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公开(公告)号：KR1020150012494A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020130088063
申请日：2013-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14665 , H04N5/37452 , H04N5/37457
Abstract: 이미지 센서의 단위 픽셀은 제1 내지 제n 광전 변환부들, 제1 내지 제n 메모리부들 및 신호 생성부를 포함한다. 제1 내지 제n 광전 변환부들은 서로 적층되어 형성되고, 서로 다른 파장 대역의 광신호에 응답하여 광전하를 생성하여 제1 내지 제n 스토리지 노드들에 각각 제공한다. 제1 내지 제n 메모리부들은 공통 제어 신호에 응답하여 상기 제1 내지 제n 스토리지 노드들에 축적된 상기 광전하를 각각 동일 시점에 수신하여 저장한다. 신호 생성부는 상기 제1 내지 제n 메모리부들 각각에 저장된 상기 광전하의 양에 기초하여 제1 내지 제n 아날로그 신호들을 순차적으로 생성한다. 이미지 센서는 고품질의 이미지 데이터를 생성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种图像传感器的单位像素和具有该像素的图像传感器。 图像传感器的单位像素包括第一至第n个光电转换单元，第一至第n个存储单元和信号产生单元。 第一至第n个光电转换单元被形成为彼此层叠，响应于不同波长的光信号产生光电荷，并将光电荷提供给第一至第n个存储节点。 响应于公共控制信号，第一到第n个存储单元接收并存储累积在同一点上的第一至第n个存储节点上的光电荷。 信号产生单元分别基于存储在第一至第n个存储单元中的光电荷的量，同时产生第一至第n模拟信号。 图像传感器生成高质量的图像数据。
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公开(公告)号：KR1020150084362A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020140004302
申请日：2014-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14616
Abstract: 단위픽셀은센싱트랜지스터, 포토다이오드및 리셋드레인영역을포함한다. 센싱트랜지스터는반도체기판내에형성된기준활성영역과출력활성영역및 게이트전압에응답하여기준활성영역과출력활성영역을전기적으로연결하도록기준활성영역과출력활성영역사이의반도체기판위에형성된게이트를포함한다. 포토다이오드는게이트하부의반도체기판내에형성된다. 리셋드레인영역은게이트에의해게이트전압에응답하여포토다이오드와전기적으로연결되도록반도체기판내에형성된다. 단위픽셀은단위픽셀에포함되는트랜지스터의개수를줄여이미지센서의해상도를높이면서이미지센서를소형화시킬수 있다.
Abstract translation: 单位像素包括感测晶体管，光电二极管和复位漏极区域。 感测晶体管包括：参考有源区和形成在半导体衬底中的输出有源区; 以及形成在所述参考有源区域和所述输出有源区域之间的所述半导体衬底上的栅极，以响应于栅极电压来电连接所述参考有源区域和所述输出有源区域。 光电二极管形成在栅极的下部的半导体衬底中。 复位漏极区域形成在半导体衬底中，以响应栅极的栅极电压而与光电二极管电连接。 单位像素通过减少单位像素中包括的晶体管的数量来提高图像传感器的分辨率，并且可以使图像传感器小型化。
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公开(公告)号：KR1020130134657A
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120058318
申请日：2012-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 고토히로시게
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14641
Abstract: According to the present invention, the floating sensing node of an image sensor includes a first impurity region and a second impurity region of a different conductivity near the first impurity region and connects the second impurity region to the source of a select transistor. The floating sensing node and a channel stop region adjacent to the floating sensing node comprise a field effect transistor. The voltage of the floating sensing node is applied to an output terminal through the select transistor. The select transistor is operated as a source follower. The degree of integration is improved by forming the source follower as the select transistor. RTS and kTC noise are reduced by the operation of the field effect transistor.
Abstract translation: 根据本发明，图像传感器的浮感检测节点包括在第一杂质区附近具有不同导电性的第一杂质区和第二杂质区，并将第二杂质区连接到选择晶体管的源。 浮动感测节点和与浮动感测节点相邻的通道停止区域包括场效应晶体管。 浮动感测节点的电压通过选择晶体管施加到输出端子。 选择晶体管作为源极跟随器工作。 通过形成源极跟随器作为选择晶体管来提高积分度。 RTS和kTC噪声通过场效应晶体管的操作而减小。
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公开(公告)号：KR1020150077996A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130167009
申请日：2013-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H04N5/3696 , H04N5/3745 , H04N9/045 , H04N13/207
Abstract: TFA 기반의시모스이미지센서및 그동작방법이개시된다. 본발명의일 실시예에따른시모스이미지센서는, 반도체기판에형성된플로팅확산영역과, 다수의픽셀들에대응하여배치되는박막형태의포토다이오드와, 상기포토다이오드와상기플로팅확산영역사이에전기적으로연결된다수개의비아들및 적어도두 개의픽셀들에대응하여배치되는제1 마이크로렌즈를구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种基于TFA的CMOS图像传感器及其操作方法。 根据本发明实施例的CMOS图像传感器包括：形成在半导体衬底上的浮动扩散区; 通过对应于像素布置的薄膜型光电二极管; 电连接在光电二极管和浮动扩散区之间的通孔; 以及通过对应于至少两个像素布置的第一微透镜。
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公开(公告)号：KR1020150019887A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020130097320
申请日：2013-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 고토히로시게
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H04N5/3698
Abstract: 소스 팔로워를 포함하는 이미지 센서가 개시된다. 본 발명의 예시적 실시예에 따른 소스 팔로워 트랜지스터는 소스 및 드레인 사이에 제1 및 제2 반도체층, 차단 구조체를 포함하는 채널 구조체를 포함할 수 있다. 제1 반도체층은 소스 팔로워 트랜지스터의 게이트 절연층으로 제1 깊이 이상 떨어져 있을 수 있다. 캐리어는 제1 반도체층을 통해서 소스 팔로워 트랜지스터의 소스로부터 드레인으로 이동할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种包括源极跟随器以降低功耗的图像传感器。 根据本发明的示例性实施例的源极跟随器晶体管包括位于源极和漏极之间的第一半导体层和第二半导体层以及包括阻挡结构的沟道结构。 第一半导体层与源极跟随器晶体管的栅极绝缘层与第一深度或更多深度分离。 载体通过第一半导体层从源极跟随器晶体管的源极到漏极移动。
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公开(公告)号：KR1020120103912A
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：KR1020110021868
申请日：2011-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/30 , H01L27/146 , H01L51/42
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L51/4293
Abstract: PURPOSE: An image sensor including an organic photoelectricity converting unit is provided to reduce the number of lamination layers by including both the organic photoelectricity converting unit and a general photo diode. CONSTITUTION: A photoelectricity converting unit(120), detecting light as an electric signal, is formed on a substrate. A first organic photoelectricity converting unit(140) includes a first lower electrode, a first color selecting layer, and a first upper electrode. The first color selecting layer has a photoelectricity converting character for the light of a first wavelength band. A second organic photoelectricity converting unit(160) includes a second lower electrode, a second color selecting layer, and a second upper electrode. The second color selecting layer has the photoelectricity converting character for the light of a second wavelength band.
Abstract translation: 目的：提供包括有机光电转换单元的图像传感器，通过包括有机光电转换单元和通用光电二极管来减少层叠层的数量。 构成：在基板上形成检测光作为电信号的光电转换单元（120）。 第一有机光电转换单元（140）包括第一下电极，第一选色层和第一上电极。 第一颜色选择层具有用于第一波长带的光的光电转换字符。 第二有机光电转换单元（160）包括第二下电极，第二选色层和第二上电极。 第二颜色选择层具有用于第二波长带的光的光电转换字符。
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公开(公告)号：KR102131327B1
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：KR1020130097320
申请日：2013-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 고토히로시게
IPC: H01L27/146
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