公开(公告)号：KR101610832B1

公开(公告)日：2016-04-08

申请号：KR1020100019171

申请日：2010-03-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장원문 ,  부재필 ,  김종복 ,  탁수영 ,  안종선 ,  김신

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B55/03

CPC classification number: B24B41/06

Abstract: 신뢰성및 내구성이향상된화학적기계적연마설비를제공한다. 상기화학적기계적연마설비는웨이퍼를지지하는제 1 영역및 상기제 1 영역의외측에위치하는제 2 영역을갖추는플래튼을구비한다. 상기플래튼상에위치하는연마패드가제공된다. 상기연마패드가부착되는패드헤드가제공된다. 상기웨이퍼상에슬러리를공급하는슬러리공급부가제공된다. 상기플래튼의제 2 영역에위치하며상기웨이퍼의배면가장자리에상기웨이퍼의외측방향으로일정기체를분사하는분사구가제공된다.

公开(公告)号：KR101172589B1

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：KR1020100043459

申请日：2010-05-10

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 케이씨

Inventor： 김동수 ,  서건식 ,  부재필 ,  반준호 ,  구자철 ,  전찬운

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/304 ,  B65G49/07 ,  B25J5/02

Abstract: 본 발명은 이동식 화학 기계적 연마(CMP) 시스템에 관한 것으로, 하나 이상의 연마 정반과, 연마하고자 하는 기판을 장착한 상태로 이동하는 기판 캐리어 유닛을 구비하여, 상기 기판 캐리어 유닛에 장착된 기판을 상기 연마 정반 상에서 연마시키는 화학 기계적 연마 장치(CMP)의 기판 이송 시스템으로서, 상기 기판 캐리어 유닛에 의해 장착된 기판이 상기 하나 이상의 연마 정반의 상부에서 위치할 수 있도록 미리 정해진 제1경로를 따라 상기 기판 캐리어 유닛의 이동을 안내하는 제1가이드레일과; 상기 기판 캐리어 유닛에 기판을 로딩하거나 언로딩하는 위치를 포함하는 미리 정해진 제2경로를 따라 상기 기판 캐리어 유닛의 이동을 안내하되, 상기 제1가이드레일과 이격된 제2가이드레일과; 상기 기판 캐리어 유닛이 상기 제1가이드레일과 상기 제2가이드레일의 사이를 왕래하도록 상기 기판 캐리어 유닛을 운반하는 캐리어 홀더와; 상기 제1경로와 상기 제2경로의 끝단 중 어느 하나 이상에는 상기 캐리어 홀더가 접근하지 않으면 상기 기판 캐리어 유닛의 이동을 제한하는 스토퍼를 포함하여, 기판 캐리어 유닛의 추락을 방지하기 위한 스토퍼 개폐의 제어를 하지 않더라도, 전체적인 연마 공정을 지연시키지 않으면서 기판 캐리어 유닛의 파손을 방지할 수 있는 화학 기계적 연마 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110124465A

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：KR1020100043845

申请日：2010-05-11

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 케이씨

Inventor： 전찬운 ,  반준호 ,  구자철 ,  부재필 ,  김동수 ,  서건식

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B24B37/04 ,  H01L21/02052

Abstract: PURPOSE: A device for rinsing and drying a substrate of a chemical mechanical polishing system is provided to improve a rinsing effect by suppressing an eddy on the surface of a substrate which rotates at high speed. CONSTITUTION: A cover(110) surrounds a rotary substrate with a cylindrical shape. The upper side of the cover has a height of 1 mm to 10 mm from the substrate. A substrate holder(120) mounts the substrate on a fixing plate(122) and is driven. A driving motor transmits rotary driving power to a rotation shaft(142) through a reduction gear. A deionized water supply unit supplies deionized water(88a) to the rotation center of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于冲洗和干燥化学机械抛光系统的基板的装置，以通过抑制高速旋转的基板的表面上的涡流来改善冲洗效果。 构成：盖（110）围绕具有圆柱形状的旋转基片。 盖的上侧与基板的高度为1mm至10mm。 衬底保持器（120）将衬底安装在固定板（122）上并被驱动。 驱动马达通过减速齿轮向旋转轴（142）传递旋转驱动力。 去离子水供应单元向基材的旋转中心供应去离子水（88a）。

公开(公告)号：KR1020050116072A

公开(公告)日：2005-12-09

申请号：KR1020040040984

申请日：2004-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 부재필 ,  이주영

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/30

Abstract: 본 발명은 화학적 기계적 연마 장치에 사용되는 연마 헤드에 관한 것으로, 연마 헤드는 캐리어를 가지며, 캐리어의 저면에는 지지대와 지지대로부터 일정거리 이격되어 지지대의 하부를 감싸도록 배치되는 멤브레인을 가진다. 지지대와 멤브레인 사이의 공간에는 적어도 하나의 구획링이 배치되며, 상기 공간으로 유입되는 공기에 의해 구획링의 접촉부가 눌러져 구획링은 상술한 공간을 분리된 복수의 공간으로 구획한다. 또한, 구획링 내에 공기가 유입될 수 있는 공간이 제공되어 웨이퍼의 영역별 경계에서 연마율이 낮아지는 것을 방지한다.

公开(公告)号：KR1020050042971A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：KR1020030077637

申请日：2003-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤현주 ,  임영삼 ,  부재필

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/30

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 플레이튼 상에 부착된 연마 패드와 웨이퍼를 상기 연마 패드에 가압하는 연마 헤드를 가진다. 공정진행시 상기 연마 헤드는 상기 연마 패드의 중심으로부터 일측에 위치되며 상기 플레이튼은 회전된다. 유지링으로부터 가해지는 과도한 압력에 의해 상기 연마 패드의 중심부가 파손되는 것을 방지하기 위해, 상기 연마 패드의 중심부 하부면에는 완충역할을 하는 버퍼로써 기능하는 원통형의 홈이 형성된다.

公开(公告)号：KR1020040107593A

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：KR1020030036334

申请日：2003-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진국 ,  부재필 ,  이상선 ,  김종복

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/205

Abstract: PURPOSE: A polishing pad in CMP(Chemical Mechanical Polishing) equipment is provided to prevent a fluid from permeating into a window by using a loop-like sealing barrier. CONSTITUTION: A polishing pad includes a top pad, a bottom pad, an aperture, a transparent window and a loop-like sealing barrier. The top pad(210) includes a polishing surface for contacting a wafer. The bottom pad(230) is attached to a backside of the top pad. The aperture(30) is formed through the top and bottom pads. The transparent window(400) is inserted into the aperture of the top pad. The sealing barrier(700) is introduced into a portion between the bottom pad and the aperture.

Abstract translation: 目的：提供CMP（化学机械抛光）设备中的抛光垫，以防止流体通过使用环状密封屏障渗入窗户。 构成：抛光垫包括顶垫，底垫，孔，透明窗和环状密封屏障。 顶垫（210）包括用于接触晶片的抛光表面。 底垫（230）附接到顶垫的背面。 孔（30）通过顶垫和底垫形成。 透明窗（400）插入顶垫的孔中。 密封屏障（700）被引入到底垫和孔之间的部分中。

公开(公告)号：KR1020000061518A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：KR1019990010590

申请日：1999-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 부재필

IPC: H01L21/76

Abstract: PURPOSE: A method for forming a shallow trench device isolation film is to minimize level difference between an active area and a device isolation area and to improve the flatness of a semiconductor chip. CONSTITUTION: A method comprises the steps of: forming a first nitride layer on an upper surface of a semiconductor substrate(100) and etching the first nitride layer to define an active area; forming a trench(104,106,108) by etching the semiconductor substrate by a prescribed depth using the first nitride film as a mask; sequentially forming a first oxide layer, a second nitride layer and a second oxide layer on the semiconductor substrate having the trench formed thereon; performing a first polishing process with an abrasive having a low etching selectivity between the oxide layer and the nitride layer; and performing a second polishing process with an abrasive having a high etching selectivity between the oxide layer and the nitride layer to remove the step between the active area and a device isolation area(105,107,109).

Abstract translation: 目的：形成浅沟槽器件隔离膜的方法是使有源区和器件隔离区之间的电平差最小化，并提高半导体芯片的平坦度。 构成：一种方法包括以下步骤：在半导体衬底（100）的上表面上形成第一氮化物层，蚀刻第一氮化物层以限定有源区; 通过使用所述第一氮化物膜作为掩模将所述半导体衬底蚀刻规定的深度来形成沟槽（104,106,108）; 在其上形成有沟槽的半导体衬底上依次形成第一氧化物层，第二氮化物层和第二氧化物层; 在氧化物层和氮化物层之间用具有低蚀刻选择性的研磨剂进行第一抛光工艺; 以及在所述氧化物层和所述氮化物层之间用具有高蚀刻选择性的研磨剂进行第二抛光处理以去除所述有源区和器件隔离区之间的步骤（105,107,109）。

公开(公告)号：KR1020000003657A

公开(公告)日：2000-01-25

申请号：KR1019980024919

申请日：1998-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 부재필

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing apparatus is provided to control a speed of removing a target layer to be polished so as to prevent a removing area from being increased in a chemical mechanical polishing process. CONSTITUTION: In the apparatus, a carrier base(100), on which a wafer is attached, is provided with a plurality of holes(102) through which air is introduced to improve the homogeneity of the polishing process. An edge of the carrier base is comprised of a plurality of blocks and fixed by a screw. The blocks have different steps each other. The height of the carrier base is adjusted from a portion in which the removing speed is most high. Thereby, a force exerted on the edge of the wafer is reduced so that the removing speed is facilely controlled.

Abstract translation: 目的：提供一种化学机械抛光装置，以控制去除被抛光目标层的速度，以防止化学机械抛光工艺中的去除区域增加。 构成：在装置中，安装有晶片的载体基座（100）设置有多个孔（102），空气通过该孔（102）引入，以提高抛光过程的均匀性。 载体基座的边缘由多个块组成并由螺钉固定。 这些块彼此具有不同的步骤。 从移除速度​​最高的部分调整载体基座的高度。 由此，施加在晶片的边缘上的力被降低，从而易于控制去除速度。

公开(公告)号：KR1019990034776A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970056472

申请日：1997-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 부재필

IPC: B24B37/26 ,  B24B53/017 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

Abstract: 반도체 제조 공정 중 연마공정에 사용되는 연마패드 및 이를 이용한 웨이퍼 연마방법에 관하여 개시한다. 이는 화학기계적 연마공정이 진행되는 정도를 예측 제어하기 위하여 소정부에 형성된 구멍을 통하여 연마공정이 진행된 후의 동일 평면상의 연마패드의 두께의 편차를 측정할 수 있는 연마패드이며, 이를 이용하여 연마패드를 진행하는 중에 인시튜(in-situ)로 연마패드면의 변형 또는 그 프로파일을 측정함으로써 연마공정을 균일하게 진행하기 위하여 연마패드를 콘디셔닝 또는 교체하는 단계로 연마공정을 진행한다. 이로써, 화학기계적연마공정이 균일성을 가지면서 진행될 수 있도록 하여 웨이퍼 면이 균일하게 연마되지 않아 발생되는 공정 상의 여러 제한을 극복할 수 있다.

公开(公告)号：KR100165353B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950049698

申请日：1995-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정엽 ,  김민정 ,  부재필 ,  정인권 ,  배용국 ,  여정호

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명에서는 반도체 기판에 형성된 절연층내에 트랜치를 형성하는 단계(A); 트랜치 내부에 도전성 플러그를 형성하는 단계(B); 상기 절연층과 상기 도전성 플러그간에 단차를 형성하는 단계(C)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 추가의 사진식각 공정 없이도 얼라인 키 패턴 영역에 단차를 형성함으로써 후속단계에서의 얼라인이 가능해진다.