本发明提供一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括漂移层、P型调制层、电流阻挡层、沟道层、势垒层、第一沟槽、PGaN有源层、栅极、源极及漏极。P型调制层设于漂移层一侧表面的中部区域上；电流阻挡层位于P型调制层的外围；沟道层位于P型调制层和电流阻挡层背离漂移层的一侧，且沟道层覆盖P型调制层及部分电流阻挡层；第一沟槽贯穿沟道层和P型调制层；势垒层位于沟道层背离漂移层的一侧以及第一沟槽中，位于沟道层背离漂移层的一侧的势垒层与沟道层形成异质结结构；PGaN有源层位于第一沟槽中；栅极位于PGaN有源层背离漂移层的一侧；源极至少位于电流阻挡层背离漂移层一侧，并与异质结结构接触。