플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법
    1.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법 审中-实审
    清洗等离子体加工装置的方法

    公开(公告)号:KR1020150103636A

    公开(公告)日:2015-09-11

    申请号:KR1020150029010

    申请日:2015-03-02

    Abstract: 플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법이 제공된다. 이 클리닝 방법은 상부 전극 상에 형성된 퇴적물을 제거하기 위한 방법이다. 퇴적물은, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서 하부 구조의 하부 전극과 상부 전극 사이에서 발생시킨 플라즈마를 이용하여 금속을 함유하는 금속층을 에칭하는 것에 의해서 발생한다. 이 방법은, 상부 전극 상에 형성된 제 1 퇴적물에 이온을 충돌시키는 공정과, 이온을 충돌시키는 해당 공정에 의해서 발생하여 하부 구조 상에 형성된 제 2 퇴적물을 제거하는 공정을 각각 포함한 복수의 사이클을 실행한다.

    Abstract translation: 提供一种清洗等离子体处理装置的方法。 清洗方法是去除在顶部电极上形成的沉积物的方法。 通过在等离子体处理装置的处理室中通过使用在顶部电极和底部结构的底部电极之间产生的等离子体来蚀刻含有金属的金属层来产生沉积物。 该方法执行循环,其包括使离子与顶部电极上形成的第一沉积物碰撞的过程,以及除去由离子碰撞过程产生的并在底部结构上形成的第二沉积物的过程数次。

    정전 흡착 방법 및 기판 처리 장치
    2.
    发明公开
    정전 흡착 방법 및 기판 처리 장치 审中-实审
    静电切割方法和基板加工设备

    公开(公告)号:KR1020160078917A

    公开(公告)日:2016-07-05

    申请号:KR1020150185844

    申请日:2015-12-24

    CPC classification number: H01L21/6833 H01L21/67109 H02N13/00

    Abstract: 본발명은포커스링과정전척에의해샌드위치되는공간에공급되는열 매체의리크량의증대를억제하는것을목적으로한다. 정전흡착방법은, 기판이탑재되는정전척과, 기판이탑재되는영역을둘러싸고정전척 상에마련된포커스링과, 포커스링과정전척의사이에샌드위치되는공간에열 매체를공급하는공급부와, 정전척 내부의, 포커스링에대응하는영역에마련되는복수의전극을구비한기판처리장치를이용한정전흡착방법으로서, 기판을플라즈마처리하기위한플라즈마가생성되는기간인플라즈마처리기간에있어서공급부에의해서공간에열 매체를공급하고, 플라즈마처리기간이외의다른기간에있어서, 포커스링을정전척에흡착하도록복수의전극에서로다른전압을인가한다.

    Abstract translation: 本发明的目的是抑制供给到由聚焦环和静电卡盘夹持的空间的加热介质的泄漏量的增加。 本发明涉及使用基板处理单元的静电吸收方法,该基板处理单元包括安装有基板的静电卡盘; 所述聚焦环围绕安装有所述基板的区域,并且布置在所述静电卡盘上; 供应部件,其将加热介质供应到夹在聚焦环和静电卡盘之间的空间; 以及布置在与静电卡盘内部的聚焦环相对应的区域上的多个电极。 此外,静电吸收方法的特征在于,在等离子体处理期间,通过供给部供给加热介质,该等离子体处理期间是等离子体生成等离子体的周期,用于等离子体处理基板; 并且在除了等离子体处理周期之外的其它周期中,将不同的电压施加到用于将聚焦环吸收到静电卡盘上的电极。

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