公开(公告)号：KR101926478B1

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：KR1020157008419

申请日：2013-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이치 ,  시미즈아키타카 ,  야마시타후미코

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L43/02

Abstract: 제 1 자성층 및 제 2 자성층에 의해 절연층을 개재하여 적층된 금속 적층막을 포함하는 다층막 재료를 에칭하는 에칭 처리 방법으로서, 처리 용기 내로 제 1 가스를 공급하여 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마에 의해 상기 금속 적층막을 에칭하는 에칭 공정을 포함하고, 상기 제 1 가스는 PF
3 가스를 함유하는 가스인 것을 특징으로 하는 에칭 처리 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020170103672A

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：KR1020170026944

申请日：2017-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시게키 ,  오가와히로유키 ,  나이토하지메 ,  시미즈아키타카 ,  마츠도다츠오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01J49/10 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/67069

Abstract: (과제) 라디칼의비활성화를억제하고, 에칭의균일성을도모하는것을목적으로한다. (해결수단) 고주파의에너지에의해가스로부터플라즈마를생성하고, 생성한플라즈마중의라디칼에의해처리용기의내부에서기판을에칭처리하는기판처리장치로서, 상기처리용기의내부에고주파의에너지를공급하는고주파전원과, 상기처리용기의내부에가스를도입하는가스공급원과, 상기기판을탑재하는탑재대와, 상기처리용기의내부에마련되고, 상기처리용기의내부를플라즈마생성공간과기판처리공간으로나누고, 이온의투과를억제하는칸막이판을갖고, 상기처리용기의내벽표면중 적어도상기탑재대보다위의부분과, 상기칸막이판은, 재결합계수가 0.002 이하인유전체로덮여있는기판처리장치가제공된다.

Abstract translation: [问题]抑制自由基的失活并实现蚀刻的均匀性。 一种基片处理装置，用于通过高频能量从气体产生等离子体，并通过所产生的等离子体中的自由基对处理容器内的基片进行蚀刻， 1。一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：高频电源;向所述处理室内导入气体的气体供给源;载置所述基板的载置台;以及设置在所述处理室内的处理室， 其中，载置台和分隔板上的处理容器的内壁面的至少一部分被复合系数为0.002以下的电介质覆盖。

公开(公告)号：KR1020150103636A

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：KR1020150029010

申请日：2015-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기시히로키 ,  하시모토미츠루 ,  시모다게이이치 ,  니시무라에이이치 ,  시미즈아키타카

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4401 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/022 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32798 ,  H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법이 제공된다. 이 클리닝 방법은 상부 전극 상에 형성된 퇴적물을 제거하기 위한 방법이다. 퇴적물은, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서 하부 구조의 하부 전극과 상부 전극 사이에서 발생시킨 플라즈마를 이용하여 금속을 함유하는 금속층을 에칭하는 것에 의해서 발생한다. 이 방법은, 상부 전극 상에 형성된 제 1 퇴적물에 이온을 충돌시키는 공정과, 이온을 충돌시키는 해당 공정에 의해서 발생하여 하부 구조 상에 형성된 제 2 퇴적물을 제거하는 공정을 각각 포함한 복수의 사이클을 실행한다.

Abstract translation: 提供一种清洗等离子体处理装置的方法。 清洗方法是去除在顶部电极上形成的沉积物的方法。 通过在等离子体处理装置的处理室中通过使用在顶部电极和底部结构的底部电极之间产生的等离子体来蚀刻含有金属的金属层来产生沉积物。 该方法执行循环，其包括使离子与顶部电极上形成的第一沉积物碰撞的过程，以及除去由离子碰撞过程产生的并在底部结构上形成的第二沉积物的过程数次。

公开(公告)号：KR1020150016490A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：KR1020147029334

申请日：2013-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이이치 ,  시미즈아키타카 ,  야마시타후미코 ,  우라야마다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L43/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02312

Abstract: 피에칭막을 에칭했을 때에 생성되는 반응 생성물을 적절하게 제거한다. 피처리 기체에 포함되는 피에칭층이 에칭됨으로써 퇴적한 반응 생성물을 처리하는 장치이다. 이 장치는 처리 용기, 칸막이판, 플라즈마원, 탑재대, 제 1 처리 가스 공급부 및 제 2 처리 가스 공급부를 구비한다. 처리 용기는 공간을 규정한다. 칸막이판은 처리 용기 내에 배치되고, 공간을 플라즈마 생성 공간 및 기판 처리 공간으로 구획하고, 이온 및 진공 자외광의 투과를 억제한다. 플라즈마원은 플라즈마 생성 공간에 플라즈마를 생성한다. 탑재대는 기판 처리 공간에 배치되어 피처리 기체를 탑재한다. 제 1 처리 가스 공급부는 플라즈마에 의해서 해리하여 라디칼을 생성하는 제 1 처리 가스를 플라즈마 생성 공간에 공급한다. 제 2 처리 가스 공급부는 플라즈마에 노출되는 일 없이 반응 생성물과 반응하는 제 2 처리 가스를 기판 처리 공간에 공급한다.

公开(公告)号：KR100619111B1

公开(公告)日：2006-09-04

申请号：KR1020040073632

申请日：2004-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구시비키마사토 ,  사와타이시마사유키 ,  시미즈아키타카

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32139

Abstract: 마스크층의 각 패턴폭을 나란히 배열하면서 마스크층에 의해서 마스크되는 피에칭층을 소정의 패턴폭으로 에칭한다.
제1 공정에서는 패터닝된 마스크층(212)의 측벽에 반응 생성물을 퇴적시키고, 각 패턴폭을 넓히도록 또한 초기 상태(a)에 있어서 패턴폭이 다른 제1 영역 reg11에 속하는 마스크층(212-1)의 패턴폭과 제2 영역 reg12에 속하는 마스크층(212-2)의 패턴폭이 제1 공정종료시점(b)에서 일치하도록 프로세스 조건을 설정한다. 제2 공정에서는 반사방지막(210)을 종방향으로 에칭하는 것 뿐만 아니라, 마스크층(212)의 패턴폭을 좁히는 트리밍 처리도 병렬실시한다. 제2 공정종료시점(c)에서는 마스크층 및 반사방지막의 패턴폭은 패턴밀도에 관계없이 웨이퍼 전역에서 균일하게 조정된다.
챔버, 서셉터, 웨이퍼, 반사방지막, 챔버

公开(公告)号：KR102107256B1

公开(公告)日：2020-05-06

申请号：KR1020147029334

申请日：2013-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이이치 ,  시미즈아키타카 ,  야마시타후미코 ,  우라야마다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR1020150033570A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：KR1020140126598

申请日：2014-09-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈아키타카 ,  오히시데츠야

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C14/3457 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/32137

Abstract: 높은종횡비의형상을높은에칭레이트로형성할수 있는피처리체의플라즈마처리방법을제공한다. 일실시형태에따른피처리체의플라즈마처리방법에있어서는, 상부전극과그 상부전극에대향하여배치되는하부전극의사이에서생성되는플라즈마에의해처리용기내에배치되는피처리체가처리된다. 이방법은, SF, ClF, 및 F중적어도어느하나를함유하는제 1 가스를처리용기내에공급하고, 상기제 1 가스의플라즈마를생성하여, 피처리체의피에칭층을에칭하는에칭공정과, 하이드로카본, 플루오로카본및 플루오로하이드로카본중 적어도어느하나를함유하는제 2 가스를처리용기내에공급하고, 상기제 2 가스의플라즈마를생성하여, 피에칭층의적어도일부에제 2 가스에서유래하는보호막을형성하는제 1 성막공정을포함한다. 에칭공정에있어서는, 처리용기내의압력이제 1 압력으로되고또한하부전극에제 1 바이어스전력이인가된다. 제 1 성막공정에있어서는, 처리용기내의압력이제 1 압력보다도낮은제 2 압력으로되고또한하부전극에제 1 바이어스전력보다도높은제 2 바이어스전력이인가된다. 그리고, 에칭공정및 제 1 성막공정을포함하는시퀀스가반복하여실행된다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理方法，该方法可以通过高蚀刻速率形成具有待处理的高纵横比的物体。 根据本发明的等离子体处理方法利用在处理处理容器中处理物体的相反侧的上电极和下电极之间产生的等离子体。 该方法将三种气体（包括SF6，ClF3或F2）中的任何一种提供给容器，同时产生第一气体的等离子体，以蚀刻待蚀刻的物体层。 它还向容器提供含有烃，碳氟化合物或氟代烃中的任何一种的第二气体，同时产生从要蚀刻的物体的一些物体上的第二气体等离子体产生的保护膜（1号膜形成工艺） 。 在蚀刻处理中，容器内的压力成为第一压力，第一偏压功率施加到下部电极。 在1号成膜工序中，容器内的压力成为比第一压力低的第二压力，第二压力比施加于下部电极的第二压力高。 包括蚀刻和1号膜形成过程的顺序反复进行。

公开(公告)号：KR1020140051090A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：KR1020130125252

申请日：2013-10-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이치 ,  쿠시비키마사토 ,  소네타카시 ,  시미즈아키타카 ,  야마시타후미코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23F1/02 ,  C23F4/00 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

Abstract: Provided is a method for etching the copper layer of an object. A mask having a pattern to be transferred is formed on the copper layer. The method of one embodiment includes a process (a) of etching the copper layer by using the plasma of a first gas including hydrogen gas, and a process (b) of processing the object by using the plasma of a second gas including a gas which has a deposition property to the object. The process (a) of etching the copper layer by using the plasma of the first gas and the process (b) of processing the object by using the plasma of the second gas are alternately carried out. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1a) Making a resist mask; (S1b) Etching a middle layer; (S1c) Etching a lower layer; (S2a) Etching a mask layer; (S2b) Ashing; (S3) Etching a copper layer by using the plasma of a first gas; (S4) Processing the object by using the plasma of a second gas; (S5) Was the cycle repeated a preset number of times?; (S6) Etching the copper layer by using the plasma of the first gas; (S7) Ashing

Abstract translation: 提供一种用于蚀刻物体的铜层的方法。 在铜层上形成具有待转印图案的掩模。 一个实施例的方法包括通过使用包括氢气的第一气体的等离子体来蚀刻铜层的工艺（a）和通过使用包括气体的第二气体的等离子体来处理物体的方法（b） 对物体具有沉积特性。 交替进行使用第一气体的等离子体蚀刻铜层的工序（a）和使用第二气体的等离子体来处理物体的工序（b）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1a）制作抗蚀剂面膜; （S1b）蚀刻中间层; （S1c）蚀刻下层; （S2a）蚀刻掩模层; （S2b）灰化; （S3）使用第一气体的等离子体蚀刻铜层; （S4）通过使用第二气体的等离子体来处理物体; （S5）周期是否重复预设次数？ （S6）使用第一气体的等离子体蚀刻铜层; （S7）灰化

公开(公告)号：KR101204175B1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：KR1020090126241

申请日：2009-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  시미즈아키타카

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01J37/32862 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906

Abstract: A method for cleaning a component in a substrate processing apparatus including a processing chamber, foreign materials being attached to the component, at least a part of the component being exposed inside the processing chamber, and the substrate processing apparatus being adapted to load and unload a foreign material adsorbing member into and from the processing chamber. The method includes loading the foreign material adsorbing member into the processing chamber; generating a plasma nearer the component than the foreign material adsorbing member; extinguishing the plasma; and unloading the foreign material adsorbing member from the processing chamber, wherein the generation and the extinguishment of the plasma are repeated alternately and the foreign material adsorbing member has a positive potential at least during the extinguishment of the plasma.

公开(公告)号：KR1020100071012A

公开(公告)日：2010-06-28

申请号：KR1020090126241

申请日：2009-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  시미즈아키타카

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01J37/32862 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906

Abstract: PURPOSE: A cleaning solution and a storage medium are provided to easily clean components while preventing a foreign particle from being attached to a different component. CONSTITUTION: A foreign material absorption member(20) is carried into the inside of a process chamber. The foreign material absorption member is loaded in a main chuck(12). Plasma is generated in the neighborhood of the foreign material absorption member. The plasma becomes extinct. In the process chamber, the foreign material absorption member is carried out.

Abstract translation: 目的：提供清洁溶液和存储介质以便容易地清洁组分，同时防止外来颗粒附着到不同的组分上。 构成：异物吸收构件（20）被运送到处理室的内部。 异物吸收部件装载在主卡盘（12）中。 在异物吸收构件附近产生等离子体。 等离子体灭绝。 在处理室中，进行异物吸收构件。