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公开(公告)号：CN103154298A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003215.8
申请日：2012-08-02
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: B05D1/00 , C23C14/022 , C23C14/06 , C23C14/22 , C23C14/546
Abstract: 本发明提供可有效地进行防污膜的成膜的成膜装置，该防污膜的耐磨耗性能不但可耐实用而且耐磨耗性能也进一步得到提高。本发明的成膜装置(1)为将具有用于保持两个以上基板(14)的基体保持面的基板支架(12)可旋转地配设在真空容器(10)内的成膜装置(1)，其中，该成膜装置(1)是具有离子源(38)以及作为成膜单元的蒸镀源(34)和限制板(36)的构成，所述离子源(38)按照可向着上述基体保持面的一部分区域照射离子束这样的构成、配置和/或朝向被设置在真空容器(10)内，所述作为成膜单元的蒸镀源(34)和限制板(36)按照可向着作为上述基体保持面的一部分且与基于离子源(38)的离子束的照射区域的至少一部分重复的区域来供给成膜材料这样的构成被设置在真空容器(10)内。
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公开(公告)号：CN103014617A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210327850.3
申请日：2012-09-06
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/04 , C23C14/24 , C23C14/50 , C23C14/505 , C23C16/04 , C23C16/042 , C23C16/4584
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置，其通过使仅在多个基板上的特定部分上形成薄膜的作业简单化、效率化，从而能够缩短薄膜形成时的作业时间，减少成膜作业的费用。薄膜形成装置（100）具备的基板保持机构（3）具有：基板保持部件（10～40），保持多个基板（S），使得基板（S）的非成膜部分（S2）的一部分与其他基板（S）重合，而成膜部分（S1）露出；支撑部件（50），支撑基板保持部件（10～40）；旋转部件（60），使支撑部件（50）旋转，基板保持部件（10～40）具有：多个保持面（11d），保持多个基板（S），配置在成膜源（4）与多个基板（S）之间；多个阶差部（11e），形成在多个保持面（11d）之间，分别与多个基板（S）的端部抵接；多个开口部（11f），在基板（S）的端部抵接在多个阶差部（11e）的状态时，形成在与成膜部分（S1）相应的部分的保持面（11d）上。
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公开(公告)号：CN101861408B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980100991.8
申请日：2009-08-17
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/22
CPC classification number: C23C14/22 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/221 , C23C14/225 , H01J2237/0041 , H01J2237/3132
Abstract: 本发明提供一种能够制造具有良好的光学特性的光学薄膜的光学薄膜沉积装置，以及制造成本低廉而且具有良好的光学特性的光学薄膜的制造方法。在真空容器(10)内向基体(14)沉积沉积物质的光学薄膜沉积装置具有：圆顶形的基体保持单元(12)，其设置在真空容器(10)内，用于保持基体(14)；旋转单元，其使基体保持单元(12)旋转；沉积单元(34)，其与基体(14)相对设置；离子源(38)，其向基体(14)照射离子；以及中和器(40)，其向基体(14)照射电子。离子源(38)被设置在下述位置，即，所述位置是使从离子源(38)照射离子的轴线、与相对于基体(14)的表面的垂线之间的角度为8°以上40°以下，并使基体保持单元的旋转轴中心和离子源(38)的中心之间的垂直方向的距离、与基体保持单元(12)的直径之比为0.5以上1.2以下的范围。
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公开(公告)号：CN103154299B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201280003216.2
申请日：2012-09-26
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/58 , C23C14/0031 , C23C14/022 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C14/546
Abstract: 本发明提供一种能够高效地进行防污膜的成膜的成膜装置，该防污膜不但可耐实用而且耐磨耗性能也进一步得到提高。其是基板支架12可旋转地配设在真空容器10内的成膜装置1，所述基板支架12具有用于保持2个以上基板的基体保持面，成膜装置1的构成为具有蒸镀源34和离子源38，其中，所述蒸镀源34按照如下构成配置在真空容器10内：使其向旋转停止时的基板支架12工作的情况下，能够对所述基体保持面的部分区域即第1区域(A3)供给比该第1区域以外的其他区域(残余区域)更多量的成膜材料；所述离子源38按照如下构成、配置和/或朝向设置在所述真空容器10内：使其向旋转停止时的基板支架12工作的情况下，能够仅向着该基体保持面的部分区域即第2区域(A2)照射能量粒子。
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公开(公告)号：CN103154298B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201280003215.8
申请日：2012-08-02
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: B05D1/00 , C23C14/022 , C23C14/06 , C23C14/22 , C23C14/546
Abstract: 提供可有效地进行防污膜的成膜的成膜装置，该防污膜的耐磨耗性能不但可耐实用而且耐磨耗性能也进一步得到提高。本发明的成膜装置(1)为将具有用于保持两个以上基板(14)的基体保持面的基板支架(12)可旋转地配设在真空容器(10)内的成膜装置(1)，其中，该成膜装置(1)是具有离子源(38)以及作为成膜单元的蒸镀源(34)和限制板(36)的构成，所述离子源(38)按照可向着上述基体保持面的一部分区域照射离子束这样的构成、配置和/或朝向被设置在真空容器(10)内，所述作为成膜单元的蒸镀源(34)和限制板(36)按照可向着作为上述基体保持面的一部分且与基于离子源(38)的离子束的照射区域的至少一部分重复的区域来供给成膜材料这样的构成被设置在真空容器(10)内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106256927A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201510711369.8
申请日：2015-10-28
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。本发明的方法是下述成膜方法：通过将施加有电压的多个基板依次导入成膜区域内的规定位置，成膜区域是利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，由此使溅射粒子到达基板的表面并堆积，并进行使溅射等离子体中的离子撞击基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成薄膜，其中，在形成于具有排气系统的真空容器内的成膜区域内，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理而形成中间薄膜，然后通过使基板保持器旋转而使基板移动至被配置成与成膜区域在空间上分离的反应区域内，进行使溅射等离子体之外的其他等离子体中的离子撞击中间薄膜的等离子体再处理，形成薄膜。
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公开(公告)号：CN103946417A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280019492.8
申请日：2012-10-23
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/56 , C23C14/0042 , C23C14/0047 , C23C14/0089 , C23C14/0652 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/562 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32752 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3476
Abstract: 本发明提供薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法，所述薄膜形成装置、溅射阴极及薄膜形成方法能够在大型基板上以高成膜速率形成光学多层膜。一种薄膜形成装置1，其中，在真空槽21内，利用溅射在基板43上形成金属化合物的薄膜。真空槽21内具备由金属或具有导电性的金属化合物构成的靶材63a、b和活性种源，所述活性种源按照在电磁性及压力方面与靶材63a、b相互影响的方式而设置、并且可生成反应性气体的活性种。活性种源具备供给反应性气体的气体源76、77和将能量供给至真空槽内从而将反应性气体激发为等离子体状态的能量源80。能量源80在与真空槽21之间具备用于将能量供给至真空槽21内的电介质窗，该电介质窗按照与基板43平行、或以相对于基板43呈小于90°的角度向靶材63a、b侧倾斜的方式配置。
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公开(公告)号：CN103154299A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003216.2
申请日：2012-09-26
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/58 , C23C14/0031 , C23C14/022 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C14/546
Abstract: 本发明提供一种能够高效地进行防污膜的成膜的成膜装置，该防污膜不但可耐实用而且耐磨耗性能也进一步得到提高。其是基板支架12可旋转地配设在真空容器10内的成膜装置1，所述基板支架12具有用于保持2个以上基板的基体保持面，成膜装置1的构成为具有蒸镀源34和离子源38，其中，所述蒸镀源34按照如下构成配置在真空容器10内：使其向旋转停止时的基板支架12工作的情况下，能够对所述基体保持面的部分区域即第1区域(A3)供给比该第1区域以外的其他区域(残余区域)更多量的成膜材料；所述离子源38按照如下构成、配置和/或朝向设置在所述真空容器10内：使其向旋转停止时的基板支架12工作的情况下，能够仅向着该基体保持面的部分区域即第2区域(A2)照射能量粒子。
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公开(公告)号：CN106256927B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201510711369.8
申请日：2015-10-28
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。本发明的方法是下述成膜方法：通过将施加有电压的多个基板依次导入成膜区域内的规定位置，成膜区域是利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，由此使溅射粒子到达基板的表面并堆积，并进行使溅射等离子体中的离子撞击基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成薄膜，其中，在形成于具有排气系统的真空容器内的成膜区域内，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理而形成中间薄膜，然后通过使基板保持器旋转而使基板移动至被配置成与成膜区域在空间上分离的反应区域内，进行使溅射等离子体之外的其他等离子体中的离子撞击中间薄膜的等离子体再处理，形成薄膜。
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公开(公告)号：CN103014617B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210327850.3
申请日：2012-09-06
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/04 , C23C14/24 , C23C14/50 , C23C14/505 , C23C16/04 , C23C16/042 , C23C16/4584
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置，其通过使仅在多个基板上的特定部分上形成薄膜的作业简单化、效率化，从而能够缩短薄膜形成时的作业时间，减少成膜作业的费用。薄膜形成装置（100）具备的基板保持机构（3）具有：基板保持部件（10～40），保持多个基板（S），使得基板（S）的非成膜部分（S2）的一部分与其他基板（S）重合，而成膜部分（S1）露出；支撑部件（50），支撑基板保持部件（10～40）；旋转部件（60），使支撑部件（50）旋转，基板保持部件（10～40）具有：多个保持面（11d），保持多个基板（S），配置在成膜源（4）与多个基板（S）之间；多个阶差部（11e），形成在多个保持面（11d）之间，分别与多个基板（S）的端部抵接；多个开口部（11f），在基板（S）的端部抵接在多个阶差部（11e）的状态时，形成在与成膜部分（S1）相应的部分的保持面（11d）上。
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