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公开(公告)号：CN113614916A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201980094133.0
申请日：2019-04-25
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种支撑片的制造方法，其为在具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中所使用的支撑片的制造方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片，所述支撑片的制造方法包括：(A)准备依次具备基材膜、压敏胶黏层、及支撑片形成用膜的层叠膜的工序；(B)通过将支撑片形成用膜单片化，在压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；以及(C)从压敏胶黏层拾取支撑片的工序，支撑片形成用膜在120℃下的剪切黏度为4000Pa·s以上。
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公开(公告)号：CN114270481A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201980099180.4
申请日：2019-08-29
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/52
Abstract: 公开一种支撑片的制造方法，所述支撑片使用于具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中，所述具有支石墓结构的半导体装置包括：基板、配置在基板上的第一芯片、配置在基板上且第一芯片的周围的多个支撑片及被多个支撑片支撑且以覆盖第一芯片的方式配置的第二芯片，所述支撑片的制造方法包括：(A)准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层及与基材膜及压敏胶黏层有色差的支撑片形成用膜；(B)将支撑片形成用膜单片化而在压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；及(C)从压敏胶黏层拾取支撑片的工序。
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公开(公告)号：CN113632226A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080020989.6
申请日：2020-04-24
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明的支撑片形成用层叠膜依次具备基材膜、感压黏合层及支撑片形成用膜，且支撑片形成用膜具有至少包含金属层的多层结构。所述支撑片形成用层叠膜适用于具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片。
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公开(公告)号：CN113574664A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080020993.2
申请日：2020-04-24
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明的支撑片形成用层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层及支撑片形成用膜，且支撑片形成用膜具有至少包含拉伸弹性模量8.0MPa以上的树脂层的多层结构。所述支撑片形成用层叠膜适用于具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片。
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公开(公告)号：CN113261084A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201880100505.1
申请日：2018-12-28
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L21/301
Abstract: 本发明所涉及的半导体装置的制造方法包括：准备膜状黏合剂的工序，所述膜状黏合剂用于黏合半导体元件和安装该半导体元件的部件；及在上述部件的表面上层叠膜状黏合剂及半导体元件的状态下，对上述部件的表面压接半导体元件的工序，膜状黏合剂的表面自由能的值E1(mJ/m2)与上述部件的表面自由能的值E2(mJ/m2)之差的绝对值在6.0～10.0的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112219264A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201980032401.6
申请日：2019-05-16
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本公开所涉及的切晶粘晶一体型膜包括：基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层，该压敏胶黏剂层具有与基材层相向的第一面及其相反侧的第二面；该胶黏剂层以覆盖第二面的中央部的方式设置。压敏胶黏剂层具有第一区域及第二区域，该第一区域至少包含与胶黏剂层中的晶片的贴附位置对应的区域，该第二区域以包围第一区域的方式配置。第一区域为通过活性能量线的照射而处于与第二区域相比胶接力下降的状态的区域，在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的第一区域相对于胶黏剂层的胶接力为1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。
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公开(公告)号：CN113544229A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080019222.1
申请日：2020-03-06
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: C09J11/04 , C09J11/08 , C09J163/00 , H01L21/52 , H01L21/301
Abstract: 本发明公开一种胶黏剂组合物，其包含热固性树脂、固化剂、弹性体及无机填料，固化剂包含具有脂环式环的酚醛树脂，相对于热固性树脂100质量份，弹性体的含量为10～80质量份。并且，还公开一种使用这种胶黏剂组合物的膜状胶黏剂。还公开一种使用这种膜状胶黏剂的胶黏剂片及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN113348221A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201980090381.8
申请日：2019-01-28
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J7/35 , C09J11/04 , C09J133/02 , H01L21/301 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开一种胶黏剂组合物，其包含热固性树脂、固化剂及弹性体，热固性树脂包含具有脂环式环的环氧树脂，弹性体包含具有羧基的弹性体。并且，还公开一种使用这种胶黏剂组合物的膜状胶黏剂。还公开一种使用这种膜状胶黏剂的胶黏剂片及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN112219264B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201980032401.6
申请日：2019-05-16
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本公开所涉及的切晶粘晶一体型膜包括：基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层，该压敏胶黏剂层具有与基材层相向的第一面及其相反侧的第二面；该胶黏剂层以覆盖第二面的中央部的方式设置。压敏胶黏剂层具有第一区域及第二区域，该第一区域至少包含与胶黏剂层中的晶片的贴附位置对应的区域，该第二区域以包围第一区域的方式配置。第一区域为通过活性能量线的照射而处于与第二区域相比胶接力下降的状态的区域，在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的第一区域相对于胶黏剂层的胶接力为1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。
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公开(公告)号：CN113632225A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201980094030.4
申请日：2019-04-25
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种支撑片的制造方法，其为在具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中所使用的支撑片的制造方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片，所述支撑片的制造方法包括：(A)准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层、及具有至少包含金属层的多层结构的支撑片形成用膜；(B)通过将支撑片形成用膜单片化，而在压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；以及(C)从压敏胶黏层拾取支撑片的工序。
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