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公开(公告)号:CN106024654B
公开(公告)日:2019-07-02
申请号:CN201610329897.1
申请日:2013-03-05
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L23/488 , C09J7/10
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置,其具备具有基板和在所述基板上形成的电路图案的支撑部件、设置在所述支撑部件上的第一半导体元件、和与所述第一半导体元件介由粘接剂层而粘接的第二半导体元件;其中,所述支撑部件与所述第一半导体元件介由粘接剂而粘接,所述电路图案与所述第一半导体元件利用引线而电连接,所述第一半导体元件及所述引线通过所述粘接剂层而密封,所述粘接剂层是粘接片材经薄膜固化而形成的,所述粘接片材由包含(A)高分子量成分、(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分、和(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂的树脂组合物形成。
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公开(公告)号:CN108292590A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201680068718.1
申请日:2016-11-24
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明的电子部件的制造方法具备以下工序:通过膜状的暂时固定材料将成为构成电子部件的构件的被加工体暂时固定在支撑体上的工序;对暂时固定在支撑体上的被加工体进行加工的工序;以及将经加工的被加工体从支撑体及膜状的暂时固定材料上分离的分离工序,其中,所述暂时固定用树脂组合物含有(A)反应性官能团非不均性(甲基)丙烯酸共聚物。
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公开(公告)号:CN105849215B
公开(公告)日:2019-09-03
申请号:CN201480070497.2
申请日:2014-12-24
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09J7/10 , C09J133/00 , C09J167/00 , C09J183/10 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明的临时固定用膜是用于半导体晶片的加工方法的临时固定用膜,其中,所述半导体晶片的加工方法具备以下工序:将半导体晶片介由临时固定用膜临时固定在支撑体上的临时固定工序;对临时固定在支撑体上的半导体晶片进行加工的加工工序;以及将加工后的半导体晶片从支撑体及临时固定用膜上分离的分离工序,所述临时固定用膜含有(A)高分子量成分及(B)有机硅改性树脂,并且所述临时固定用膜在110℃下加热30分钟并在170℃下加热1小时后的弹性模量在23℃下为0.1~1000MPa。
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公开(公告)号:CN104169383B
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201380012784.3
申请日:2013-03-05
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J161/20 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC classification number: C09J7/00 , C09J7/10 , C09J113/00 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2413/00 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/27001 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48096 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49179 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/00 , H01L2224/48095 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明的粘接片材由包含(A)高分子量成分、(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分、和(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂的树脂组合物形成,并且以该树脂组合物100质量%为基准,含有11~22质量%的上述(A)高分子量成分、10~20质量%的上述(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、10~20质量%的上述(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分、15~30质量%的上述(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂。
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公开(公告)号:CN104169383A
公开(公告)日:2014-11-26
申请号:CN201380012784.3
申请日:2013-03-05
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J161/20 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC classification number: C09J7/00 , C09J7/10 , C09J113/00 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2413/00 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/27001 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48096 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49179 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/00 , H01L2224/48095 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明的粘接片材由包含(A)高分子量成分、(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分、和(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂的树脂组合物形成,并且以该树脂组合物100质量%为基准,含有11~22质量%的上述(A)高分子量成分、10~20质量%的上述(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、10~20质量%的上述(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分、15~30质量%的上述(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂。
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公开(公告)号:CN106024654A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610329897.1
申请日:2013-03-05
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置,其具备具有基板和在所述基板上形成的电路图案的支撑部件、设置在所述支撑部件上的第一半导体元件、和与所述第一半导体元件介由粘接剂层而粘接的第二半导体元件;其中,所述支撑部件与所述第一半导体元件介由粘接剂而粘接,所述电路图案与所述第一半导体元件利用引线而电连接,所述第一半导体元件及所述引线通过所述粘接剂层而密封,所述粘接剂层是粘接片材经薄膜固化而形成的,所述粘接片材由包含(A)高分子量成分、(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分、和(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂的树脂组合物形成。
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公开(公告)号:CN105849215A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201480070497.2
申请日:2014-12-24
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J133/00 , C09J167/00 , C09J183/10 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明的临时固定用膜是用于半导体晶片的加工方法的临时固定用膜,其中,所述半导体晶片的加工方法具备以下工序:将半导体晶片介由临时固定用膜临时固定在支撑体上的临时固定工序;对临时固定在支撑体上的半导体晶片进行加工的加工工序;以及将加工后的半导体晶片从支撑体及临时固定用膜上分离的分离工序,所述临时固定用膜含有(A)高分子量成分及(B)有机硅改性树脂,并且所述临时固定用膜在110℃下加热30分钟并在170℃下加热1小时后的弹性模量在23℃下为0.1~1000MPa。
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公开(公告)号:CN102471648B
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201080031563.7
申请日:2010-07-09
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: C09J7/0239 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , Y10T156/108 , Y10T156/1082 , Y10T156/1168 , Y10T156/1195 , Y10T428/265 , Y10T428/28
Abstract: 本发明提供一种粘接片的制造方法,所述粘接片具备长条状的剥离基材(1)和在该剥离基材(1)上以岛状配置的粘结剂层(2),所述粘接片的制造方法具有剥离工序,所述剥离工序是在剥离基材(1)上层叠长条状的粘结剂层(2)后,按照该粘结剂层(2)的规定部分以岛状残留于剥离基材(1)上的方式,将该粘结剂层(2)的不需要的部分(6)剥离,在剥离工序中,按照窄幅部(8)的抗断强度达到200g以上的方式来调整窄幅部(8)的宽度W,所述窄幅部是粘结剂层(2)的不需要的部分(6)的短边方向的宽度最窄的部分。
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