公开(公告)号：KR1020160088855A

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：KR1020167008370

申请日：2014-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토미츠루 ,  소네다카시 ,  니시무라에이이치 ,  시모다게이이치

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H05H1/46

Abstract: 피처리체의피에칭층을에칭하는방법이제공된다. 피처리체는피에칭층위에마스크를가지고있다. 피에칭층및 마스크는아르곤의원자번호보다도큰 원자번호를가지는희가스의플라즈마에의한에칭효율이, 아르곤가스의플라즈마에의한에칭효율보다도높은재료로구성되어있다. 또, 마스크는피에칭층의융점보다도높은융점을가지는재료로구성되어있다. 이와같은피처리체에대해서, 본방법은아르곤의원자번호보다도큰 원자번호를가지는제1 희가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마에상기피처리체를노출하는공정(a)과, 아르곤의원자번호보다도작은원자번호를가지는제2 희가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마에상기피처리체를노출하는공정(b)을포함한다.

Abstract translation: 提供了蚀刻工件的蚀刻目标层的方法。 工件在蚀刻目标层上具有掩模。 蚀刻目标层和掩模由各自的原料数量大于氩原子数的稀有气体的等离子体的蚀刻效率高于氩气等离子体的材料的蚀刻效率的材料形成。 掩模由熔点高于蚀刻目标层的材料形成。 该方法包括（a）将工件暴露于含有原子序数大于氩原子数的第一稀有气体的第一工艺气体的等离子体，和（b）将工件暴露于含有 具有原子序数小于氩原子数的第二稀有气体。

公开(公告)号：KR1020140068131A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020147008588

申请日：2012-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토미츠루 ,  코아키테루 ,  울루알라인

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/32137

Abstract: 기판을 패터닝하는 방법이 기재된다. 방법은 플라즈마 프로세싱 시스템에 대한 기준 에칭 프로세스 조건을 확립하는 단계를 포함한다. 방법은, 기판 상의 하나 이상의 층에 특징부 패턴을 형성하도록, 플라즈마 프로세싱 시스템에서 적어도 하나의 플라즈마 에칭 프로세스를 사용하여 마스크 층에 형성된 마스크 패턴을 하나 이상의 층에 전사하는 단계, 및 전사하는 단계에 이어서, 기준 에칭 프로세스 조건을 실질적으로 복구하도록 다단계 건식 세정 프로세스를 수행하는 단계를 더 포함한다. 또한, 다단계 건식 세정 프로세스는, 산소 함유 가스를 함유하는 제1 건식 세정 프로세스 조성으로부터 형성된 플라즈마를 사용하여 제1 건식 세정 프로세스 단계를 수행하는 단계와, 할로겐 함유 가스를 함유하는 제2 건식 세정 프로세스 조성으로부터 형성된 플라즈마를 사용하여 제2 건식 세정 프로세스 단계를 수행하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR102257855B1

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：KR1020167008370

申请日：2014-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토미츠루 ,  소네다카시 ,  니시무라에이이치 ,  시모다게이이치

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02

Abstract: 피처리체의피에칭층을에칭하는방법이제공된다. 피처리체는피에칭층위에마스크를가지고있다. 피에칭층및 마스크는아르곤의원자번호보다도큰 원자번호를가지는희가스의플라즈마에의한에칭효율이, 아르곤가스의플라즈마에의한에칭효율보다도높은재료로구성되어있다. 또, 마스크는피에칭층의융점보다도높은융점을가지는재료로구성되어있다. 이와같은피처리체에대해서, 본방법은아르곤의원자번호보다도큰 원자번호를가지는제1 희가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마에상기피처리체를노출하는공정(a)과, 아르곤의원자번호보다도작은원자번호를가지는제2 희가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마에상기피처리체를노출하는공정(b)을포함한다.

公开(公告)号：KR1020150103636A

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：KR1020150029010

申请日：2015-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기시히로키 ,  하시모토미츠루 ,  시모다게이이치 ,  니시무라에이이치 ,  시미즈아키타카

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4401 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/022 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32798 ,  H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법이 제공된다. 이 클리닝 방법은 상부 전극 상에 형성된 퇴적물을 제거하기 위한 방법이다. 퇴적물은, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서 하부 구조의 하부 전극과 상부 전극 사이에서 발생시킨 플라즈마를 이용하여 금속을 함유하는 금속층을 에칭하는 것에 의해서 발생한다. 이 방법은, 상부 전극 상에 형성된 제 1 퇴적물에 이온을 충돌시키는 공정과, 이온을 충돌시키는 해당 공정에 의해서 발생하여 하부 구조 상에 형성된 제 2 퇴적물을 제거하는 공정을 각각 포함한 복수의 사이클을 실행한다.

Abstract translation: 提供一种清洗等离子体处理装置的方法。 清洗方法是去除在顶部电极上形成的沉积物的方法。 通过在等离子体处理装置的处理室中通过使用在顶部电极和底部结构的底部电极之间产生的等离子体来蚀刻含有金属的金属层来产生沉积物。 该方法执行循环，其包括使离子与顶部电极上形成的第一沉积物碰撞的过程，以及除去由离子碰撞过程产生的并在底部结构上形成的第二沉积物的过程数次。