半导体装置(1)具备长边在第1方向上延伸、短边在第2方向上延伸的长方形的半导体芯片(2)；半导体芯片(2)具备：第1纵型MOS晶体管(10)，具备第1栅极焊盘(119)和多个第1源极焊盘(111)；以及第2纵型MOS晶体管(20)，具备第2栅极焊盘(129)和多个第2源极焊盘(121)；在半导体芯片(2)的上表面，形成有源极焊盘在第1方向上以直线状排列配置的多个第1列状配置区域(71)以及源极焊盘在第2方向上以直线状排列配置的多个第2列状配置区域(72)；半导体装置(1)还具备与第1栅极焊盘(119)、多个第1源极焊盘(111)、第2栅极焊盘(129)及多个第2源极焊盘(121)分别连接的多个球型的凸块电极(3)。