公开(公告)号：KR100700763B1

公开(公告)日：2007-03-27

申请号：KR1020027004694

申请日：2000-10-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  유아사미쓰히로 ,  와타나베가즈요시 ,  시마다준이치

IPC: H01L21/00

Abstract: 100㎒ 이상의 고주파전력을 공급하는 경우라도, 대형화를 초래하지 않고, 정합시간이 길어지지 않아, 고주파부하의 임피던스를 전송로 임피던스에 충분히 정합시킬 수 있는 정합기 및 그것을 사용한 플라즈마처리장치를 제공하는 것이다.
정합기(41)는, 고주파전원(40)으로부터의 고주파에너지를 플라즈마 생성전극 (21)으로 전송하는 공진막대(61)와, 공진막대(61) 및 전극(21)에 직렬로 접속되어 임피던스 복소수의 허수부를 조정하는 가변콘덴서(62)와, 공진막대(61)의 외부에 설치되어 접지된 하우징(63)과, 공진막대(61)로 고주파에너지를 여기시키고 또 임피던스 복소수의 실수부를 조정하는 링크코일(64)과, 고주파전원(40)으로부터 플라즈마를 통해 접지에 달할 때까지의 사이에 정합상태로 직렬공진회로를 구성하도록 가변콘덴서(62)및 링크코일(64)의 구동부를 제어하는 제어기(69)를 구비한다.

Abstract translation: 当提供超过100㎒任何高频功率，而不会造成大的尺寸，匹配时间不再支持，以提供匹配的装置，其能够在传输线到高频负载的阻抗的阻抗基本上匹配并使用相同的等离子体处理装置 。

公开(公告)号：KR1020040073355A

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：KR1020040009005

申请日：2004-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  신덴겐코교 가부시키가이샤

Inventor： 하야미도시히로 ,  이와사키마사히데 ,  다카히라준이치 ,  와타나베가즈요시 ,  고마츠신이치 ,  사사키유이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to guarantee repeatability and reliability of a process by securely preventing resonance of harmonics from plasma on a transmission line for transmitting high-frequency power of VHF(very high frequency) band. CONSTITUTION: A process receptacle(10) is prepared whose inside can be decompressed. The first electrode is installed in the process receptacle. A process gas supplying unit supplies process gas to the inside of the process receptacle. A high frequency power part outputs high frequency power(40) with a frequency of VHF band. A matching unit performs an impedance matching, electrically connected to the high frequency power part and the first electrode. High frequency power is transmitted from the high frequency power part to the matching unit by a transmission line. A substrate to be process can be disposed in the process receptacle, and a plasma treatment is performed on the corresponding substrate to be processed by using plasma generated by the high frequency power transmitted to the first electrode. The transmission line is shorter than a minimum length by which a resonance state of the third harmonic of the high frequency power can occur.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以通过可靠地防止用于传输VHF（非常高频率）频带的高频功率的传输线上的等离子体的谐波的谐振来保证工艺的重复性和可靠性。 构成：制备其内部可以减压的过程容器（10）。 第一个电极安装在工艺容器中。 处理气体供给单元向处理容器的内部供给处理气体。 高频功率部分以VHF频带的频率输出高频功率（40）。 匹配单元执行阻抗匹配，电连接到高频功率部分和第一电极。 高频功率通过传输线从高频功率部分发送到匹配单元。 要处理的基板可以设置在处理容器中，并且通过使用通过传输到第一电极的高频功率产生的等离子体对待处理的相应基板进行等离子体处理。 传输线比通过其发生高频功率的三次谐波的共振状态的最小长度短。

公开(公告)号：KR100539095B1

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：KR1020040009005

申请日：2004-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  신덴겐코교 가부시키가이샤

Inventor： 하야미도시히로 ,  이와사키마사히데 ,  다카히라준이치 ,  와타나베가즈요시 ,  고마츠신이치 ,  사사키유이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082

Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 내부가 감압 가능한 처리용기와, 상기 처리용기 내에 배치된 제1전극, 상기 처리용기 내에 처리가스를 공급하기 위한 처리가스 공급수단, VHF대의 주파수를 갖는 고주파전력을 출력하는 고주파 전원부, 상기 고주파 전원부와 상기 제1전극에 전기적으로는 피처리기판이 배치 가능하고, 상기 제1전극에 전송되는 상기 고주파전력에 의해 발생하는 플라즈마에 의해, 당해 피처리기판에 플라즈마 처리를 실시하는 것이 가능하게 되어 있다. 상기 전송선로는, 상기 고주파전력의 제3고조파의 공진상태가 발생할 수 있는 최단의 길이 보다도 짧다.

公开(公告)号：KR1020020047229A

公开(公告)日：2002-06-21

申请号：KR1020027004694

申请日：2000-10-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  유아사미쓰히로 ,  와타나베가즈요시 ,  시마다준이치

IPC: H01L21/00

Abstract: 100㎒ 이상의 고주파전력을 공급하는 경우라도, 대형화를 초래하지 않고, 정합시간이 길어지지 않아, 고주파부하의 임피던스를 전송로 임피던스에 충분히 정합시킬 수 있는 정합기 및 그것을 사용한 플라즈마처리장치를 제공하는 것이다.
정합기(41)는, 고주파전원(40)으로부터의 고주파에너지를 플라즈마 생성전극 (21)으로 전송하는 공진막대(61)와, 공진막대(61) 및 전극(21)에 직렬로 접속되어 임피던스 복소수의 허수부를 조정하는 가변콘덴서(62)와, 공진막대(61)의 외부에 설치되어 접지된 하우징(63)과, 공진막대(61)로 고주파에너지를 여기시키고 또 임피던스 복소수의 실수부를 조정하는 링크코일(64)과, 고주파전원(40)으로부터 플라즈마를 통해 접지에 달할 때까지의 사이에 정합상태로 직렬공진회로를 구성하도록 가변콘덴서(62)및 링크코일(64)의 구동부를 제어하는 제어기(69)를 구비한다.