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公开(公告)号：KR100604865B1
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1020040041859
申请日：2004-06-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이덕민
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H04N5/374
Abstract: 외부의 빛을 받아들이기 위하여 능동화소감지기(Active Pixel Sensor, 이하 APS)에 설치된 소정의 영역(이하 수광부)의 면적이 감소하는 경우, 신호 대 잡음비(Signal to Noise Ratio)가 악화되는 현상을 보상한 APS 셀을 개시한다. 상기 APS 셀은, 상기 수광부에서 소규모로 생성된 전하를 전하증폭 장치를 이용하여 증폭시킨 후 처리한다. 상기 APS 셀은, 수광장치 및 전하증폭장치를 구비한다. 상기 수광장치는, 빛을 수신하며, 수신된 빛에 대응하는 소정의 전하들을 생성시킨다. 상기 전하증폭장치는, 상기 수광장치에서 생성된 상기 전하들 중에서 어느 한 종류의 전하를 수신하여 증폭한다.
CMOS Image Sensor, CIS, APS, 수광부, 증폭장치-
公开(公告)号：KR1020060023897A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：KR1020040072819
申请日：2004-09-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 포토다이오드와 마이크로 렌즈 사이에 금속층간절연막의 일부로 구성되는 이너 렌즈가 형성되어 있는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서는 상기 포토다이오드 영역에서 상기 층간절연막 위에 상기 포토다이오드와 대면하도록 이너 렌즈(inner lens)가 위치되어 있다. 상기 이너 렌즈는 상기 금속층간절연막의 일부로 이루어진다. 상기 포토다이오드 영역에서 상기 금속층간절연막을 관통하여 상기 이너 렌즈를 덮도록 광투과부가 형성되어 있다. 상기 광투과부는 상기 금속층간절연막 구성 물질과는 다른 물질로 이루어진다. 상기 이너 렌즈와 광투과부와의 사이에 라이너가 개재될 수 있다.
CMOS 이미지 센서, 이너 렌즈, 볼록 렌즈, 오목 렌즈, 집광Abstract translation: 一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中由金属层间绝缘膜的一部分构成的内透镜形成在光电二极管和微透镜之间。 在根据本发明的CMOS图像传感器中，内部透镜设置在光电二极管区域中的层间绝缘膜上以面对光电二极管。 内透镜由金属间绝缘膜的一部分构成。 并且透光部分形成为通过光电二极管区域中的层间绝缘膜覆盖内透镜。 透光部分由与构成层间绝缘膜的材料不同的材料制成。 衬里可以插入内透镜和透光部分之间。
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公开(公告)号：KR1020030005773A
公开(公告)日：2003-01-23
申请号：KR1020010041220
申请日：2001-07-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/772
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device for preventing current leakage of a local interconnection region and a method for fabricating the same are provided to cut off current leakage by forming an ion implanting area for preventing current leakage on a path of current leakage. CONSTITUTION: An isolation layer(102) is formed on a semiconductor substrate(100) in order to define an active region and a field region. A gate pattern(104) is formed on the active region which is defined by the isolation layer(102). A shallow junction area(108) is formed on an inner surface of the semiconductor substrate(100) of both sides of the gate pattern(104). An interlayer dielectric(114) is deposited on the semiconductor substrate(100), the isolation layer(102), and the gate pattern(104). A local interconnection region(116) is formed by etching the interlayer dielectric(114). The depth of the local interconnection region(116) is deeper than the shallow junction area(108). An ion implanting area(112) for preventing current leakage is formed within the shallow junction area(108) where the isolation layer(102) is contacted with the local interconnection region(116).
Abstract translation: 目的：提供一种用于防止局部互连区域的电流泄漏的半导体器件及其制造方法，用于通过形成用于防止电流泄漏路径上的电流泄漏的离子注入区域来切断电流泄漏。 构成：为了限定有源区和场区，在半导体衬底（100）上形成隔离层（102）。 在由隔离层（102）限定的有源区上形成栅极图案（104）。 在栅极图案（104）的两侧的半导体衬底（100）的内表面上形成浅结区域（108）。 层间电介质（114）沉积在半导体衬底（100），隔离层（102）和栅极图案（104）上。 通过蚀刻层间电介质（114）形成局部互连区（116）。 局部互连区域（116）的深度比浅结区域（108）深。 在隔离层（102）与局部互连区域（116）接触的浅结区域（108）内形成用于防止电流泄漏的离子注入区域（112）。
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公开(公告)号：KR1020010068395A
公开(公告)日：2001-07-23
申请号：KR1020000000309
申请日：2000-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/82
Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal fuse is provided to easily perform a fuse cutting by maintaining a protection layer on a fuse to a uniform thickness. CONSTITUTION: A photoresist layer is removed. The first protection layer spacer(218a) is formed on a lateral surface of a metal fuse line(212). The second protection layer(220b) is formed on an upper part of the metal fuse line(212). A metal fuse cutting can be carried out by using a laser without any defect. The first, second and third metal layers are deposited on an insulation layer(210). The first, second and third metal layers are patterned. The first protection layer is deposited on the insulation layer. The first protection layer and the third metal layer are etched to expose the second metal layer. The first protection layer spacer is formed on a lateral surface of the first metal layer and the second metal layer. The second metal layer is removed to form the metal fuse line. The second protection layer is deposited on a front surface of the insulation layer not to completely fill a space between the spacers. A fuse patterning photoresist pattern is formed on a front surface of the insulation layer. The second protection layer and the first protection layer are etched to a predetermined thickness by using the photoresist pattern as an etching mask.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成金属保险丝的方法，通过将保险丝保持在均匀的厚度上来容易地进行保险丝切割。 构成：去除光致抗蚀剂层。 第一保护层隔离物（218a）形成在金属熔丝线（212）的侧表面上。 第二保护层（220b）形成在金属熔丝线（212）的上部。 可以通过使用没有任何缺陷的激光器进行金属熔断体切割。 第一，第二和第三金属层沉积在绝缘层（210）上。 第一，第二和第三金属层被图案化。 第一保护层沉积在绝缘层上。 蚀刻第一保护层和第三金属层以暴露第二金属层。 第一保护层隔离物形成在第一金属层和第二金属层的侧表面上。 去除第二金属层以形成金属熔丝线。 第二保护层沉积在绝缘层的前表面上，不能完全填满间隔物之间的空间。 在绝缘层的前表面上形成熔丝图案化光刻胶图形。 通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，将第二保护层和第一保护层蚀刻到预定厚度。
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公开(公告)号：KR1019940003054A
公开(公告)日：1994-02-19
申请号：KR1019930008144
申请日：1993-05-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L27/11
Abstract: 본 발명은, 두개의 패스트랜지스터와 두개의 풀다운트랜지스터를 가지며 비트 라인층에 연결된 스테이틱램셀에 있어서, 하나의 컨택홀을 통하여 상기 하나의 풀다운트랜지스터의 게이트전극층과 상기 하나의 패스트랜지스터의 소오스에 접촉되는 저항성의 로드층과, 상기 로드층의 상부까지 신장하며 하나의 컨택홀을 통하여 상기 게이트전극층과 상기 다른 하나의 풀다운트랜지스터의 드레인 공통으로 접촉된 도전성의 연결층과, 상기 로드층의 상부까지 신장하며 상기 하나의 패스트랜지스터의 드레인과 상기 비트라인층을 연결하는 도전성의 비트라인패드층을 구비함을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020070018639A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：KR1020050073498
申请日：2005-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/40 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 엠아이엠 커패시터를 갖는 반도체 소자들이 제공된다. 상기 반도체 소자들은 칩 영역 및 상기 칩 영역에 인접한 스크라이브 레인 영역을 갖는 반도체 기판을 구비한다. 상기 반도체 기판 상에 하부 층간절연막이 적층되고, 상기 칩 영역의 상기 하부 층간절연막 내에 하부 배선이 제공된다. 상기 하부 배선 및 상기 하부 층간절연막은 하부 캐핑 절연막으로 덮여지고, 상기 칩 영역의 상기 하부 캐핑 절연막 상에 하부 금속전극이 제공된다. 상기 하부 금속전극은 상기 하부 캐핑 절연막을 관통하는 콘택홀을 통하여 상기 하부배선에 전기적으로 접속된다. 상기 하부 금속전극 상에 유전체막 패턴이 적층되고, 상기 유전체막 패턴의 일 부분 상에 상부 금속전극이 제공된다. 상기 엠아이엠 커패시터의 제조방법 또한 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020060091343A
公开(公告)日：2006-08-21
申请号：KR1020050011838
申请日：2005-02-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14687
Abstract: 향상된 감도를 갖는 이미지 센서 및 그 제조 방법에서, 상기 이미지 센서는 기판의 제1 영역에 포토다이오드가 형성되어 있다. 상기 제1 영역에는, 제1 다층 배선을 포함하고, 상부면에는 상기 포토다이오드 각각에 대응하는 단위 픽셀의 광 입사면을 갖는 제1 층간 절연막 구조물이 형성되어 있다. 상기 제1 영역에 접하는 제2 영역에는, 상기 제1 다층 배선의 상부면보다 높은 상부면을 갖는 제2 다층 배선을 포함하고, 상부면이 상기 제1 층간 절연막 구조물의 광 입사면보다 높게 위치하는 제2 층간 절연막 구조물이 형성되어 있다. 상기 이미지 센서는 센싱 감도가 향상되고 입사각에 따른 센싱 광의 마진이 증가된다.
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公开(公告)号：KR1020050116709A
公开(公告)日：2005-12-13
申请号：KR1020040041859
申请日：2004-06-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이덕민
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H04N5/374
Abstract: An active pixel sensor (APS) is disclosed which amplifies an electrical charge generated by a light-receiving unit using a charge amplification unit and thereafter processes an output current or voltage corresponding to an amplified version of the electrical charge. The light-receiving unit receives a light signal and generates holes and electrons corresponding to the received light signal, and the charge amplification unit receives and amplifies either the electrons or the holes.
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