Abstract:
이미지 센서의 단위 픽셀은 제1 내지 제n 광전 변환부들, 제1 내지 제n 메모리부들 및 신호 생성부를 포함한다. 제1 내지 제n 광전 변환부들은 서로 적층되어 형성되고, 서로 다른 파장 대역의 광신호에 응답하여 광전하를 생성하여 제1 내지 제n 스토리지 노드들에 각각 제공한다. 제1 내지 제n 메모리부들은 공통 제어 신호에 응답하여 상기 제1 내지 제n 스토리지 노드들에 축적된 상기 광전하를 각각 동일 시점에 수신하여 저장한다. 신호 생성부는 상기 제1 내지 제n 메모리부들 각각에 저장된 상기 광전하의 양에 기초하여 제1 내지 제n 아날로그 신호들을 순차적으로 생성한다. 이미지 센서는 고품질의 이미지 데이터를 생성할 수 있다.
Abstract:
적층형이미지센서의단위픽셀은적층형광전변환부, 제1 신호발생부및 제2 신호발생부를포함한다. 적층형광전변환부는입사광의제1 내지제3 성분들에기초하여제1 내지제3 광전하들을발생하고적층되어형성되는제1 내지제3 광전변환소자들을포함한다. 제1 신호발생부는제1 광전하들및 제1 신호노드에기초하여제1 픽셀신호를발생하고, 제2 광전하들및 제1 신호노드에기초하여제2 픽셀신호를발생한다. 제2 신호발생부는제3 광전하들및 제2 신호노드에기초하여제3 픽셀신호를발생하고, 제1 신호발생부와적어도일부를공유한다.
Abstract:
A binary image sensor in accordance with an embodiment of the present invention includes a plurality of unit pixels including a substrate on which light is radiated and one or more quantum dots arranged on one side of the substrate; a column detection amplification circuit detecting binary information of selected unit pixel from a voltage or a current detected by the unit pixel selected among the plurality of the unit pixels; and a processing unit generating pixel image information by processing the binary information of each unit pixel.
Abstract:
이미지 센서와 이미지 처리장치에 관한 발명으로서, 본 발명의 일실시예에 따른 단위 화소를 다수 포함하는 이미지 센서 및 이미지 처리장치에 있어서, 제1면 및 상기 제1면과 대향하는 제 2면을 포함하는 반도체 층, 상기 반도체 층의 제2면 위에 형성되고 특정 파장의 빛을 전기적 신호로 변환하는 유기광전변환부, 상기 반도체 층의 제 1 면 아래에 위치하고, 화소 회로를 포함하는 기판 및 상기 반도체 층을 관통하고, 상기 유기광전변환부와 화소 회로를 전기적으로 연결하는 관통배선을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서는 반도체 기판, 상기 반도체 기판에 형성된 스토리지 노드 영역, 상기 반도체 기판 상에 배치되는 절연부, 상기 스토리지 노드 영역과 인접하게 상기 절연부를 관통하는 콘택비아, 상기 반도체 기판 내에 상기 스토리지 노드 영역과 이격되어 형성된 광전 변환 소자, 상기 절연부 상에 배치되는 유기 광전층, 및 상기 콘택비아와 상기 스토리지 노드 영역 사이에 제공되어 이들을 연결하는 버퍼를 포함한다.
Abstract:
An image sensor includes n*n pixels (n is a natural number which is greater than 1) and a green pixel which is arranged to partially overlap each of the n*n pixels. The green pixel includes a first photoelectric conversion area of organic material; a first pixel electrode, which partially overlaps each of the n*n pixels and collects electric charges generated in the first photoelectric conversion area; and a common electrode which supplies a bias voltage to the first photoelectric conversion area.
Abstract:
이미지 센서는 광전 변환부, 신호 생성부 및 피드백부를 포함한다. 광전 변환부는 반도체 기판의 상부에 형성되고, 구동 전압에 기초하여 입사광을 감지하여 광전하를 생성한다. 신호 생성부는 반도체 기판에 형성되고, 광전하에 기초하여 아날로그 신호를 생성한다. 피드백부는 광전 변환부로부터 생성되는 광전하의 양에 기초하여 구동 전압을 생성한다. 이미지 센서는 저조도의 이미지와 고조도의 이미지를 모두 효과적으로 캡쳐할 수 있다.