-
公开(公告)号：KR1020170042489A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：KR1020160129760
申请日：2016-10-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/67
CPC classification number: H01J37/32669 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/67069
Abstract: [과제] 본발명은직경방향의막의에칭률의분포의제어성을높이는것을목적으로한다. [해결수단] 일실시형태에따른플라즈마에칭방법에서는, 용량결합형플라즈마처리장치의배치대상에배치된피처리체의단일의막에대한플라즈마에칭을위해서, 처리가스의플라즈마가생성된다. 상기플라즈마가생성되고있는기간에있어서, 중심축선에대해직경방향에있어서의단일의막의에칭률의분포를변화시키도록, 플라즈마처리장치의상부전극위의복수의전자석의코일에공급되는전류가제어된다.
Abstract translation: 本发明的目的在于改善膜的蚀刻速率沿径向分布的可控性。 解决问题的手段在根据一个实施方式的等离子体蚀刻方法中，产生处理气体的等离子体，用于等离子体蚀刻放置在电容耦合等离子体处理设备的物体中的待处理物体的单个膜。 向等离子体处理装置的上部电极上的多个电磁铁的线圈供给的电流被控制为，在产生等离子体的期间内，改变单一膜相对于中心轴的半径方向的蚀刻速度的分布 是的。
-
公开(公告)号：KR101690326B1
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：KR1020100020152
申请日：2010-03-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3255 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32577
Abstract: 플라즈마생성에소비되는고주파의전계강도분포를제어한다. 플라즈마에칭장치(10)는, 내부에서웨이퍼(W)를플라즈마처리하는처리용기(100)와, 처리용기(100)의내부에서서로대향하고, 그사이에처리공간을형성하는상부전극(105) 및하부전극(110)과, 상부전극(105) 및하부전극(110) 중적어도하나에접속되고, 처리용기(100)의내부에고주파전력을출력하는고주파전원(150)를갖는다. 상부전극(105) 및하부전극(110) 중적어도하나에는, 판형상의유전체로이루어진기재(105a)와, 개구부를갖고, 기재(105a)를덮는도전성커버(105b)와, 기재(105a)와플라즈마의사이에마련된금속의저항체(105d)를포함한다.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括处理室，其中目标物体由等离子体处理，第一和第二电极设置在处理室中以彼此面对并具有其间的处理空间;以及高频电源， 连接到第一和第二电极中的至少一个，以向处理室提供高频电力。 并且第一和第二电极中的至少一个包括由板状电介质材料形成的基底和由金属形成并设置在基底和等离子体之间的电阻器。
-
公开(公告)号：KR1020120042775A
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：KR1020120011804
申请日：2012-02-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to improve the stability and reliability of a plasma process by efficiently preventing the generation of charging damage. CONSTITUTION: An upper electrode(38) and a bottom electrode(12) are arranged in parallel facing each other in a processing container(10) which is vacuum exhaustible. A first radio frequency is applied to the bottom electrode passing through a first adapter(34) rather than a first radio frequency power(32). A controller(68) controls the first radio frequency power. A first period has first amplitude in which the first radio frequency contributing to plasma generation produces plasma. A second period has second amplitude in which the plasma is materially not produced. The first and second periods are alternatively repeated at a certain cycle.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，通过有效地防止产生充电损伤来提高等离子体工艺的稳定性和可靠性。 构成：在真空可耗尽的处理容器（10）中，上部电极（38）和下部电极（12）相互平行地排列。 第一射频被施加到穿过第一适配器（34）而不是第一射频功率（32）的底部电极。 控制器（68）控制第一射频功率。 第一时段具有第一幅度，其中有助于等离子体产生的第一射频产生等离子体。 第二时段具有第二幅度，其中等离子体实质上不产生。 交替地，在一个周期重复第一和第二周期。
-
公开(公告)号：KR100924845B1
公开(公告)日：2009-11-02
申请号：KR1020070080295
申请日：2007-08-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 피처리 기판의 중앙부에서의 플라즈마의 전계 강도를 낮추고, 이에 따라 플라즈마 처리의 면내 균일성을 향상시키는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치용 탑재대 및, 이 탑재대를 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
플라즈마 처리 장치(2)용 탑재대(3)는, 플라즈마 생성용 등의 하부 전극(31)을 겸하는 도전체 부재와, 이 도전체 부재의 상면 중앙부를 덮도록 마련되고, 피처리 기판(웨이퍼 W)을 통하여 플라즈마에 인가하는 고주파 전계를 균일하게 하기 위한 유전체층(32)과, 이 유전체층(32)에 적층되고, 정전 척용 전극막(35)이 매설된 정전 척(33)을 구비하고 있다. 여기서, 전극막(35)은 δ／z≥1,000(z ; 전극막(35)의 두께, δ ; 고주파 전원(61a)으로부터 공급되는 고주파 전력에 대한 전극막(35)의 표피 깊이(skin depth))의 조건을 만족하고 있다.-
公开(公告)号：KR100554645B1
公开(公告)日：2006-02-24
申请号：KR1020047008215
申请日：2002-11-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/18
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J2237/2001 , H01L21/67069
Abstract: 열전달 가스의 방전을 막고 또한 피 처리체의 온도 제어를 높은 정밀도로 실행하는 것이 가능한 처리 장치를 제공한다. 기밀한 처리 용기(102)내에 대향하여 설치된 1쌍의 전극 중 하부 전극(110)에 고주파 전력을 인가하고, 전극 사이에 도입된 처리 가스를 플라즈마화하여, 피 처리체 표면에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서, 피 처리체를 흡착 유지하는 정전척(112)과 피 처리체와의 사이의 미소 공간(S)에 피 처리체를 소정의 온도로 제어하기 위한 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급부(120)를 전극에 공급되는 고주파 전력에 의해서 생기는 전계 방향에 대하여 경사시킨 열전달 가스 공급관(162) 및 열전달 가스 공급관용 코마부(164)로 구성한다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020030066759A
公开(公告)日：2003-08-09
申请号：KR1020037008581
申请日：2001-12-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32623 , H01J37/32642
Abstract: 플라즈마 처리 장치는 처리용기(11) 내에 서로 평행하게 배치된 한 쌍의 전극(12, 13)을 구비하고, 한쪽의 전극(12) 상에 피처리체(8)를 유지하고, 또한, 당해 전극(12)에 피처리체를 둘러싸는 포커스링(17)이 마련되어 있다. 이 장치의 전극에 고주파 전력을 인가함으로써 한 쌍의 전극간에 플라즈마를 발생시키고, 이 플라즈마에 의해서 피처리체를 처리하는 플라즈마 처리 방법은 다음과 같이 행해진다. 우선, 일정한 재료, 치수 및 형상의 포커스링을 이용하여 일정 처리 조건 하에서 플라즈마 처리를 행한다. 다음으로, 이 플라즈마 처리의 결과에 근거하여, 피처리체의 외주측의 처리 레이트가 중심측의 처리 레이트보다도 낮은(높은) 경우에는, 그 정도에 따라서, 포커스링의 임피던스 및/또는 비유전율을 증대(저하)시키도록, 재료, 치수 및 형상 중 적어도 하나를 변경한 새로운 포커스링을 준비한다. 그리고, 준비된 새로운 포커스링을 이용하여 동일 처리 조건 하에서 플라즈마 처리를 행한다.
Abstract translation: 等离子体处理器包括平行设置在处理容器（11）中并在一个电极（12）上保持工件（8）的一对电极（12,13），该电极（12）设有聚焦环（17） ）围绕工件。 通过向该处理器的电极施加高频电力而使该对电极产生等离子体。 用这种等离子体处理工件的等离子体处理方法如下进行。 首先，恒定的材料，尺寸和形状的聚焦环用于恒定处理条件下的等离子体处理。 根据这种等离子体处理的结果，如果工件周边的处理速率低于（高于）中心，则另一个至少具有一种材料属性，尺寸和形状的聚焦环被修改为 根据处理速率的差异程度来增加（降低）聚焦环的阻抗和/或相对介电常数。 准备好的对焦环用于相同加工条件下的等离子体处理。
-
公开(公告)号：KR1020020095215A
公开(公告)日：2002-12-20
申请号：KR1020027013885
申请日：2001-04-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/34
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32532
Abstract: A plasma processing apparatus for plasma processing using a high-density plasma and adaptable to finer microfabrication comprise an electrode plate provided with an upper electrode having a dielectric member or a cavity and a lower electrode serving as a susceptor and opposed to the upper electrode. The size and dielectric constant of the dielectric member are determined so that resonance may be caused by the frequency of high-frequency power fed to the central portion of the back of the electrode and that the electric field is perpendicular to the electrode plate may be produced so as to reduce the uneveness of the distribution of the electric field over the top surface of the electrode.
Abstract translation: 一种使用高密度等离子体等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，具有具有电介质部件或空腔的上部电极的电极板和作为基座的下部电极，与上部电极相对。 确定电介质构件的尺寸和介电常数，使得可以由馈送到电极背部的中心部分的高频电力的频率引起共振，并且可能产生与电极板垂直的电场 以减少在电极顶表面上的电场分布的不均匀性。
-
公开(公告)号：KR1020020047229A
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：KR1020027004694
申请日：2000-10-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 100㎒ 이상의 고주파전력을 공급하는 경우라도, 대형화를 초래하지 않고, 정합시간이 길어지지 않아, 고주파부하의 임피던스를 전송로 임피던스에 충분히 정합시킬 수 있는 정합기 및 그것을 사용한 플라즈마처리장치를 제공하는 것이다.
정합기(41)는, 고주파전원(40)으로부터의 고주파에너지를 플라즈마 생성전극 (21)으로 전송하는 공진막대(61)와, 공진막대(61) 및 전극(21)에 직렬로 접속되어 임피던스 복소수의 허수부를 조정하는 가변콘덴서(62)와, 공진막대(61)의 외부에 설치되어 접지된 하우징(63)과, 공진막대(61)로 고주파에너지를 여기시키고 또 임피던스 복소수의 실수부를 조정하는 링크코일(64)과, 고주파전원(40)으로부터 플라즈마를 통해 접지에 달할 때까지의 사이에 정합상태로 직렬공진회로를 구성하도록 가변콘덴서(62)및 링크코일(64)의 구동부를 제어하는 제어기(69)를 구비한다.-
公开(公告)号：KR101677239B1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：KR1020100073806
申请日：2010-07-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 히모리신지
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32715
Abstract: 장치의제조비용의증대를억제할수 있고또한, 플라즈마처리상태의미세한제어를행할수 있어플라즈마처리의면내균일성의향상을도모할수 있는플라즈마처리장치및 플라즈마처리방법을제공한다. 기판이재치되는재치대를겸한하부전극과, 하부전극과대향하도록배치된상부전극과, 하부전극또는상부전극에플라즈마생성용의제 1 주파수의고주파전력을인가하기위한제 1 고주파전원과, 하부전극에제 1 주파수보다주파수가낮은이온인입용의제 2 주파수의고주파전력을인가하기위한제 2 고주파전원과, 하부전극과절연된상태로당해하부전극상의적어도주연부에설치된바이어스분포제어용전극과, 바이어스분포제어용전극에제 2 주파수보다주파수가낮은제 3 주파수의교류또는직사각형파의전압을인가하기위한바이어스분포제어용전원을구비한다.
-
公开(公告)号：KR101638746B1
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020150144283
申请日：2015-10-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L21/02 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 본발명은, 전극상의기판의전압변화를효과적으로억제하고, 기판에입사하는이온의입사에너지의변동을억제한기판처리장치및 기판처리방법을얻는것을과제로한다. 그해결수단으로서, 기판처리장치는, 기판을주면에유지하는제 1 전극과, 제 1 전극에대향하는제 2 전극과, 제 1 전극에대하여주파수가 40㎒이상인 RF 전압을인가하는 RF 전원과, RF 전압에중첩하여, 시간의경과에대응하여전압이저하하는펄스전압을제 1 전극에인가하는펄스전압인가부를구비한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
57
records
(took 0.025 seconds)
