公开(公告)号：CN106256927A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201510711369.8

申请日：2015-10-28

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 石田将崇 ,  林达也 ,  菅原卓哉 ,  我妻伸哉 ,  宫内充祐 ,  姜友松 ,  长江亦周

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。本发明的方法是下述成膜方法：通过将施加有电压的多个基板依次导入成膜区域内的规定位置，成膜区域是利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，由此使溅射粒子到达基板的表面并堆积，并进行使溅射等离子体中的离子撞击基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成薄膜，其中，在形成于具有排气系统的真空容器内的成膜区域内，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理而形成中间薄膜，然后通过使基板保持器旋转而使基板移动至被配置成与成膜区域在空间上分离的反应区域内，进行使溅射等离子体之外的其他等离子体中的离子撞击中间薄膜的等离子体再处理，形成薄膜。

公开(公告)号：CN106256927B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201510711369.8

申请日：2015-10-28

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 石田将崇 ,  林达也 ,  菅原卓哉 ,  我妻伸哉 ,  宫内充祐 ,  姜友松 ,  长江亦周

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。本发明的方法是下述成膜方法：通过将施加有电压的多个基板依次导入成膜区域内的规定位置，成膜区域是利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，由此使溅射粒子到达基板的表面并堆积，并进行使溅射等离子体中的离子撞击基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成薄膜，其中，在形成于具有排气系统的真空容器内的成膜区域内，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理而形成中间薄膜，然后通过使基板保持器旋转而使基板移动至被配置成与成膜区域在空间上分离的反应区域内，进行使溅射等离子体之外的其他等离子体中的离子撞击中间薄膜的等离子体再处理，形成薄膜。

公开(公告)号：CN205062167U

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201520843493.5

申请日：2015-10-28

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 石田将崇 ,  林达也 ,  菅原卓哉 ,  我妻伸哉 ,  宫内充祐 ,  姜友松 ,  长江亦周

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34

Abstract: 本实用新型提供成膜装置。成膜装置具有：具有排气系统的真空容器；成膜区域，其形成于真空容器内；反应区域，其形成于真空容器内，并与成膜区域在空间上分离；阴极电极，其搭载靶材；溅射电源，其使面对靶材的被溅射面的成膜区域内产生溅射放电；等离子体产生单元，其使反应区域内产生通过在成膜区域内发生的溅射放电而形成的溅射等离子体之外的其他等离子体；将多个基板保持在外周面上的基板保持器；和使基板保持器旋转的驱动单元，借助驱动单元使基板保持器旋转，使基板在成膜区域内的规定的位置与反应区域内的规定的位置之间反复移动，成膜装置还具备：基板电极，其从背面搭载由基板保持器保持的基板；和偏置电源，其向基板电极供给电力。