Invention Publication
CN118522688A 半导体装置及其制造方法
审中-实审
- Patent Title: 半导体装置及其制造方法
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Application No.: CN202410176805.5Application Date: 2024-02-08
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Publication No.: CN118522688APublication Date: 2024-08-20
- Inventor: 霜野贵也 , 岩桥洋平
- Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社
- Applicant Address: 日本爱知县; ;
- Assignee: 株式会社电装,丰田自动车株式会社,未来瞻科技株式会社
- Current Assignee: 株式会社电装,丰田自动车株式会社,未来瞻科技株式会社
- Current Assignee Address: 日本爱知县; ;
- Agency: 永新专利商标代理有限公司
- Agent 吕文卓
- Priority: 2023-023481 20230217 JP
- Main IPC: H01L21/762
- IPC: H01L21/762 ; H10N19/00

Abstract:
提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具有元件区域和感测区域。元件区域内的栅极型开关元件具有多个栅极沟槽、栅极电极和将栅极电极的上表面覆盖的层间绝缘层。感测区域内的温度感测二极管具有阳极区域、阴极区域、设在上述阳极区域内的多个第1伪沟槽、配置在上述各第1伪沟槽内的第1绝缘层、设在上述阴极区域内的多个第2伪沟槽、和配置在上述各第2伪沟槽内的第2绝缘层。在具有开关元件和温度感测二极管的半导体装置中,适当地形成有层间绝缘层。
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IPC分类: