公开(公告)号：KR1020100019469A

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：KR1020097024919

申请日：2008-06-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  고바야시다카시 ,  시오자와도시히코 ,  다무라다이스케

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H05H1/46

Abstract: In a micro wave plasma processing device (100), plasma of a processing gas is formed in a chamber (1) by a micro wave which has been emitted from a micro wave emission hole (32) of a planar antenna (31) and transmitted through a micro wave transmitting plate (28). Plasma processing is performed by the plasma on a work (W) placed on a table (2). The micro wave transmitting plate (28) has a concave/convex section (42) at a part of the micro wave transmitting plane corresponding to a peripheral portion of the work and a flat section (43) at a part corresponding to the center portion of the work (W).

Abstract translation: 在微波等离子体处理装置（100）中，通过从平面天线（31）的微波发射孔（32）发射的微波在室（1）中形成处理气体的等离子体，并传输 通过微波传输板（28）。 等离子体处理由放置在工作台（2）上的工件（W）上的等离子体进行。 微波传输板（28）在与工件的周边部分相对应的微波透射平面的一部分处具有凹凸部（42），在与该工件的周边部分对应的部分处具有平坦部（43） 工作（W）。

公开(公告)号：KR1020150072342A

公开(公告)日：2015-06-29

申请号：KR1020140178468

申请日：2014-12-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카야마와타루 ,  마츠야마쇼이치로 ,  노가미스스무 ,  다무라다이스케 ,  하야시교스케 ,  가와노베준

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11582

Abstract: [과제] 다층막에형성되는홀과같은깊은스페이스의수직성을개선한다. [해결수단] 상호상이한유전율을갖고, 또한교대로적층된제1 막및 제2 막을포함하는다층막을, 플라즈마처리장치의처리용기내에서, 마스크를개재하여에칭하는반도체장치의제조방법이제공된다. 이방법은 (a) O가스혹은 N가스, 및희가스를포함하는제1 가스를상기처리용기내에공급하여, 그제1 가스를여기시키는공정과, (b) 플루오로카본가스또는플루오로하이드로카본가스를포함하는제2 가스를상기처리용기내에공급하여, 그제2 가스를여기시키는공정과, (c) HBr 가스, 불소함유가스, 및플루오로카본가스혹은플루오로하이드로카본가스를포함하는제3 가스를상기처리용기내에공급하여, 그제3 가스를여기시키는공정을포함하는시퀀스가반복해서실행된다.

Abstract translation: 本发明是为了改善诸如形成在多个膜中的孔的深空间的垂直度。 本发明提供一种半导体器件的制造方法，该半导体器件蚀刻包括具有不同介电常数的第一膜和第二膜的多个膜，并且通过在用于处理等离子体处理器件的容器中插入掩模而交替布置。 该方法包括以下处理：（a）向处理容器供给包括O_2气体或N_2气体的第一气体和稀释气体，并搅拌第一气体; （b）将包括碳氟化合物气体或氟代烃气体的第二气体供应到处理容器中，并搅拌第二气体; 和（c）将包括HBr气体，含氟化物气体和碳氟化合物气体或氟代烃气体的第三气体供应到处理容器中，并搅拌第三气体。 重复实现包括该过程的序列。

公开(公告)号：KR1020160119709A

公开(公告)日：2016-10-14

申请号：KR1020160040957

申请日：2016-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가토모유 ,  이시타류우 ,  다무라다이스케 ,  고이와고우스케

IPC: H01L21/3213 ,  H01L27/115 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/32137 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32816 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: [과제] 실리콘산화막및 실리콘질화막이교대로적층된제1 영역, 및제1 영역의실리콘산화막의막두께보다큰 막두께를갖는실리콘산화막을갖는제2 영역을동시에에칭하는방법을제공한다. [해결수단] 일실시형태의방법에서는, 플라즈마처리장치의처리용기내에서플루오로카본가스, 하이드로플루오로카본가스및 산소가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마가생성된다. 이어서, 처리용기내에서, 플루오로카본가스, 하이드로플루오로카본가스, 산소가스및 할로겐함유가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마가생성된다. 이어서, 처리용기내에서, 산소가스를포함하는제3 처리가스의플라즈마가생성된다.

Abstract translation: 提供了一种用于同时蚀刻工件的第一和第二区域的蚀刻方法。 第一区域具有通过交替层叠氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜，第二区域具有比第一区域中的氧化硅膜的膜厚大的氧化硅膜。 在工件上设置掩模以至少部分地暴露第一和第二区域中的每一个。 在蚀刻方法中，在等离子体处理装置的处理容器内产生含有碳氟化合物气体，氢氟烃气体和氧气的第一处理气体的等离子体。 随后，在处理容器内产生含有碳氟化合物气体，氢氟烃气体，氧气和含卤素气体的第二处理气体的等离子体。 随后，在处理容器内产生含有氧气的第三处理气体的等离子体。

公开(公告)号：KR101432415B1

公开(公告)日：2014-09-22

申请号：KR1020127028430

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카츠키고이치 ,  야마자키가즈요시 ,  노구치히데유키 ,  다무라다이스케 ,  사이토도모히로

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0234

Abstract: 플라즈마 질화 처리 장치(100)의 처리 용기(1)에, 질소 가스와 희가스를 포함하는 처리 가스의 유량을, 처리 용기의 용적 1Ｌ당 처리 가스의 합계 유량[mL/min(sccm)]으로 하여 1.5(mL/min)/Ｌ 이상 13(mL/min)/Ｌ 이하의 범위 내로 되도록 도입하고, 상기 처리 용기 내에 질소 함유 플라즈마를 생성시켜, 웨이퍼(W)를 교환하면서 연속해서 질화 처리한다. 질소 가스와 희가스의 체적 유량비(질소 가스/희가스)는 0.05 이상 0.8 이하의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR101903845B1

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：KR1020160040957

申请日：2016-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가토모유 ,  이시타류우 ,  다무라다이스케 ,  고이와고우스케

IPC: H01L21/3213 ,  H01L27/115 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: [과제] 실리콘산화막및 실리콘질화막이교대로적층된제1 영역, 및제1 영역의실리콘산화막의막두께보다큰 막두께를갖는실리콘산화막을갖는제2 영역을동시에에칭하는방법을제공한다. [해결수단] 일실시형태의방법에서는, 플라즈마처리장치의처리용기내에서플루오로카본가스, 하이드로플루오로카본가스및 산소가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마가생성된다. 이어서, 처리용기내에서, 플루오로카본가스, 하이드로플루오로카본가스, 산소가스및 할로겐함유가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마가생성된다. 이어서, 처리용기내에서, 산소가스를포함하는제3 처리가스의플라즈마가생성된다.

公开(公告)号：KR1020130018822A

公开(公告)日：2013-02-25

申请号：KR1020127028430

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카츠키고이치 ,  야마자키가즈요시 ,  노구치히데유키 ,  다무라다이스케 ,  사이토도모히로

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0234

Abstract: 플라즈마 질화 처리 장치(100)의 처리 용기(1)에, 질소 가스와 희가스를 포함하는 처리 가스의 유량을, 처리 용기의 용적 1Ｌ당 처리 가스의 합계 유량[mL/min(sccm)]으로 하여 1.5(mL/min)/Ｌ 이상 13(mL/min)/Ｌ 이하의 범위 내로 되도록 도입하고, 상기 처리 용기 내에 질소 함유 플라즈마를 생성시켜, 웨이퍼(W)를 교환하면서 연속해서 질화 처리한다. 질소 가스와 희가스의 체적 유량비(질소 가스/희가스)는 0.05 이상 0.8 이하의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.