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公开(公告)号：CN1790167A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510118841.3
申请日：2005-10-27
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F1/00
Abstract: 本发明获得可高精度形成包含栅格图案和通常图案的光刻胶图案的图案形成方法。首先，采用2灯照明，仅仅将栅格图案形成区域作为实质的曝光对象，执行第1曝光处理。接着，仅仅将通常图案形成区域作为实质的曝光对象，执行第2曝光处理。然后，进行显影处理，获得光刻胶图案。上述第1曝光处理用的掩模中，通常图案形成区域对应的通常图案用掩模部在整个面用遮光图案形成，第2曝光处理用的掩模中，栅格图案形成区域对应的栅格图案用掩模部在整个面用遮光图案形成。
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公开(公告)号：CN1603949A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410085582.4
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: G03F1/00 , H01L21/027
Abstract: 一种光掩模，具有对于进行复制的主体图形(5)曝光光线的相位成同相并减弱曝光光线的外围区域部分(4)和使曝光光线透过主体图形(5)的边缘部分并使之与主体图形透过光反相的边缘图形(6)。使用本光掩模，具有可适应65nm节点的实用分辨率，可以提供无缺陷并可检查缺陷的光掩模和半导体装置的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100507713C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200410085582.4
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: G03F1/00 , H01L21/027
Abstract: 一种光掩模，具有对于进行复制的主体图形(5)曝光光线的相位成同相并减弱曝光光线的外围区域部分(4)和使曝光光线透过主体图形(5)的边缘部分并使之与主体图形透过光反相的边缘图形(6)。使用本光掩模，具有可适应65nm节点的实用分辨率，可以提供无缺陷并可检查缺陷的光掩模和半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1854892A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610073914.6
申请日：2006-02-14
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 中尾修治
IPC: G03F1/14 , G03F1/08 , G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种光掩膜，包括：夹持以线状延伸的中央遮光线部(5)从而实质上按照相同线宽并行的一对透光用开口图形(4)；和按照从宽度方向的两侧夹持该一对透光用开口图形(4)的方式进行配置的半透过区域。该半透过区域构成为具有使透过的光与透过透光用开口图形(4)的光相位相同这一性质的同相半透过部(2)。此外，半透过区域由微细到经过光照射而不析像这种程度的间距进行配置的图形构成。
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公开(公告)号：CN100565347C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200510118841.3
申请日：2005-10-27
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F1/00
Abstract: 本发明获得可高精度形成包含栅格图案和通常图案的光刻胶图案的图案形成方法。首先，采用2灯照明，仅仅将栅格图案形成区域作为实质的曝光对象，执行第1曝光处理。接着，仅仅将通常图案形成区域作为实质的曝光对象，执行第2曝光处理。然后，进行显影处理，获得光刻胶图案。上述第1曝光处理用的掩模中，通常图案形成区域对应的通常图案用掩模部在整个面用遮光图案形成，第2曝光处理用的掩模中，栅格图案形成区域对应的栅格图案用掩模部在整个面用遮光图案形成。
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公开(公告)号：CN1324400C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200310101475.1
申请日：2003-10-20
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 中尾修治
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 本发明的相移掩模包括在基板1上形成、并且具有露出基板1的一部分表面的开口部2a的中间色调遮光膜2。透过中间色调遮光膜2的曝光光的相位与透过开口部2a的曝光光的相位相差180度。由透过中间色调遮光膜2的曝光光的光强对透过开口部2a的曝光光的光强之比所定义的透光率为15%以上、25%以下。开口部2a的尺寸在基于曝光光的波长λ/数值孔径NA被定为1进行测量时为0.26以上、0.45以下。由此，得到一种不使集成度降低并且以低成本即可形成尺寸均匀性优越的图形的相移掩模、使用了该相移掩模的图形形成方法和电子器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN1525245A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200310101475.1
申请日：2003-10-20
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 中尾修治
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 本发明的相移掩模包括在基板1上形成、并且具有露出基板1的一部分表面的开口部2a的中间色调遮光膜2。透过中间色调遮光膜2的曝光光的相位与透过开口部2a的曝光光的相位相差180度。由透过中间色调遮光膜2的曝光光的光强对透过开口部2a的曝光光的光强之比所定义的透光率为15％以上、25％以下。开口部2a的尺寸在基于曝光光的波长λ/数值孔径NA被定为1进行测量时为0.26以上、0.45以下。由此，得到一种不使集成度降低并且以低成本即可形成尺寸均匀性优越的图形的相移掩模、使用了该相移掩模的图形形成方法和电子器件的制造方法。
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