公开(公告)号：KR101738939B1

公开(公告)日：2017-05-23

申请号：KR1020160041760

申请日：2016-04-05

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 최종화 ,  양경훈 ,  노인섭 ,  김영준 ,  김남환

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/306 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은감광성반도체소자및 그제조방법에관한것으로, InP 기판(110)의상부에형성한 InGaAs 식각멈춤층(120), InP 전극층(130), InGaAs 활성층(140), InP 덮개층(150)을포함하고, 상기 InP 덮개층(150)에형성한활성화영역(160) 및가드링영역(170,170a)과, 상기 InP 덮개층(150)의상부에형성한표면보호막(180) 및상부전극층(190)을포함한다. 본발명은기존의감광성반도체소자보다개선된크로스토크특성을가지며, 습식식각을통한단일확산공정을통해간단한공정으로가드링영역을제작할수 있는이점이있다.

公开(公告)号：KR1020170127938A

公开(公告)日：2017-11-22

申请号：KR1020160058853

申请日：2016-05-13

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 최종화 ,  양경훈 ,  백승민 ,  노인섭 ,  김영준 ,  김남환

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0288

Abstract: 본원발명에따르면, 기판(substrate)에적층된활성층및 광흡수층을식각하기위해식각마스크층을형성시키는단계; 서로이격형성된복수의활성영역이생성되도록, 상기활성층및 광흡수층을식각하는단계; 열처리공정을거치는단계; 표면보호막을적층시키는단계; 상기표면보호막을식각하기위해식각마스크층을형성시키는단계; 상기표면보호막을식각하는단계; 및식각된상기표면보호막의사이에전극을형성시키는단계로이루어지는메사형 InGaAs/InP 포토다이오드의제조방법이제공될수 있다. 본원발명에따르면, 간단한제조공정을통하여낮은암전류특성을가지는메사형 InGaAs/InP 포토다이오드를제조할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：形成刻蚀掩模层，以刻蚀堆叠在衬底上的有源层和光吸收层; 蚀刻活性层和光吸收层，使得产生彼此间隔开的多个活性区域; 受热处理过程的影响; 层压表面保护膜; 形成蚀刻掩模层以蚀刻表面保护层; 蚀刻表面保护膜; 并且在蚀刻的表面保护膜和台面型InGaAs / InP光电二极管之间形成电极。 根据本发明，可以通过简单的制造工艺来制造具有低暗电流特性的台面型InGaAs / InP光电二极管。

公开(公告)号：KR101766247B1

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：KR1020160050935

申请日：2016-04-26

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 최종화 ,  양경훈 ,  김영준 ,  노인섭

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/109

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/10 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/09 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1868

Abstract: 본원발명에따르면, 기판위에두께방향으로차례로형성되는광 흡수층, 활성층및 표면보호막을포함하는평면형포토다이오드에있어서, 상기활성층은상기광 흡수층및 표면보호막의사이에배치되는활성영역을구비하고, 상기평면형포토다이오드는, 상기활성영역으로부터외부로연결되는메인전극, 및상기활성층또는활성영역의전자가상기활성층및 활성영역이상기표면보호막과접하면서이루는접합면을따라축적되어전자층을형성함으로써누설전류를발생시키는것을감소시키도록, 상기표면보호막상에적층형성되고, 상기활성영역및 활성층의경계면으로부터두께방향상측에위치되며, 상기접합면측에정공(hole)을유도하도록이루어지는정공유도전극을더 구비하는평면형포토다이오드가제공될수 있다.

Abstract translation: 根据本发明，在扁平型光电二极管包括光吸收层，有源层和形成在为了在基板上的厚度方向的保护膜的表面，所述有源层设置有设置在光吸收层和表面保护膜，其中之间的有源区 平面光电二极管，其中，所述主电极，并且有源层或从连接到电子外侧的有源区中的有源区沿着形成，同时与所述有源层和所述有源区的移相器的表面涂层漏电流接触的接合面积累，通过形成电子层 用，以便减少所述生成形成层叠在表面保护膜，是设置在从有源区和有源层的界面处的厚度方向的上侧，图孔（孔）制成多个孔感应电极eulyu键合表面侧 可以提供平面光电二极管。