公开(公告)号：KR1020160119709A

公开(公告)日：2016-10-14

申请号：KR1020160040957

申请日：2016-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가토모유 ,  이시타류우 ,  다무라다이스케 ,  고이와고우스케

IPC: H01L21/3213 ,  H01L27/115 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/32137 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32816 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: [과제] 실리콘산화막및 실리콘질화막이교대로적층된제1 영역, 및제1 영역의실리콘산화막의막두께보다큰 막두께를갖는실리콘산화막을갖는제2 영역을동시에에칭하는방법을제공한다. [해결수단] 일실시형태의방법에서는, 플라즈마처리장치의처리용기내에서플루오로카본가스, 하이드로플루오로카본가스및 산소가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마가생성된다. 이어서, 처리용기내에서, 플루오로카본가스, 하이드로플루오로카본가스, 산소가스및 할로겐함유가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마가생성된다. 이어서, 처리용기내에서, 산소가스를포함하는제3 처리가스의플라즈마가생성된다.

Abstract translation: 提供了一种用于同时蚀刻工件的第一和第二区域的蚀刻方法。 第一区域具有通过交替层叠氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜，第二区域具有比第一区域中的氧化硅膜的膜厚大的氧化硅膜。 在工件上设置掩模以至少部分地暴露第一和第二区域中的每一个。 在蚀刻方法中，在等离子体处理装置的处理容器内产生含有碳氟化合物气体，氢氟烃气体和氧气的第一处理气体的等离子体。 随后，在处理容器内产生含有碳氟化合物气体，氢氟烃气体，氧气和含卤素气体的第二处理气体的等离子体。 随后，在处理容器内产生含有氧气的第三处理气体的等离子体。

公开(公告)号：KR101903845B1

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：KR1020160040957

申请日：2016-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가토모유 ,  이시타류우 ,  다무라다이스케 ,  고이와고우스케

IPC: H01L21/3213 ,  H01L27/115 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: [과제] 실리콘산화막및 실리콘질화막이교대로적층된제1 영역, 및제1 영역의실리콘산화막의막두께보다큰 막두께를갖는실리콘산화막을갖는제2 영역을동시에에칭하는방법을제공한다. [해결수단] 일실시형태의방법에서는, 플라즈마처리장치의처리용기내에서플루오로카본가스, 하이드로플루오로카본가스및 산소가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마가생성된다. 이어서, 처리용기내에서, 플루오로카본가스, 하이드로플루오로카본가스, 산소가스및 할로겐함유가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마가생성된다. 이어서, 처리용기내에서, 산소가스를포함하는제3 처리가스의플라즈마가생성된다.