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公开(公告)号：WO2013069916A1
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：PCT/KR2012/008979
申请日：2012-10-30
Applicant: 국방과학연구소
CPC classification number: G01J5/24 , G01J1/46 , G01J5/20 , G01J2005/0077 , G01J2005/202 , H04N5/3651
Abstract: 본 발명은 적외선 센서의 신호 검출 회로 및 그 회로의 보정방법에 관한 것으로, 본 적외선 센서의 신호 검출 회로는 적외선을 감지하여 신호 전류를 출력하는 볼로미터들이 N×M 형태로 배열된 셀 어레이; 복수 개의 바이어스 레벨에 대응되는 복수 개의 바이어스 전압을 출력하는 레벨 생성기; 상기 셀 어레이의 칼럼(Column) 방향에 위치하여 상기 각 볼로미터들에 각기 다른 바이어스 전압을 공급하는 N개의 저항 불균일 보정회로; 상기 셀 어레이의 로(Row) 방향에 위치하여 상기 각 볼로미터들에 각기 다른 바이어스 전압을 공급하는 M개의 저항 불균일 보정회로; 상기 셀 어레이의 저항 불균일도가 보정되도록 상기 각 저항 불균일 보정회로의 바이어스 전압 레벨을 설정하는 제어부; 및 상기 셀 어레이에서 출력된 상기 신호 전류를 적분하는 N개의 적분기를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 红外线传感器的信号检测电路及其修正方法技术领域本发明涉及红外线传感器的信号检测电路及其校正方法，其特征在于，所述红外线传感器的信号检测电路包括：单元阵列，其中感测红外线和输出信号电流的测辐射热管以N× M格式; 电平发生器，其输出对应于多个偏置电平的多个偏置电压; 位于单元阵列的列方向上的N个电阻器非均匀性校正电路，并向每个测辐射热计提供不同的偏置电压; M电阻非均匀性校正电路，其位于电池阵列的行方向，并向每个测辐射热计提供不同的偏置电压; 控制单元，其设置每个电阻器不均匀性校正电路的偏置电压电平，以校正电阻器阵列的不均匀性; 以及集成了从单元阵列输出的信号电流的N个积分器。
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公开(公告)号：KR101827213B1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：KR1020170079141
申请日：2017-06-22
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0304 , H01L31/18 , G03F7/20 , G03F7/42
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/08 , G03F7/2002 , G03F7/42 , H01L31/0224 , H01L31/02366 , H01L31/03046 , H01L31/1868
Abstract: 본발명은광 검출기소자에관한것으로, 더욱상세하게는단파장적외선대역광 검출기에사용되는감광성반도체소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, Zn SOG(Solar-grade) 확산공정에서사용되는확산방지막의박막스트레스를최소화하여, 종래에비해낮은암전류특성을가지는감광성반도체소자를제조할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020170127938A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020160058853
申请日：2016-05-13
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/10 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/0288
Abstract: 본원발명에따르면, 기판(substrate)에적층된활성층및 광흡수층을식각하기위해식각마스크층을형성시키는단계; 서로이격형성된복수의활성영역이생성되도록, 상기활성층및 광흡수층을식각하는단계; 열처리공정을거치는단계; 표면보호막을적층시키는단계; 상기표면보호막을식각하기위해식각마스크층을형성시키는단계; 상기표면보호막을식각하는단계; 및식각된상기표면보호막의사이에전극을형성시키는단계로이루어지는메사형 InGaAs/InP 포토다이오드의제조방법이제공될수 있다. 본원발명에따르면, 간단한제조공정을통하여낮은암전류특성을가지는메사형 InGaAs/InP 포토다이오드를제조할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：形成刻蚀掩模层，以刻蚀堆叠在衬底上的有源层和光吸收层; 蚀刻活性层和光吸收层，使得产生彼此间隔开的多个活性区域; 受热处理过程的影响; 层压表面保护膜; 形成蚀刻掩模层以蚀刻表面保护层; 蚀刻表面保护膜; 并且在蚀刻的表面保护膜和台面型InGaAs / InP光电二极管之间形成电极。 根据本发明，可以通过简单的制造工艺来制造具有低暗电流特性的台面型InGaAs / InP光电二极管。
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公开(公告)号：KR101274026B1
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：KR1020120139458
申请日：2012-12-04
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/26 , G01J5/024 , G01J5/0853 , H01L27/142
Abstract: PURPOSE: A bolometer infrared sensor with improved uniformity of resistance between processes and a manufacturing method thereof are provided to avoid a change in the performance of a bolometer generated when the specific resistances of the infrared sensors are not identical by a deviation between sensors. CONSTITUTION: A bolometer infrared sensor with improved resistance uniformity between processes comprises a silicon substrate(510), a reflective plate(520), a metal support column(530), a first support layer(550), an absorbing layer(551), a temperature-sensitive resistor(540), a connection leg(542), and a second support layer(560). The silicon substrate includes a signal acquisition circuit. The reflective plate is formed on the silicon substrate and reflects infrared rays. The metal support column is formed on the reflective plate. The first support layer is connected to the metal support column and provides a structure thermally isolated. The absorbing layer is formed on the first support layer, thereby improving an absorption rate of the infrared rays becoming incident. The temperature-sensitive resistor is formed on the absorbing layer, and the resistance thereof is changed when temperature is changed by the infrared rays absorbed by the absorbing layer.
Abstract translation: 目的：提供了具有改进的工艺电阻均匀性的辐射热量计红外传感器及其制造方法，以避免当红外传感器的比电阻不同于传感器之间的偏差时产生的测辐射热表的性能变化。 构造：具有改进的工艺电阻均匀性的测辐射热计红外传感器包括硅衬底（510），反射板（520），金属支撑柱（530），第一支撑层（550），吸收层（551） 温度敏感电阻器（540），连接支脚（542）和第二支撑层（560）。 硅衬底包括信号采集电路。 反射板形成在硅基板上并反射红外线。 金属支撑柱形成在反射板上。 第一支撑层连接到金属支撑柱并提供热隔离的结构。 吸收层形成在第一支撑层上，从而提高红外线入射的吸收率。 感温电阻器形成在吸收层上，并且当由吸收层吸收的红外线改变温度时，其电阻改变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101931345B1
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：KR1020180090901
申请日：2018-08-03
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 적외선 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 회로에 있어서, 선형적으로 증가하는 램프 신호를 생성하는 램프 생성기; 다중 위상 카운터가 출력하는 비트들을 하위(less significant) 비트들로 설정하고, 그레이 코드 카운터가 출력하는 비트들을 상위(more significant) 비트들로 설정하고, 하위 비트들 및 상위 비트들로 구성되는 카운터 코드를 출력하는 카운터; 및 적외선 아날로그 신호 및 램프 신호를 비교하고, 비교 결과에 기초하여 카운터 코드가 갖는 비트값들 중 적외선 아날로그 신호에 대응되는 비트값들을 디지털 신호로서 저장하는 적어도 하나의 칼럼 회로를 포함하는 회로가 제공된다.
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公开(公告)号：KR101738939B1
公开(公告)日：2017-05-23
申请号：KR1020160041760
申请日：2016-04-05
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/10 , H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L21/306 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은감광성반도체소자및 그제조방법에관한것으로, InP 기판(110)의상부에형성한 InGaAs 식각멈춤층(120), InP 전극층(130), InGaAs 활성층(140), InP 덮개층(150)을포함하고, 상기 InP 덮개층(150)에형성한활성화영역(160) 및가드링영역(170,170a)과, 상기 InP 덮개층(150)의상부에형성한표면보호막(180) 및상부전극층(190)을포함한다. 본발명은기존의감광성반도체소자보다개선된크로스토크특성을가지며, 습식식각을통한단일확산공정을통해간단한공정으로가드링영역을제작할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101661576B1
公开(公告)日：2016-09-30
申请号：KR1020150049059
申请日：2015-04-07
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 본발명은볼로미터형태의적외선검출기에서볼로미터저항체의선택적환원을통해형성된볼로미터구조체및 이의제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는금속산화물상태의반도체물질로제조된전기전도도가낮은저항체를고주파(RF) 전원을인가하는백-스퍼터링(back sputtering)법을통해선택적으로환원하여전기적신호전달을위한연결다리로사용함으로써그 제조방법이간편하면서도신호대잡음비가개선된고성능볼로미터구조체를특징적으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过从测辐射热量计类型的红外线检测器中选择性地还原测辐射热计电阻而形成的测辐射热计结构，更具体地说，涉及一种简单的制造方法和通过使用电阻来改善信噪比的高性能测辐射热计结构 具有低导电性，由金属氧化物状态的半导体材料形成，作为施加高频功率的反溅射法选择性地使电阻器脱氧后的电信号传输用连接桥。
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公开(公告)号：KR101158259B1
公开(公告)日：2012-06-19
申请号：KR1020110115234
申请日：2011-11-07
Applicant: 국방과학연구소
CPC classification number: G01J5/24 , G01J1/46 , G01J5/20 , G01J2005/0077 , G01J2005/202 , H04N5/3651
Abstract: PURPOSE: A signal detecting circuit of an infrared ray sensor and a collecting method thereof are provided to minimize a non-uniformity among pixels, to maximize a circuit dynamic range of a temperature of a micro-bolometer FPA(Focal Plane Array), and to obtain detecting characteristics by improving an amplification factor. CONSTITUTION: A signal detecting circuit of an infrared ray sensor comprises a cell array(120), a level generator(140), a resistance non-uniformity correction circuits(150) of N, a resistance non-uniformity correction circuits(125) of M, a controller(115), and an integrator. Bolometer outputting a signal current by detecting infrared rays is arranged in the cell array. The level generator outputs a plurality of bias voltages corresponding to a plurality of bias levels. The resistance non-uniformity correction circuits of N are arranged in a column direction of the cell array, thereby supplying the bias voltages different to each other to the each bolometer. The resistance non-uniformity correction circuits of M are arranged in a row direction of the cell array, thereby supplying the bias voltages different to each other to the each bolometer. The controller sets bias voltage levels of the each resistance non-uniformity correction circuits so that the resistance non-uniformity of the cell array is corrected. The integrator integrates the signal current outputted from the cell array.
Abstract translation: 目的：提供红外线传感器的信号检测电路及其采集方法，以最小化像素之间的不均匀性，以使微测辐射热计FPA（焦平面阵列）的温度的电路动态范围最大化，以及 通过改善放大系数获得检测特性。 构成：红外线传感器的信号检测电路包括电池阵列（120），电平发生器（140），N的电阻不均匀性校正电路（150），电阻不均匀性校正电路（125）， M，控制器（115）和积分器。 通过检测红外线来输出信号电流的测热仪被布置在电池阵列中。 电平发生器输出对应于多个偏置电平的多个偏置电压。 N的电阻不均匀性校正电路被布置在单元阵列的列方向上，从而向每个测辐射热量计提供彼此不同的偏压。 M的电阻不均匀性校正电路被布置在单元阵列的行方向上，从而将各偏压电压彼此不同地提供给每个测辐射热计。 控制器设置每个电阻非均匀性校正电路的偏置电压电平，使得校正电池阵列的电阻不均匀性。 积分器对从单元阵列输出的信号电流进行积分。
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公开(公告)号：KR101807420B1
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：KR1020160113373
申请日：2016-09-02
Applicant: 국방과학연구소
CPC classification number: H01L2224/73204 , H01L2924/10155
Abstract: 본발명은반도체패키지에관한것으로, 보다상세하게는음각으로홈이파인트렌치가형성된인쇄회로기판또는반도체칩을적용함으로써, 언더필공정시 언더필물질의유입속도를조절하고공기층형성을방지하여보다높은품질및 신뢰성을갖는반도체패키지에관한것이다. 본발명은인쇄회로기판과반도체칩이솔더범프를사이에두고플립칩본딩을이루고, 상기솔더범프에의해형성된본딩갭에언더필물질이충진되는반도체패키지에있어서, 상기인쇄회로기판또는상기반도체칩은상기플립칩본딩이이루어지는면에상기면의가장자리를따라음각으로홈이파인트렌치가형성된것을특징으로한다.
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