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公开(公告)号：CN119069495A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411069531.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/76 , H04N25/778 , H04N25/17 , H04N25/79
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN118805452A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380025203.3
申请日：2023-03-06
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 根据本发明实施方案的光电转换元件设置有：平行设置的第一电极和第二电极；与所述第一电极和所述第二电极相对设置的第三电极；设置在所述第一电极和所述第二电极与所述第三电极之间的光电转换层；以及设置在所述第一电极和所述第二电极与所述光电转换层之间，并且包括从所述第一电极和第二电极一侧连续层叠的第一层和第二层的半导体层，所述第一层的厚度小于所述第二层的厚度并且为3nm以上且5nm以下。
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公开(公告)号：CN112424939B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/70 , H04N25/76
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN109360835B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201811381399.7
申请日：2014-09-05
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32
Abstract: 一种固态图像传感器，包括：半导体基板，其中为平面设置的多个像素的每一个设置用于将光转换成电荷的光电转换区域；有机光电转换膜，通过绝缘膜层叠在该半导体基板的光照射侧，并且形成在其中形成所述像素的区域；下电极，形成在该有机光电转换膜的半导体基板侧且与该有机光电转换膜接触；第一上电极，层叠在该有机光电转换膜的光照射侧，并且形成为在平面上看该固态图像传感器时使该第一上电极的端部与该有机光电转换膜的端部基本上一致；以及膜应力抑制体，用于抑制膜应力在该有机光电转换膜上的作用，该膜应力产生在该第一上电极上。
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公开(公告)号：CN116686097A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180081142.3
申请日：2021-12-14
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L31/0232
Abstract: 本发明提供了一种功能增强的光电转换元件。光电转换元件包括：半导体基板；第一光电转换部，其设置在所述半导体基板上，检测并光电转换第一波长范围内的光；第二光电转换部，其设置在所述半导体基板内的在所述半导体基板的厚度方向上与第一光电转换部重叠的位置处，检测并光电转换第二波长范围内的光；滤光器，其在所述厚度方向上设置在所述第一光电转换部与所述第二光电转换部之间，并且所述第二波长范围内的光比所述第一波长范围内的光更容易通过所述滤光器；以及第一遮光部件，其沿着与所述厚度方向正交的平面包围所述滤光器以在沿着所述平面的平面方向上至少部分地与所述滤光器重叠，并至少对所述第二波长范围内的光进行遮光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112424939A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H04N5/369 , H04N5/378
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN113875023B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202080035134.0
申请日：2020-06-17
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 提供具有更高功能的光电转换元件。所述光电转换元件包括：第一光电转换器，所述第一光电转换器检测第一波长范围内的光并进行光电转换；第二光电转换器，所述第二光电转换器检测第二波长范围内的光以进行光电转换，并获得物体的距离信息；以及滤光器，所述滤光器设置在所述第一光电转换器与所述第二光电转换器之间，并容易透射第二波长范围内的光而不是第一波长范围内的光。所述第一光电转换器包括层叠结构和电荷累积电极，在所述层叠结构中依次层叠有第一电极、第一光电转换层及第二电极，并且所述电荷累积电极被设置为与所述第一电极分离并且隔着绝缘层与所述第一光电转换层相对。
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公开(公告)号：CN110024128B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201780072818.6
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K30/87 , H10K39/32 , H04N25/76
Abstract: 本公开涉及能够抑制由于大气暴露引起的有机光电转换膜的光电转换特性的变动的固态图像拾取元件、固态图像拾取元件的制造方法和电子设备。所述固态图像拾取元件包括：形成在半导体基板的上侧的光电转换膜；和密封所述光电转换膜的侧面的侧壁。所述侧壁包括在所述侧壁正下方的膜的再沉积膜。本公开可以适用于例如CMOS图像传感器等。
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公开(公告)号：CN109585478B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201811381397.8
申请日：2014-09-05
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H10K30/81
Abstract: 一种固态图像传感器，包括：半导体基板，其中为平面设置的多个像素的每一个设置用于将光转换成电荷的光电转换区域；有机光电转换膜，通过绝缘膜层叠在该半导体基板的光照射侧，并且形成在其中形成所述像素的区域；下电极，形成在该有机光电转换膜的半导体基板侧且与该有机光电转换膜接触；第一上电极，层叠在该有机光电转换膜的光照射侧，并且形成为在平面上看该固态图像传感器时使该第一上电极的端部与该有机光电转换膜的端部基本上一致；以及膜应力抑制体，用于抑制膜应力在该有机光电转换膜上的作用，该膜应力产生在该第一上电极上。
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公开(公告)号：CN116420234A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202180072643.5
申请日：2021-12-03
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供了一种高功能的光电转换元件。该光电转换元件包括：多个第一光电转换部，其在彼此正交的第一方向和第二方向上分别周期性地排列，多个第一光电转换部分别检测第一波长区域中的光并进行光电转换；和一个第二光电转换部，其在与第一方向和第二方向都正交的层叠方向上层叠在第一光电转换部上，所述第二光电转换部检测已经透过多个第一光电转换部的第二波长区域中的光并进行光电转换。多个第一光电转换部在第一方向上的第一排列周期的n倍(n是自然数)与一个第二光电转换部在第一方向上的第一尺寸实质上相等，并且多个第一光电转换部在第二方向上的第二排列周期的n倍(n是自然数)与一个第二光电转换部在第二方向上的第二尺寸实质上相等。
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