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公开(公告)号：CN119069495A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411069531.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/76 , H04N25/778 , H04N25/17 , H04N25/79
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN112424939B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/70 , H04N25/76
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN118471994A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410522099.5
申请日：2018-06-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/76
Abstract: 根据本发明，提供了一种包括像素的光检测装置和电子设备。所述像素包括：第一成像元件；第二成像元件；第三成像元件；和片上微透镜，其中所述第一成像元件包括第一电极、第三电极以及面向所述第一电极和所述第三电极的第二电极，所述第三电极为电荷累积电极，并且所述第三电极具有大于所述第三成像元件的面积。
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公开(公告)号：CN118448431A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410522138.1
申请日：2018-06-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H10K39/32
Abstract: 根据本发明，提供了一种包括像素的光检测装置和电子设备。所述像素包括：第一成像元件；第二成像元件；第三成像元件；和片上微透镜，其中电荷累积电极的内接圆的中心与片上微透镜的中心之间的距离(d2)、所述第二成像元件的内接圆的中心与片上微透镜的中心之间的距离(d3)以及第三成像元件的内接圆的中心与片上微透镜的中心之间的距离(d4)中的每一个都比第一电极的内接圆的中心与片上微透镜的中心之间的距离(d5)或者浮动扩散区域的内接圆的中心与片上微透镜的中心之间的距离短。
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公开(公告)号：CN116325163A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180064056.1
申请日：2021-09-15
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明能够提高量子效率。根据本发明的一个实施例的固态成像装置包括布置成矩阵的多个像素(110)，每个像素配备有：第一半导体层(35)，光电转换单元(PD1)，位于所述第一半导体层的第一表面侧；蓄积电极(37)，位于所述第一半导体层中的与所述第一表面相对侧上的第二表面侧附近；配线(61、62、63、64)，所述配线(61、62、63、64)从所述第一半导体层的所述第二表面延伸，浮置扩散区域(FD1)经由所述配线连接到所述第一半导体层，以及位于所述配线附近的第一栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112640108A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980047540.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H04N5/369
Abstract: 本提供一种固态图像传感器(100)，其包括半导体基板(500)、布置在所述半导体基板(500)中并累积电荷的电荷累积器、设置在所述半导体基板(500)上方并将光转换成电荷的光电转换器(200)以及穿过所述半导体基板(500)并将所述电荷累积器与所述光电转换器(200)电连接的贯通电极(600)。在所述贯通电极(600)的在所述光电转换器这一侧的端部处，位于所述贯通电极(600)的中心处的导体(602)在于所述贯通电极(600)的贯通方向正交的切割截面中的横截面面积(602)沿着所述贯通方向朝向所述光电转换器逐渐增大。
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公开(公告)号：CN112424939A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H04N5/369 , H04N5/378
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN110771156A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880039926.8
申请日：2018-06-21
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146 , H01L31/10
Abstract: 一种成像元件设置有光电转换单元，该光电转换单元是通过层叠第一电极11、光电转换层13和第二电极12形成的。该光电转换单元还设置有电荷存储电极14，其与第一电极11分离地布置并且布置成与光电转换层13的相对，且在电荷存储电极14与光电转换层13之间设置有绝缘层82。当光进入光电转换层13并且在光电转换层13中发生光电转换时，施加到光电转换层13的与电荷存储电极14相对的部分13C的电势的绝对值大于施加到光电转换层13的位于成像元件与相邻成像元件之间的区域13B的电势的绝对值。
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公开(公告)号：CN107851607A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680040788.6
申请日：2016-09-28
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 富樫秀晃
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14612 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/14647 , H01L27/14665
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括具有第一侧和第二侧的半导体基板以及配置在所述半导体基板的第一侧的光电转换元件。另外，贯通电极与所述光电转换元件连接，其中所述贯通电极包括导电部和绝缘膜。在所述半导体基板的第一侧的所述半导体基板与所述导电部之间的绝缘膜的厚度不同于在所述半导体基板的第二侧的所述半导体基板与所述导电部之间的绝缘膜的厚度。
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公开(公告)号：CN113875023B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202080035134.0
申请日：2020-06-17
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 提供具有更高功能的光电转换元件。所述光电转换元件包括：第一光电转换器，所述第一光电转换器检测第一波长范围内的光并进行光电转换；第二光电转换器，所述第二光电转换器检测第二波长范围内的光以进行光电转换，并获得物体的距离信息；以及滤光器，所述滤光器设置在所述第一光电转换器与所述第二光电转换器之间，并容易透射第二波长范围内的光而不是第一波长范围内的光。所述第一光电转换器包括层叠结构和电荷累积电极，在所述层叠结构中依次层叠有第一电极、第一光电转换层及第二电极，并且所述电荷累积电极被设置为与所述第一电极分离并且隔着绝缘层与所述第一光电转换层相对。
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