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公开(公告)号：CN105470227A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510633689.6
申请日：2015-09-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L21/561 , H01L23/04 , H01L23/49555 , H01L23/49562 , H01L23/544 , H01L24/97 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/0603 , H01L2224/32013 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其目的在于确保半导体器件的安装强度，并且实现安装面积的缩小化。功率晶体管(5)具有芯片搭载部、半导体芯片、多个引线(1)和封固体(3)。多个引线(1)的各自的外引线部(1b)具有从封固体(3)的第二侧面(3d)沿第一方向(1bh)突出的第一部分(1be)、沿与第一部分(1be)交叉的第二方向(1bi)延伸的第二部分(1bf)、和沿与第二方向(1bi)交叉的第三方向(1bj)延伸的第三部分(1bg)。而且，外引线部(1b)的沿着第三方向(1bj)的第三部分(1bg)的长度(AL2)比沿着第一方向(1bh)的第一部分(1be)的长度(AL1)短。
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公开(公告)号：CN101908530B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201010198397.1
申请日：2010-06-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置。减小了半导体装置的尺寸。将其中形成有功率MOSFET的半导体芯片放置在其中形成有另一功率MOSFET的半导体芯片之上，并用包封树脂部分将其密封。半导体芯片被布置为使得上半导体芯片不与位于下半导体芯片的栅极焊盘电极正上方的区域重叠。半导体芯片在尺寸上是相同的，并且下半导体芯片和上半导体芯片各自的源极焊盘电极和栅极焊盘电极在形状和布置上是相同的。下半导体芯片和上半导体芯片被布置为使得其各自的中心彼此偏移。
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公开(公告)号：CN101908530A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010198397.1
申请日：2010-06-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置。减小了半导体装置的尺寸。将其中形成有功率MOSFET的半导体芯片放置在其中形成有另一功率MOSFET的半导体芯片之上，并用包封树脂部分将其密封。半导体芯片被布置为使得上半导体芯片不与位于下半导体芯片的栅极焊盘电极正上方的区域重叠。半导体芯片在尺寸上是相同的，并且下半导体芯片和上半导体芯片各自的源极焊盘电极和栅极焊盘电极在形状和布置上是相同的。下半导体芯片和上半导体芯片被布置为使得其各自的中心彼此偏移。
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公开(公告)号：CN110299341A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910486283.8
申请日：2014-06-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/538 , H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/48 , H01L23/552
Abstract: 改进了半导体器件和电子器件支持大电流的性能。发射极端子从密封主体的第一侧边突出，而信号端子从密封主体的第二侧边突出。也即，发射极端子突出的密封主体的侧边与信号端子突出的密封主体的侧边是不同的。更具体地，信号端子从与发射极端子突出的侧边相对的密封主体的侧边突出。此外，包括在其中形成二极管的第二半导体芯片以如此方式安装在芯片安装部分的第一表面之上以使其在平面图中位于发射极端子与包括在其中形成IGBT的第一半导体芯片之间。
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公开(公告)号：CN101866901A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010155948.6
申请日：2010-04-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/495 , H01L21/4828 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/078 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，在树脂密封型半导体封装中，为了防止在用于安装半导体芯片的管芯键合材料中产生裂痕。经由管芯键合材料将半导体芯片安装在管芯焊盘的上表面上，而后利用绝缘树脂进行密封。对管芯焊盘将要与绝缘树脂相接触的顶表面进行表面粗糙化，而不对管芯焊盘的底表面以及外引线部分进行表面粗糙化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106558583B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201610773399.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置，用于提高半导体装置的性能。在半导体芯片(CP1)内形成有功率MOSFET和用于检测功率MOSFET的电流的感测MOSFET，由功率MOSFET用的源极电极(ES1)形成源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)。源极焊盘(PDS1a)是用于输出在功率MOSFET中流动的电流的焊盘，开尔文焊盘(PDK)是用于检测功率MOSFET的源极电位的焊盘。源极电极(ES1)具有狭缝(SL1)，在俯视视角下，狭缝(SL1)的至少一部分配置在源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)之间。
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公开(公告)号：CN104241259A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410265491.2
申请日：2014-06-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L25/11 , H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 改进了半导体器件和电子器件支持大电流的性能。发射极端子从密封主体的第一侧边突出，而信号端子从密封主体的第二侧边突出。也即，发射极端子突出的密封主体的侧边与信号端子突出的密封主体的侧边是不同的。更具体地，信号端子从与发射极端子突出的侧边相对的密封主体的侧边突出。此外，包括在其中形成二极管的第二半导体芯片以如此方式安装在芯片安装部分的第一表面之上以使其在平面图中位于发射极端子与包括在其中形成IGBT的第一半导体芯片之间。
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公开(公告)号：CN110299341B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201910486283.8
申请日：2014-06-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/538 , H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/48 , H01L23/552
Abstract: 改进了半导体器件和电子器件支持大电流的性能。发射极端子从密封主体的第一侧边突出，而信号端子从密封主体的第二侧边突出。也即，发射极端子突出的密封主体的侧边与信号端子突出的密封主体的侧边是不同的。更具体地，信号端子从与发射极端子突出的侧边相对的密封主体的侧边突出。此外，包括在其中形成二极管的第二半导体芯片以如此方式安装在芯片安装部分的第一表面之上以使其在平面图中位于发射极端子与包括在其中形成IGBT的第一半导体芯片之间。
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公开(公告)号：CN106558583A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610773399.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/088
CPC classification number: G01R17/16 , G01R19/0092 , H01L21/823487 , H01L23/535 , H01L27/0207 , H01L27/0251 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/41741 , H01L29/7803 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，用于提高半导体装置的性能。在半导体芯片(CP1)内形成有功率MOSFET和用于检测功率MOSFET的电流的感测MOSFET，由功率MOSFET用的源极电极(ES1)形成源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)。源极焊盘(PDS1a)是用于输出在功率MOSFET中流动的电流的焊盘，开尔文焊盘(PDK)是用于检测功率MOSFET的源极电位的焊盘。源极电极(ES1)具有狭缝(SL1)，在俯视视角下，狭缝(SL1)的至少一部分配置在源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)之间。
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公开(公告)号：CN101866901B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201010155948.6
申请日：2010-04-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/495 , H01L21/4828 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/078 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，在树脂密封型半导体封装中，为了防止在用于安装半导体芯片的管芯键合材料中产生裂痕。经由管芯键合材料将半导体芯片安装在管芯焊盘的上表面上，而后利用绝缘树脂进行密封。对管芯焊盘将要与绝缘树脂相接触的顶表面进行表面粗糙化，而不对管芯焊盘的底表面以及外引线部分进行表面粗糙化。
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