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公开(公告)号：CN113875023B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202080035134.0
申请日：2020-06-17
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 提供具有更高功能的光电转换元件。所述光电转换元件包括：第一光电转换器，所述第一光电转换器检测第一波长范围内的光并进行光电转换；第二光电转换器，所述第二光电转换器检测第二波长范围内的光以进行光电转换，并获得物体的距离信息；以及滤光器，所述滤光器设置在所述第一光电转换器与所述第二光电转换器之间，并容易透射第二波长范围内的光而不是第一波长范围内的光。所述第一光电转换器包括层叠结构和电荷累积电极，在所述层叠结构中依次层叠有第一电极、第一光电转换层及第二电极，并且所述电荷累积电极被设置为与所述第一电极分离并且隔着绝缘层与所述第一光电转换层相对。
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公开(公告)号：CN116420234A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202180072643.5
申请日：2021-12-03
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供了一种高功能的光电转换元件。该光电转换元件包括：多个第一光电转换部，其在彼此正交的第一方向和第二方向上分别周期性地排列，多个第一光电转换部分别检测第一波长区域中的光并进行光电转换；和一个第二光电转换部，其在与第一方向和第二方向都正交的层叠方向上层叠在第一光电转换部上，所述第二光电转换部检测已经透过多个第一光电转换部的第二波长区域中的光并进行光电转换。多个第一光电转换部在第一方向上的第一排列周期的n倍(n是自然数)与一个第二光电转换部在第一方向上的第一尺寸实质上相等，并且多个第一光电转换部在第二方向上的第二排列周期的n倍(n是自然数)与一个第二光电转换部在第二方向上的第二尺寸实质上相等。
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公开(公告)号：CN114631189A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080075721.2
申请日：2020-12-03
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/363 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , G01S7/481 , G01S17/08
Abstract: 提供了一种光接收元件，包括：光电转换单元(PD)，其被设置在半导体基板(200)中并将光转换为电荷；第一电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第一电荷累积单元(MEM)；第二电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第二电荷累积单元。第一电荷累积单元和第二电荷累积单元中的每个包括构成叠层的电极(154a)、第一绝缘层和半导体层(102a)。
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公开(公告)号：CN118448429A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410521867.5
申请日：2018-06-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H10K39/32
Abstract: 根据本发明，提供了一种包括像素的光检测装置和电子设备。所述像素包括：第一成像元件；第二成像元件；与所述第二成像元件电连接的第一传输晶体管、第一复位晶体管和第一选择晶体管；第三成像元件；与所述第三成像元件电连接的第二传输晶体管、第二复位晶体管和第二选择晶体管；以及片上微透镜，其中所述第一成像元件包括第一电极、第三电极以及面向所述第一电极和所述第三电极的第二电极，并且所述第一和第二传输晶体管、所述第一和第二复位晶体管以及所述第一和第二选择晶体管中的最小通道长度比所述第三电极与所述第一电极之间的最小距离短。
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公开(公告)号：CN116941040A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280019409.0
申请日：2022-02-22
Applicant: 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种成像设备(1)，包括半导体基板(66)、第一像素阵列(11)、第二像素阵列(12)和控制单元(40)。第一像素阵列(11)设置在半导体基板(66)上并且具有其中按顺序叠层第一电极(77)、光电转换层(79)和第二电极(80)的叠层结构。在第一像素阵列(11)中，二维地布置有用于对包括可见光范围的第一波长范围的光进行光电转换的第一光接收像素(13)。第二像素阵列(12)具有用于对包括红外光范围的第二波长范围的光进行光电转换的第二光接收像素(14)的二维阵列，第二光接收像素(14)被设置在半导体基板(66)的厚度方向上与第一光接收像素(13)重叠的位置处。控制单元(40)基于通过第一像素阵列(11)的光电转换获得的信号来驱动控制第二像素阵列(12)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114616672A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080075661.4
申请日：2020-11-02
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种能够实现进一步提高图像质量的固态成像器件。固态成像器件包括：半导体基板；第一光电转换单元，设置在半导体基板上方且将光转换为电荷；和第二光电转换单元，设置在第一光电转换单元上方且将光转换为电荷。第一光电转换单元和第二光电转换单元均至少包括第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的光电转换膜。第二光电转换单元的第一电极和形成在半导体基板中的电荷积累单元经由至少穿过第一光电转换单元的导电部彼此电连接。导电部的外周的至少一部分布置有绝缘膜部。绝缘膜部包括至少一层的绝缘膜，并且该至少一层的绝缘膜具有与电荷累积单元中累积的电荷相同类型的固定电荷。
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公开(公告)号：CN113875023A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080035134.0
申请日：2020-06-17
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L31/0224 , H01L51/44 , H01L27/146 , H01L27/30 , G01J1/44
Abstract: 提供具有更高功能的光电转换元件。所述光电转换元件包括：第一光电转换器，所述第一光电转换器检测第一波长范围内的光并进行光电转换；第二光电转换器，所述第二光电转换器检测第二波长范围内的光以进行光电转换，并获得物体的距离信息；以及滤光器，所述滤光器设置在所述第一光电转换器与所述第二光电转换器之间，并容易透射第二波长范围内的光而不是第一波长范围内的光。所述第一光电转换器包括层叠结构和电荷累积电极，在所述层叠结构中依次层叠有第一电极、第一光电转换层及第二电极，并且所述电荷累积电极被设置为与所述第一电极分离并且隔着绝缘层与所述第一光电转换层相对。
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公开(公告)号：CN118448430A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410522115.0
申请日：2018-06-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/76
Abstract: 根据本发明，提供了一种包括像素的光检测装置和电子设备。所述像素包括：第一成像元件；与所述第一成像元件电连接的第一浮动扩散层；第二成像元件；与所述第二成像元件电连接的第二浮动扩散层；第三成像元件；与所述第三成像元件电连接的第三浮动扩散层；以及片上微透镜，其中所述第一成像元件包括第一电极、第三电极以及面向所述第一电极和所述第三电极的第二电极，并且将所述第一到第三浮动扩散层的各个中心设置在所述第三电极的内接圆的外侧、所述第三电极的轮廓的外侧或者所述第三电极的外接圆的外侧。
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公开(公告)号：CN111052383B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201880054034.5
申请日：2018-06-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H10K39/32
Abstract: 根据本发明，提供了一种具有像素的固态成像元件，所述像素具有：第一成像元件、第二成像元件、第三成像元件和片上微透镜(90)，其中所述第一成像元件包括第一电极(11)、第三电极(12)和第二电极(16)。所述像素进一步地配置有：连接到所述第三电极(12)的第三电极控制线(VOA)和分别连接到设置在所述第二成像元件和所述第三成像元件中的各种晶体管并且与所述第三电极控制线(VOA)不同的多条控制线(62B)。在所述像素中，设置给所述像素的所述片上微透镜(90)的中心与设置在所述像素中的所述多条控制线(62B)中的一条之间的距离比设置给所述像素的所述片上微透镜(90)的中心与设置给所述像素的所述第三电极控制线(VOA)之间的距离短。
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公开(公告)号：CN114731381A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079786.4
申请日：2020-12-11
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H04N5/3745
Abstract: 在受光装置(1)中，受光元件(10)包括将光转换成电荷的第一光电转换单元(PD)、从第一光电转换单元向其传输电荷的第一电荷累积单元(MEM)、将电荷从第一光电转换单元分配到第一电荷累积单元的第一分配栅极(150)、从第一光电转换单元向其传输电荷的第二电荷累积单元(MEM)和将电荷从第一光电转换单元分配到第二电荷累积单元的第二分配栅极(150)，其中当从半导体基板(200)的上方观察时，第一分配栅极和第二分配栅极设置在相对于第一中心轴彼此呈线对称的位置处，第一中心轴沿着与列方向以预定角度相交的方向延伸通过第一光电转换单元的中心。
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