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公开(公告)号：CN115769694A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180045780.X
申请日：2021-07-01
Applicant: 昭和电工材料株式会社
Abstract: 本发明所涉及的半导体装置具备：基板；黏合部件，配置于基板的表面上；第一芯片，介由第一黏合剂片层叠于黏合部件；及第二芯片，介由第二黏合剂片层叠于第一芯片。上述黏合部件具有多层结构，该多层结构包括由热固性树脂组合物的固化物形成的一对表面层和配置于一对表面层之间的中间层。
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公开(公告)号：CN113574664A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080020993.2
申请日：2020-04-24
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明的支撑片形成用层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层及支撑片形成用膜，且支撑片形成用膜具有至少包含拉伸弹性模量8.0MPa以上的树脂层的多层结构。所述支撑片形成用层叠膜适用于具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片。
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公开(公告)号：CN115702477A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180045009.2
申请日：2021-06-02
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J11/04 , C09J163/00 , C09J201/00 , H01L21/52 , C09J7/25
Abstract: 本发明公开了一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备：切割带，其具有基材和设置于基材上的压敏胶黏层；以及晶粒接合膜，其配置于切割带的压敏胶黏层上。晶粒接合膜含有表面具有氧化物层的含银粒子和助熔剂。以晶粒接合膜的总量为基准，含银粒子的含量为75质量％以上。
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公开(公告)号：CN114270481A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201980099180.4
申请日：2019-08-29
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/52
Abstract: 公开一种支撑片的制造方法，所述支撑片使用于具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中，所述具有支石墓结构的半导体装置包括：基板、配置在基板上的第一芯片、配置在基板上且第一芯片的周围的多个支撑片及被多个支撑片支撑且以覆盖第一芯片的方式配置的第二芯片，所述支撑片的制造方法包括：(A)准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层及与基材膜及压敏胶黏层有色差的支撑片形成用膜；(B)将支撑片形成用膜单片化而在压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；及(C)从压敏胶黏层拾取支撑片的工序。
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公开(公告)号：CN113632226A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080020989.6
申请日：2020-04-24
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明的支撑片形成用层叠膜依次具备基材膜、感压黏合层及支撑片形成用膜，且支撑片形成用膜具有至少包含金属层的多层结构。所述支撑片形成用层叠膜适用于具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115702478A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180045024.7
申请日：2021-06-02
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J11/04 , C09J163/00 , C09J201/00 , H01L21/52 , C09J7/25 , C09J7/35
Abstract: 本发明公开了一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备：切割带，其具有基材和设置于基材上的压敏胶黏层；以及晶粒接合膜，其配置于切割带的压敏胶黏层上。晶粒接合膜含有用饱和脂肪酸进行表面处理的含银粒子。以晶粒接合膜的总量为基准，含银粒子的含量为75质量％以上。
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公开(公告)号：CN114342050A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080061882.6
申请日：2020-09-03
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/58 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本发明所涉及的夹头用于压接经由将晶圆单片化的工序而获得的带黏合剂片的芯片，所述夹头具备：主体部，具有直接传递源自压接装置的按压力的第1按压面；及突出部，具有与第1按压面一起构成带黏合剂片的芯片的保持面且沿第1按压面的外周设置的第2按压面。
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公开(公告)号：CN113574667A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080021124.1
申请日：2020-04-24
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/301
Abstract: 本发明的一个方面是一种半导体装置的支石墓结构的形成中所使用的支撑片的制造方法，其包括：(A)准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备：基材膜、压敏胶粘层、及由例如热固性树脂层形成的支撑片形成用膜；(B)通过将支撑片形成用膜单片化，而在压敏胶粘层的表面上形成多个支撑片的工序；以及(C)在利用多个针或具有平坦的前端面的部件从基材膜侧上推支撑片的状态下拾取支撑片的工序。
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公开(公告)号：CN113574666A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080021028.7
申请日：2020-04-24
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明的一个方面是一种半导体装置的支石墓结构的形成中所使用的支撑片的制造方法，其包括：(A)准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备：基材膜、压敏胶粘层、及由例如热固性树脂层形成的支撑片形成用膜；以及(B)通过将支撑片形成用膜单片化，而在压敏胶粘层的表面上形成多个支撑片的工序；(B)工序依次包括：将切口形成至支撑片形成用膜的厚度方向的中途的工序；及通过扩展而将冷却状态的支撑片形成用膜单片化的工序。
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公开(公告)号：CN306659495S
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202030163526.8
申请日：2020-04-21
Applicant: 昭和电工材料株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：半导体装置制造用膜片。
2.本外观设计产品的用途：作为制造半导体装置用的膜片使用。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。
5.指定设计1为基本设计。
6.设计1~设计4中，使用状态参考图1的数字1~数字5分别表示支承块形成用膜、本产品、环状框架、基底膜、粘接层；使用状态参考图2的数字1~数字6分别表示支承块形成用膜、本产品、环状框架、基底膜、上推环、粘接层。
7、设计1~设计4的C部放大图中，标注了I和J的部位表示透明。
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