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公开(公告)号：CN111593309A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910129730.4
申请日：2019-02-21
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本申请公开一种溅射成膜装置，包括：具有排气机构的真空容器；基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部并且在空间上相互分离的溅射区域和反应区域；所述溅射区域被配置为通过溅射靶材在基板上形成溅射物质；所述反应区域被配置为导入两种以上的反应气体并在该反应区域生成等离子体；所述反应区域通过等离子体中的离子与所述溅射物质相互作用形成含有至少四种元素的化合物薄膜。该溅射成膜装置便于形成期望材料的薄膜，并在形成四种元素以上的化合物薄膜时，并不受化合物材料的限制，同时成膜效率较快，具有非常良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN110318028A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810265405.6
申请日：2018-03-28
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/46
Abstract: 本发明公开一种等离子体源机构及薄膜形成装置，其中，所述等离子源机构能够适用于具有真空槽的薄膜形成装置；所述等离子体源机构包括：安装于所述真空槽外的壳体；位于所述壳体内的天线组件，其经由电介质部配置在所述真空槽外；所述天线组件包括多个天线部；各个所述天线部具有单独的被施加高频电力的连接部；任一所述天线部所在区域与其他所述天线部所在区域无重叠区域。本发明提供的等离子体源机构及薄膜形成装置能够扩大ICP放电范围。
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公开(公告)号：CN106256927A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201510711369.8
申请日：2015-10-28
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。本发明的方法是下述成膜方法：通过将施加有电压的多个基板依次导入成膜区域内的规定位置，成膜区域是利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，由此使溅射粒子到达基板的表面并堆积，并进行使溅射等离子体中的离子撞击基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成薄膜，其中，在形成于具有排气系统的真空容器内的成膜区域内，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理而形成中间薄膜，然后通过使基板保持器旋转而使基板移动至被配置成与成膜区域在空间上分离的反应区域内，进行使溅射等离子体之外的其他等离子体中的离子撞击中间薄膜的等离子体再处理，形成薄膜。
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公开(公告)号：CN103946417A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280019492.8
申请日：2012-10-23
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/56 , C23C14/0042 , C23C14/0047 , C23C14/0089 , C23C14/0652 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/562 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32752 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3476
Abstract: 本发明提供薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法，所述薄膜形成装置、溅射阴极及薄膜形成方法能够在大型基板上以高成膜速率形成光学多层膜。一种薄膜形成装置1，其中，在真空槽21内，利用溅射在基板43上形成金属化合物的薄膜。真空槽21内具备由金属或具有导电性的金属化合物构成的靶材63a、b和活性种源，所述活性种源按照在电磁性及压力方面与靶材63a、b相互影响的方式而设置、并且可生成反应性气体的活性种。活性种源具备供给反应性气体的气体源76、77和将能量供给至真空槽内从而将反应性气体激发为等离子体状态的能量源80。能量源80在与真空槽21之间具备用于将能量供给至真空槽21内的电介质窗，该电介质窗按照与基板43平行、或以相对于基板43呈小于90°的角度向靶材63a、b侧倾斜的方式配置。
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公开(公告)号：CN106256927B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201510711369.8
申请日：2015-10-28
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。本发明的方法是下述成膜方法：通过将施加有电压的多个基板依次导入成膜区域内的规定位置，成膜区域是利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，由此使溅射粒子到达基板的表面并堆积，并进行使溅射等离子体中的离子撞击基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成薄膜，其中，在形成于具有排气系统的真空容器内的成膜区域内，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理而形成中间薄膜，然后通过使基板保持器旋转而使基板移动至被配置成与成膜区域在空间上分离的反应区域内，进行使溅射等离子体之外的其他等离子体中的离子撞击中间薄膜的等离子体再处理，形成薄膜。
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公开(公告)号：CN102137951B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN200980134065.2
申请日：2009-09-14
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/0078 , C03C17/001 , C03C2218/31 , H01J37/32082
Abstract: 本发明提供一种滤光器的制造方法，该制造方法通过在薄膜形成前除去因清洗而附着于基板表面的异物来制造具有良好膜质的滤光器。通过进行使用含有水分的溶液对基板S进行清洗的清洗工序P1、利用氧气的等离子体对经清洗工序P1进行清洗的基板S的表面进行等离子体处理的前处理工序P3、以及在经前处理工序P3进行了等离子体处理的基板S的表面形成薄膜的薄膜形成工序(P4、P5)，能够有效除去附着在基板表面的异物。另外，在前处理工序P3中，向产生等离子体的区域仅导入氧气，且使所导入的氧气流量多于在薄膜形成工序中所导入的氧气流量，从而在薄膜形成工序(P4、P5)之前有效去除在清洗工序中通过OH基键附着在基板S表面的异物、防止脱膜部的发生。
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公开(公告)号：CN102137951A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980134065.2
申请日：2009-09-14
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/0078 , C03C17/001 , C03C2218/31 , H01J37/32082
Abstract: 本发明提供一种滤光器的制造方法，该制造方法通过在薄膜形成前除去因清洗而附着于基板表面的异物来制造具有良好膜质的滤光器。通过进行使用含有水分的溶液对基板S进行清洗的清洗工序P1、利用氧气的等离子体对经清洗工序P1进行清洗的基板S的表面进行等离子体处理的前处理工序P3、以及在经前处理工序P3进行了等离子体处理的基板S的表面形成薄膜的薄膜形成工序(P4、P5)，能够有效除去附着在基板表面的异物。另外，在前处理工序P3中，向产生等离子体的区域仅导入氧气，且使所导入的氧气流量多于在薄膜形成工序中所导入的氧气流量，从而在薄膜形成工序(P4、P5)之前有效去除在清洗工序中通过OH基键附着在基板S表面的异物、防止脱膜部的发生。
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公开(公告)号：CN118742829A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380012409.2
申请日：2023-09-13
Abstract: 一种防反射膜(2)，该防反射膜(2)为了在具有防反射性和耐擦伤性的基础上抑制针对拉伸应力的裂纹产生，在基材(1)的表面具有折射率低于上述基材(1)的折射率的低折射率层(21)作为最外层，其中，上述低折射率层(21)含有硅、碳、氟和氧作为必要成分，还含有铟、锡或铋中的至少任一种作为必要成分，以氧化硅为主要成分，包含有机氟化合物。
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