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    半導體結構
    2.
    发明专利
    半導體結構 审中-公开
    半导体结构

    公开(公告)号：TW201810587A

    公开(公告)日：2018-03-16

    申请号：TW105129233

    申请日：2016-09-09

    Applicant: 思鷺科技股份有限公司 ,  IBIS INNOTECH INC.

    Inventor： 劉文俊 ,  LIU, WEN-CHUN ,  賴威仁 ,  LAI, WEI-JEN

    IPC: H01L23/52

    Abstract: 一種半導體結構，其包括一絕緣層、多個階梯狀導通孔以及一圖案化線路層。絕緣層包括一上表面及相對上表面的一下表面。階梯狀導通孔設置於絕緣層以電性導通上表面及下表面，其中各階梯狀導通孔包括一頂蓋部以及連接頂蓋部的一連接部。頂蓋部設置於上表面且頂蓋部的一頂面與上表面共平面，頂蓋部的一最小直徑大於連接部的一最大直徑。圖案化線路層設置於上表面並與階梯狀導通孔電性連接。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构，其包括一绝缘层、多个阶梯状导通孔以及一图案化线路层。绝缘层包括一上表面及相对上表面的一下表面。阶梯状导通孔设置于绝缘层以电性导通上表面及下表面，其中各阶梯状导通孔包括一顶盖部以及连接顶盖部的一连接部。顶盖部设置于上表面且顶盖部的一顶面与上表面共平面，顶盖部的一最小直径大于连接部的一最大直径。图案化线路层设置于上表面并与阶梯状导通孔电性连接。

    封裝結構
    3.
    发明专利
    封裝結構 审中-公开
    封装结构

    公开(公告)号：TW201838120A

    公开(公告)日：2018-10-16

    申请号：TW106111723

    申请日：2017-04-07

    Applicant: 思鷺科技股份有限公司 ,  IBIS INNOTECH INC.

    Inventor： 劉文俊 ,  LIU, WEN-CHUN ,  賴威仁 ,  LAI, WEI-JEN

    IPC: H01L23/495 ,  H01L23/053 ,  H01L23/29

    Abstract: 一種封裝結構包括一導線架、一絕緣基材、多個導通孔、一圖案化金屬層以及一晶片。導線架包括多個接點。絕緣基材包覆導線架。導通孔設置於絕緣基材上並連通接點。圖案化金屬層覆蓋絕緣基材的一外表面並包括一溝槽以及一線路部。線路部連接並覆蓋導通孔及接點。溝槽環繞線路部，以使線路部與其餘的圖案化金屬層電性絕緣，其中溝槽所暴露的絕緣基材的一表面低於外表面。晶片設置於絕緣基材上並與線路部電性連接。

    Abstract in simplified Chinese: 一种封装结构包括一导线架、一绝缘基材、多个导通孔、一图案化金属层以及一芯片。导线架包括多个接点。绝缘基材包覆导线架。导通孔设置于绝缘基材上并连通接点。图案化金属层覆盖绝缘基材的一外表面并包括一沟槽以及一线路部。线路部连接并覆盖导通孔及接点。沟槽环绕线路部，以使线路部与其余的图案化金属层电性绝缘，其中沟槽所暴露的绝缘基材的一表面低于外表面。芯片设置于绝缘基材上并与线路部电性连接。

    封裝結構
    5.
    发明专利
    封裝結構 审中-公开
    封装结构

    公开(公告)号：TW201836968A

    公开(公告)日：2018-10-16

    申请号：TW106110222

    申请日：2017-03-28

    Applicant: 思鷺科技股份有限公司 ,  IBIS INNOTECH INC.

    Inventor： 劉文俊 ,  LIU, WEN-CHUN ,  賴威仁 ,  LAI, WEI-JEN

    IPC: B81B7/02 ,  H01L23/00 ,  H01L23/52 ,  B23K26/36

    Abstract: 一種封裝結構包括一基板、一第一導線架、一第一金屬層、至少一晶片、一基座以及一第二金屬層。基板包括複數個開口。第一導線架嵌設於基板內並包括複數個第一接墊，其中開口暴露第一接墊。第一金屬層覆蓋暴露的第一接墊。晶片設置於基板上並與第一金屬層及第一接墊電性連接。基座以一接合面罩覆於基板上。第二金屬層覆蓋基座的一基座表面。

    Abstract in simplified Chinese: 一种封装结构包括一基板、一第一导线架、一第一金属层、至少一芯片、一基座以及一第二金属层。基板包括复数个开口。第一导线架嵌设于基板内并包括复数个第一接垫，其中开口暴露第一接垫。第一金属层覆盖暴露的第一接垫。芯片设置于基板上并与第一金属层及第一接垫电性连接。基座以一接合面罩覆于基板上。第二金属层覆盖基座的一基座表面。

    封裝結構
    6.
    发明专利
    封裝結構 审中-公开
    封装结构

    公开(公告)号：TW201739013A

    公开(公告)日：2017-11-01

    申请号：TW105118898

    申请日：2016-06-16

    Applicant: 思鷺科技股份有限公司 ,  IBIS INNOTECH INC.

    Inventor： 劉文俊 ,  LIU, WEN-CHUN

    IPC: H01L23/14 ,  C08G59/20 ,  H01L23/48

    CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

    Abstract: 一種封裝結構，其包括導線架、可選擇性電鍍環氧樹脂、多個導通孔及圖案化線路層。導線架包括具有多個金屬柱的金屬柱陣列。可選擇性電鍍環氧樹脂覆蓋金屬柱陣列。可選擇性電鍍環氧樹脂包括非導電的金屬複合物。導通孔直接內嵌於可選擇性電鍍環氧樹脂，以連接金屬柱並延伸至可選擇性電鍍環氧樹脂的上表面。導通孔的至少其中之一包括上段部以及下段部，上段部連接下段部並延伸至可選擇性電鍍環氧樹脂的上表面，下段部連接對應的金屬柱，且上段部的最小直徑大於下段部的最大直徑。圖案化線路層直接設置於上表面且電性連接至導通孔。

    Abstract in simplified Chinese: 一种封装结构，其包括导线架、可选择性电镀环氧树脂、多个导通孔及图案化线路层。导线架包括具有多个金属柱的金属柱数组。可选择性电镀环氧树脂覆盖金属柱数组。可选择性电镀环氧树脂包括非导电的金属复合物。导通孔直接内嵌于可选择性电镀环氧树脂，以连接金属柱并延伸至可选择性电镀环氧树脂的上表面。导通孔的至少其中之一包括上段部以及下段部，上段部连接下段部并延伸至可选择性电镀环氧树脂的上表面，下段部连接对应的金属柱，且上段部的最小直径大于下段部的最大直径。图案化线路层直接设置于上表面且电性连接至导通孔。

    封裝結構及封裝結構的製作方法
    8.
    发明专利
    封裝結構及封裝結構的製作方法 审中-公开
    封装结构及封装结构的制作方法

    公开(公告)号：TW201826893A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW106100819

    申请日：2017-01-11

    Applicant: 思鷺科技股份有限公司 ,  IBIS INNOTECH INC.

    Inventor： 劉文俊 ,  LIU, WEN-CHUN ,  賴威仁 ,  LAI, WEI-JEN

    IPC: H05K1/11 ,  H05K3/18 ,  H05K3/38

    Abstract: 一種封裝結構包括一基材、一絕緣材、複數個導通孔、複數個接墊及一圖案化線路層。基材包括複數個貫孔。絕緣材包覆基材並填充於貫孔內。導通孔位於貫孔中並貫穿填充於貫孔內的絕緣材。接墊設置於絕緣材的上表面及相對於上表面的下表面，並電性連接導通孔，接墊的底面低於絕緣材的上表面。圖案化線路層設置於絕緣材的上表面並連接導通孔與接墊。圖案化線路層的底面低於絕緣材的上表面。

    Abstract in simplified Chinese: 一种封装结构包括一基材、一绝缘材、复数个导通孔、复数个接垫及一图案化线路层。基材包括复数个贯孔。绝缘材包覆基材并填充于贯孔内。导通孔位于贯孔中并贯穿填充于贯孔内的绝缘材。接垫设置于绝缘材的上表面及相对于上表面的下表面，并电性连接导通孔，接垫的底面低于绝缘材的上表面。图案化线路层设置于绝缘材的上表面并连接导通孔与接垫。图案化线路层的底面低于绝缘材的上表面。

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