现中子探测，利用MXa掺杂提升中子‑伽马甄别能力，二者协同作用，实现中子‑伽马双模探测，并进一步提升该闪烁晶体的中子‑伽马甄别能力和探测效率。该晶体还具有能量分辨率高、光输出高、衰减时间短等优点。
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公开(公告)号：CN114394735B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210124144.2
申请日：2022-02-10
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种速冷装置和微晶玻璃生产线。速冷装置用于大尺寸微晶玻璃成型后的快速冷却。速冷装置包括呈螺旋状型的盘管本体，盘管本体的内部中空形成有流体通道，盘管本体的一端设置有进气口，且盘管本体的外壁设置有多个用于出风的通气孔，位于盘管本体中心位置的出风量大于位于盘管本体边缘位置的出风量。本实施例中的速冷装置，其包括呈螺旋状型的盘管本体，且盘管本体上设置有用于出风的通气孔。在利用本实施例中的速冷装置对该基础玻璃进行降温时，由于盘管本体位于中心位置的出风量大于盘管本体边缘位置的出风量，因此速冷装置能够使微晶玻璃均匀快速冷却，避免成型后的大尺寸基础玻璃由于不可控析晶和不均匀冷却而造成开裂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118241299A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211655217.7
申请日：2022-12-22
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种磷酸氧钛铷电光晶体的生长方法，其采用Rb7P3O11‑BaF2助溶剂，Rb7P3O11助溶剂中[Rb]/[P]摩尔比为7/3；生长方法包括：将NH4H2PO4、Rb2CO3、TiO2、BaF2均匀混合，置于坩埚中，经熔融、冷却，获得生长原料；将生长原料进行高温处理，获得溶液；将溶液进行过热处理，获得过热溶液；放入籽晶，生长磷酸氧钛铷电光晶体。本申请提供的生长方法可以使生成态磷酸氧钛铷电光晶体的晶格更加完美，电导率达到1.0×10‑14S/cm‑6.0×10‑14S/cm，光学电学性能优良，可以满足65℃以上的高温使用环境和MHz高重复频率使用，晶体使用寿命长且工作稳定性高。
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公开(公告)号：CN118207625A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410509106.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法，金属坩埚包括坩埚体和盖合于坩埚体的坩埚盖，坩埚盖自其中心位置向边缘位置高度逐渐减小，坩埚盖边缘与坩埚体的内壁接触，且接触点位于坩埚体的开口所在的平面以下。坩埚盖与坩埚体之间的缝隙，可以通过坩埚内原料蒸发产生的蒸汽在此冷凝而自动密封，从而可以解决氧化镓熔体在高温下继续挥发的问题。同时，由于坩埚实现了自密封，坩埚内由于原料分解产生的氧分压很快达到饱和，因此也进一步抑制了原料的分解，可以生长高质量、大尺寸的氧化镓晶体。
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公开(公告)号：CN117966249A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410115477.8
申请日：2024-01-26
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种紫外非线性光学CLBO晶体助熔剂及晶体生长方法。采用LiVO3作为助熔剂，一方面LiVO3助熔剂可以有效打断B‑O键链，降低硼酸盐熔体的粘度(小于500cP)，降低晶体生长温度(650‑678℃)，大大减少高温溶液的挥发，且不会引入杂质离子到晶体中，提高了晶体光学质量，同时溶液透明，生长期间可以实时观察，挥发极小，不产生漂晶；采用合适生长工艺，生长出尺寸为84mm×82mm×52mm完全透明的高光学质量CLBO晶体，晶体透过率，从深紫外波段晶体透过率波段到近红外波段，210nm‑1100nm不小于90％，抗激光损伤阈值达到10.98J/cm2@1ns,355nm。
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公开(公告)号：CN113955796B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202111465601.6
申请日：2021-12-03
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种驰豫铁电单晶生长用原料的制备方法，包括：将纳米粉体分散在水中，混合均匀形成浆料，浆料通过冷冻干燥制备纳米粉体团聚体；将纳米粉体团聚体与微米粉体混合，获得混合粉体；将混合粉体进行高温煅烧，获得驰豫铁电单晶生长用原料。本发明提供的制备方法可以实现仅通过一次高温煅烧，获得具有单一钙钛矿结构，无焦绿石相，且组成与设计更加相符的驰豫铁电单晶生长用原料。
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公开(公告)号：CN117089933A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311310602.2
申请日：2023-10-11
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于物理气相传输法生长晶体的坩埚，该坩埚包括坩埚体和坩埚盖，坩埚盖的下表面用于安置籽晶，坩埚盖的一部分同轴地位于坩埚体的侧壁内表面之内，坩埚盖与坩埚体之间的间隙最小且位置最高之处为密封面，坩埚盖的下表面与密封面之间的轴向距离为H，满足1mm≤H≤100mm。本发明实施例通过控制坩埚盖的下表面与密封面之间的距离在1mm≤H≤100mm范围内，使得坩埚内的原料蒸气在晶体生长开始之前，先在坩埚盖与坩埚体侧壁密封面的缝隙处沉积以使其封闭，极大地提高了物理气相传输法晶体生长过程中坩埚的气密性，减少了原料蒸气的泄漏及其对坩埚外炉膛和测温/控温光路的污染。
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