公开(公告)号：KR1020170127938A

公开(公告)日：2017-11-22

申请号：KR1020160058853

申请日：2016-05-13

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 최종화 ,  양경훈 ,  백승민 ,  노인섭 ,  김영준 ,  김남환

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0288

Abstract: 본원발명에따르면, 기판(substrate)에적층된활성층및 광흡수층을식각하기위해식각마스크층을형성시키는단계; 서로이격형성된복수의활성영역이생성되도록, 상기활성층및 광흡수층을식각하는단계; 열처리공정을거치는단계; 표면보호막을적층시키는단계; 상기표면보호막을식각하기위해식각마스크층을형성시키는단계; 상기표면보호막을식각하는단계; 및식각된상기표면보호막의사이에전극을형성시키는단계로이루어지는메사형 InGaAs/InP 포토다이오드의제조방법이제공될수 있다. 본원발명에따르면, 간단한제조공정을통하여낮은암전류특성을가지는메사형 InGaAs/InP 포토다이오드를제조할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：形成刻蚀掩模层，以刻蚀堆叠在衬底上的有源层和光吸收层; 蚀刻活性层和光吸收层，使得产生彼此间隔开的多个活性区域; 受热处理过程的影响; 层压表面保护膜; 形成蚀刻掩模层以蚀刻表面保护层; 蚀刻表面保护膜; 并且在蚀刻的表面保护膜和台面型InGaAs / InP光电二极管之间形成电极。 根据本发明，可以通过简单的制造工艺来制造具有低暗电流特性的台面型InGaAs / InP光电二极管。