公开(公告)号：CN111755433B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201911288883.X

申请日：2019-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑阳圭 ,  金喆禹 ,  柳孝昌 ,  崔允硕

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装可包括：封装基底；第一中间基底，安装在封装基底上；以及第一半导体芯片，设置在第一中间基底上。第一中间基底可包括：第一基础层；第二基础层，设置在第一基础层上；电路图案，设置在第一基础层及第二基础层中的每一者中；以及集成器件，嵌置在第一基础层中且连接到电路图案中的至少一个电路图案。第一基础层的顶表面可接触第二基础层的底表面。

公开(公告)号：CN118201354A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311571669.1

申请日：2023-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千广熙 ,  权赫宇 ,  金汶浚 ,  金圣渊 ,  崔允硕

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，其具有由器件隔离沟槽限定的多个有源区；器件隔离结构，其包括蚀刻诱导膜并填充器件隔离沟槽，蚀刻诱导膜覆盖器件隔离沟槽底表面；字线沟槽，其与多个有源区和器件隔离结构相交并其在第一横向方向上延伸；栅极电介质膜，其覆盖字线沟槽的内壁；以及字线，其填充字线沟槽的位于栅极电介质膜上的部分，其中，多个有源区中的每个有源区包括在字线下方的鳍主体部分和从鳍主体部分向字线突出的鞍形鳍部分，并且蚀刻诱导膜通过字线沟槽被暴露。

公开(公告)号：CN114551448A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111414765.6

申请日：2021-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳琼善 ,  李德喜 ,  李准原 ,  崔允硕

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/764

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底上的有源图案；埋置在有源图案的上部的栅极结构；有源图案上的位线结构；位线结构的侧壁上的间隔件结构；接触间隔件结构的接触插塞结构；绝缘中间层结构，其部分地穿过所述接触插塞结构、所述间隔件结构和所述位线结构的上部；以及所述接触插塞结构上的电容器。所述间隔件结构包括具有空气的空气间隔件。所述绝缘中间层结构包括第一绝缘中间层以及第二绝缘中间层。所述第二绝缘中间层可包括与所述第一绝缘中间层的材料不同的绝缘材料。所述第二绝缘中间层的下表面覆盖所述空气间隔件的顶部，并且所述第一绝缘中间层的最下表面被所述第二绝缘中间层覆盖。

公开(公告)号：CN113556565A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110438984.1

申请日：2021-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李元硕 ,  宋成旭 ,  崔允硕

IPC: H04N19/80 ,  H04N5/225 ,  H04N9/64 ,  G06T3/40

Abstract: 一种相机模块，包括：压缩器，配置为将包括在图像数据中的多个像素划分为多个像素组；对于多个像素划分为的多个像素组中的每个像素组，基于对应像素组中包括的多个像素的像素值，计算对应像素组的代表像素值；基于多个像素组中的每个像素组的所计算的代表像素值，生成第一压缩数据；对于多个像素划分为的多个像素组中的每个像素组，计算表示对应像素组中包括的多个像素的像素值与对应像素组的代表像素值之间的差的残差值；以及基于多个像素组中的每个像素组的所计算的残差值，生成第二压缩数据。

公开(公告)号：CN112397497A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010405998.9

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允硕

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498

Abstract: 公开了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；位于第一半导体芯片的第一表面上的第二半导体芯片；以及位于第一半导体芯片的第一表面上并且与第二半导体芯片的至少一侧相邻的多个导电柱。第一半导体芯片包括与第一半导体芯片的第一表面相邻的第一电路层。第二半导体芯片和多个导电柱连接到第一半导体芯片的第一表面。

公开(公告)号：CN111755410A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201911067933.1

申请日：2019-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴有庆 ,  柳承官 ,  尹玟升 ,  崔允硕

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L25/18

Abstract: 提供一种中介层以及半导体封装。中介层包括：基础基底；互连结构，位于基础基底的顶表面上且包括金属互连图案；上钝化层，位于互连结构上且具有压缩应力；下钝化层，位于基础基底的底表面下面，所述下钝化层具有比上钝化层的压缩应力小的压缩应力；下导电层，位于下钝化层下面；以及贯穿电极，穿透基础基底及下钝化层。所述贯穿电极将下导电层电连接到互连结构的金属互连图案。

公开(公告)号：CN104779215B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201510018605.8

申请日：2015-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允硕 ,  权赫万 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开提供了一种堆叠式半导体封装件，该堆叠式半导体封装件由于堆叠在下芯片上的上半导体芯片的特征而使得对下半导体芯片的设计限制最小化。该堆叠式半导体封装件包括：下芯片，其具有设置有多个穿通电极的穿通电极区域；以及至少一个上芯片，其堆叠在下芯片上并且具有设置有对应于多个穿通电极的多个接合焊盘的焊盘区域。所述焊盘区域沿着将上芯片的有源表面二等分的中心轴线设置。设置上芯片的焊盘区域的中心轴线布置在从下芯片的有源表面在纵向上的中心轴线移位的位置。

公开(公告)号：CN107708303A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710470178.6

申请日：2017-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈钟辅 ,  韩相旭 ,  崔允硕 ,  金知晃

IPC: H05K1/18 ,  H01L25/065 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16157 ,  H05K1/185 ,  H01L23/5383 ,  H01L25/0652 ,  H05K2201/10727

Abstract: 本发明提供了一种印刷电路板，该印刷电路板包括：衬底基板，其包括彼此间隔开的至少两个芯片附着区；多个上焊盘，它们布置在衬底基板的所述至少两个芯片附着区中；容腔，其与所述至少两个芯片附着区中的每一个的一部分重叠并且在衬底基板的上表面中凹进；以及至少一个间隔凹槽，其在衬底基板的上表面中凹进。所述至少一个间隔凹槽连接至容腔，并且在所述至少两个芯片附着区之间的区中延伸。

公开(公告)号：CN102956587A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210292292.1

申请日：2012-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权兴奎 ,  辛成浩 ,  崔允硕 ,  金容勋

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供半导体封装、封装堆叠结构及其上封装。该封装堆叠结构包括：上封装，包括具有第一边缘和与其相反的第二边缘的上封装基板，上封装基板具有靠近第一边缘布置的第一区和靠近第二边缘布置的第二区，上封装包括叠置在上封装基板上的第一上半导体器件；下封装，具有下封装基板和下半导体器件并且通过多个封装间连接器连接到上封装。多个封装间连接器包括：第一封装间连接器，传输数据信号；第二封装间连接器，传输地址/控制信号；第三封装间连接器，提供用于地址/控制电路的电源电压；第四封装间连接器，提供用于数据电路的电源电压。第一和第二封装间连接器的大部分设置在第一区中，而第三封装间连接器的大部分设置在第二区中。

公开(公告)号：CN101110578B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200710136088.X

申请日：2007-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李希裼 ,  崔允硕 ,  宋垠锡 ,  赵暎相 ,  申娜来

IPC: H03H7/00 ,  G09G3/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01F21/12 ,  H01F41/045 ,  H05K1/147 ,  H05K1/165

Abstract: 本发明提供了一种可调电感(AI)滤波器、一种包括该滤波器的带式布线基底和一种包括该带式布线基底的显示面板组件。该可调电感(AI)滤波器包括：滤波器布线，包括均具有第一线宽度的第一端部和第二端部；至少一个修复图案，具有第二线宽度且设置在第一端部和第二端部之间；至少一个单元滤波器组，分别与至少一个修复图案并联连接。