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公开(公告)号：CN119895574A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380065910.5
申请日：2023-09-11
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Abstract: 能够面朝上安装的芯片尺寸封装型的半导体装置(1)具备：半导体层(40)；垂直型MOS晶体管(10)，形成在半导体层(40)内；保护膜(35)；第一布线电极(12)，与垂直型MOS晶体管(10)的源极电极(13)连接；以及第二布线电极(52)，与垂直型MOS晶体管(10)的栅极电极(19)连接，在半导体层(40)的平面图中的第一布线电极(12)的外周部分，形成由源极电极(13)、保护膜(35)以及第一布线电极(12)的依次层叠而成的、向半导体装置(1)的上方突出的第一外周构造(101)，在半导体层(40)的平面图中的第二布线电极(52)的外周部分，形成由栅极电极(19)、保护膜(35)以及第二布线电极(52)的依次层叠而成的、向半导体装置(1)的上方突出的第二外周构造(102)。
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公开(公告)号：CN119137718A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380036856.1
申请日：2023-12-19
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备长边在第1方向上延伸、短边在第2方向上延伸的长方形的半导体芯片(2)；半导体芯片(2)具备：第1纵型MOS晶体管(10)，具备第1栅极焊盘(119)和多个第1源极焊盘(111)；以及第2纵型MOS晶体管(20)，具备第2栅极焊盘(129)和多个第2源极焊盘(121)；在半导体芯片(2)的上表面，形成有源极焊盘在第1方向上以直线状排列配置的多个第1列状配置区域(71)以及源极焊盘在第2方向上以直线状排列配置的多个第2列状配置区域(72)；半导体装置(1)还具备与第1栅极焊盘(119)、多个第1源极焊盘(111)、第2栅极焊盘(129)及多个第2源极焊盘(121)分别连接的多个球型的凸块电极(3)。
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公开(公告)号：CN118974949B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380030808.1
申请日：2023-02-22
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Abstract: 一种功率放大半导体装置(100)，以3GHz以上的频率来工作，其具备：基板(101)；半导体层(102)，被设置在基板(101)的正面且包括多个单位HEMT；连接层(L1)，被设置在半导体层(102)上且包括单位HEMT的源极电极(301)、漏极电极(302)和栅极电极(303)；端子层(L2)，包括设置在连接层(L1)上的源极焊盘(701a)、漏极焊盘(702a)和栅极焊盘(703a)；背面电极(103)，被设置在基板(101)的背面上且被设定为源极电位；基板过孔(901)，贯通基板(101)且在内壁上具有屏蔽布线层(503)，功率放大半导体装置(100)还具有漏极汇集部(702)和栅极汇集部(703)，在平面视图中，漏极汇集部(702)以及栅极汇集部(703)的任一方或双方的周围由基板过孔(901)包围。
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公开(公告)号：CN118974949A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380030808.1
申请日：2023-02-22
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L21/338 , H01L29/778
Abstract: 一种功率放大半导体装置(100)，以3GHz以上的频率来工作，其具备：基板(101)；半导体层(102)，被设置在基板(101)的正面且包括多个单位HEMT；连接层(L1)，被设置在半导体层(102)上且包括单位HEMT的源极电极(301)、漏极电极(302)和栅极电极(303)；端子层(L2)，包括设置在连接层(L1)上的源极焊盘(701a)、漏极焊盘(702a)和栅极焊盘(703a)；背面电极(103)，被设置在基板(101)的背面上且被设定为源极电位；基板过孔(901)，贯通基板(101)且在内壁上具有屏蔽布线层(503)，功率放大半导体装置(100)还具有漏极汇集部(702)和栅极汇集部(703)，在平面视图中，漏极汇集部(702)以及栅极汇集部(703)的任一方或双方的周围由基板过孔(901)包围。
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