公开(公告)号：KR100652379B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020040072819

申请日：2004-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백현민 ,  이덕민

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: 포토다이오드와 마이크로 렌즈 사이에 금속층간절연막의 일부로 구성되는 이너 렌즈가 형성되어 있는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서는 상기 포토다이오드 영역에서 상기 층간절연막 위에 상기 포토다이오드와 대면하도록 이너 렌즈(inner lens)가 위치되어 있다. 상기 이너 렌즈는 상기 금속층간절연막의 일부로 이루어진다. 상기 포토다이오드 영역에서 상기 금속층간절연막을 관통하여 상기 이너 렌즈를 덮도록 광투과부가 형성되어 있다. 상기 광투과부는 상기 금속층간절연막 구성 물질과는 다른 물질로 이루어진다. 상기 이너 렌즈와 광투과부와의 사이에 라이너가 개재될 수 있다.
CMOS 이미지 센서, 이너 렌즈, 볼록 렌즈, 오목 렌즈, 집광

公开(公告)号：KR1020040067055A

公开(公告)日：2004-07-30

申请号：KR1020030004013

申请日：2003-01-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신화숙 ,  백현민

IPC: H01L27/092

Abstract: PURPOSE: A CDMOS device and a fabricating method thereof are provided to improve a break-down voltage by lowering the electric field generated from a boundary of a P-type drift region and an N-type source region. CONSTITUTION: A CMOS device includes a P-type well(42b), a N-type well(40b), a P-type source/drain region(52a,52b), a N-type source/drain region(50a,50b), and a plurality of gate electrodes(48a,48b). An epitaxial layer(36) is formed on an entire surface of a semiconductor device. A pattern is formed on the epitaxial layer in order to define a well region. An N-type well region is formed by implanting N-type ions into the pattern. A pattern is formed thereon in order to define a drift region. A P-type drift region(42a) is formed by implanting P-type ions into the pattern. A counter-doped region(42c) is formed by overlapping the P-type drift region on the N-type well region.

Abstract translation: 目的：提供CDMOS器件及其制造方法，通过降低从P型漂移区域和N型源极区域的边界产生的电场来提高击穿电压。 构成：CMOS器件包括P型阱（42b），N型阱（40b），P型源极/漏极区（52a，52b），N型源极/漏极区（50a，50b） ）和多个栅电极（48a，48b）。 在半导体器件的整个表面上形成外延层（36）。 为了限定阱区，在外延层上形成图案。 通过将N型离子注入到图案中形成N型阱区。 在其上形成图案以便限定漂移区域。 通过将P型离子注入到图案中来形成P型漂移区（42a）。 通过在N型阱区域上重叠P型漂移区域来形成反掺杂区域（42c）。

公开(公告)号：KR1020020058224A

公开(公告)日：2002-07-12

申请号：KR1020000086262

申请日：2000-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백현민 ,  이영기

IPC: H01L21/3205

Abstract: PURPOSE: A structure of a multi-layered wire for preventing a crack of an interlayer dielectric is provided to prevent the generation of cracks of the interlayer dielectric formed in a scribe line. CONSTITUTION: A main chip(A) and a scribe line(B) are formed on a semiconductor chip(200). A plurality of metal layers(210) are formed on the main chip(A) the semiconductor chip(200). A plurality of metal layers(220) are formed on the scribe line(B). An interlayer dielectric(230) is formed between each metal layer(210,220). The interlayer dielectric(230) is formed with a floating oxide layer in order to reduce parasitic capacitance of a semiconductor device. End portions of all metal layers(220) of the scribe line(B) do not correspond to each other and the stress of the interlayer dielectric(230) is reduce in a thermal process thereby.

Abstract translation: 目的：提供用于防止层间电介质的裂纹的多层线的结构，以防止在划线中形成的层间电介质的裂纹的产生。 构成：在半导体芯片（200）上形成有主芯片（A）和划线（B）。 在半导体芯片（200）的主芯片（A）上形成有多个金属层（210）。 在划线（B）上形成多个金属层（220）。 在每个金属层（210,220）之间形成层间电介质（230）。 为了减少半导体器件的寄生电容，层间电介质（230）形成有浮动氧化物层。 划线（B）的所有金属层（220）的端部彼此不对应，并且因此在热处理中层间电介质（230）的应力减小。

公开(公告)号：KR1020060023897A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：KR1020040072819

申请日：2004-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백현민 ,  이덕민

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: 포토다이오드와 마이크로 렌즈 사이에 금속층간절연막의 일부로 구성되는 이너 렌즈가 형성되어 있는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서는 상기 포토다이오드 영역에서 상기 층간절연막 위에 상기 포토다이오드와 대면하도록 이너 렌즈(inner lens)가 위치되어 있다. 상기 이너 렌즈는 상기 금속층간절연막의 일부로 이루어진다. 상기 포토다이오드 영역에서 상기 금속층간절연막을 관통하여 상기 이너 렌즈를 덮도록 광투과부가 형성되어 있다. 상기 광투과부는 상기 금속층간절연막 구성 물질과는 다른 물질로 이루어진다. 상기 이너 렌즈와 광투과부와의 사이에 라이너가 개재될 수 있다.
CMOS 이미지 센서, 이너 렌즈, 볼록 렌즈, 오목 렌즈, 집광

Abstract translation: 一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中由金属层间绝缘膜的一部分构成的内透镜形成在光电二极管和微透镜之间。 在根据本发明的CMOS图像传感器中，内部透镜设置在光电二极管区域中的层间绝缘膜上以面对光电二极管。 内透镜由金属间绝缘膜的一部分构成。 并且透光部分形成为通过光电二极管区域中的层间绝缘膜覆盖内透镜。 透光部分由与构成层间绝缘膜的材料不同的材料制成。 衬里可以插入内透镜和透光部分之间。

公开(公告)号：KR100827447B1

公开(公告)日：2008-05-06

申请号：KR1020070007665

申请日：2007-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배정훈 ,  오태석 ,  김기홍 ,  백현민 ,  박원제 ,  박정호

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14647 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14656 ,  H01L27/14689

Abstract: An image sensor, a manufacturing method thereof, and an image sensing method are provided to suppress a crosstalk due to a random drift of charges by forming a potential barrier on a lower substrate region. A photoelectric converter(110) is formed in a semiconductor substrate(101) with a depth between 1 and 3 mum and includes a photodiode with a second conductivity type and a capping layer with a first conductivity type. The photodiode accumulates charges corresponding to an incident beam. The capping layer is formed on the photodiode. A charge detector(120) receives the accumulated charges from the photoelectric converter and converts the charges into an electrical signal. A charge transfer part(130) delivers the accumulated charges to the charge detector. A voltage application unit(Vb) applies voltages on the capping layer and a lower portion of the semiconductor substrate, such that a width of a depletion layer is adjusted. The depletion layer is formed on the photodiode.

Abstract translation: 提供了图像传感器及其制造方法和图像感测方法，以通过在下基板区域上形成势垒来抑制由于电荷的随机漂移引起的串扰。 光电转换器（110）形成在深度在1至3μm之间的半导体衬底（101）中，并且包括具有第二导电类型的光电二极管和具有第一导电类型的覆盖层。 光电二极管累积与入射光束对应的电荷。 覆盖层形成在光电二极管上。 电荷检测器（120）从光电转换器接收累积的电荷并将电荷转换成电信号。 电荷转移部分（130）将累积的电荷传送到电荷检测器。 电压施加单元（Vb）在覆盖层和半导体衬底的下部施加电压，从而调整耗尽层的宽度。 耗尽层形成在光电二极管上。

公开(公告)号：KR1020030047517A

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：KR1020010078165

申请日：2001-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장동열 ,  백현민

IPC: H01L29/78

Abstract: PURPOSE: A MOS transistor having an elevated source/drain region and a fabricating method thereof are provided to form easily the elevated source/drain region by etching selectively a gate forming region. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(200) has a main surface. A recessed region is formed on a predetermined region of the semiconductor substrate. A surface of the recessed region is lower than the main surface of the semiconductor substrate. A gate insulating layer(220) and a gate electrode(225a) are stacked on the recessed region. An elevated source and drain(230,240) are formed on the semiconductor substrate of both sides of the gate electrode. The elevated source and drain are formed on the main surface of the semiconductor substrate adjacent to the recessed region. A gate spacer(235a) is formed on a sidewall of the gate electrode. A lightly doped source and a lightly doped drain are formed on a lower end of the gate spacer.

Abstract translation: 目的：通过选择性地蚀刻栅极形成区域，提供具有升高的源极/漏极区域及其制造方法的MOS晶体管，以容易地形成升高的源极/漏极区域。 构成：半导体衬底（200）具有主表面。 在半导体衬底的预定区域上形成凹陷区域。 凹陷区域的表面低于半导体衬底的主表面。 栅极绝缘层（220）和栅电极（225a）堆叠在凹陷区域上。 在栅极两侧的半导体衬底上形成升高的源极和漏极（230,240）。 升高的源极和漏极形成在与凹陷区域相邻的半导体衬底的主表面上。 栅极间隔物（235a）形成在栅电极的侧壁上。 在栅极间隔物的下端形成轻掺杂源和轻掺杂漏极。

公开(公告)号：KR1020090022512A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020070087905

申请日：2007-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백현민 ,  오태석 ,  최종원 ,  오수영

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687

Abstract: An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to cure the physical damage of the upper side of the photo diode in order to prevent the generation of the dark current. An image sensor comprises a substrate(101), a gate electrode(130), a photo diode(110), a stress layer pattern(315) and a hydrogen passivation insulating layer(330). The gate electrode is arranged on the top of the substrate. The photo diode is arranged on the substrate in order to be positioned at the neighboring of the gate electrode. The stress layer pattern is arranged on the top of the substrate in order to cover the gate electrode. The hydrogen passivation insulating layer is arranged on the photo diode.

Abstract translation: 提供了图像传感器及其制造方法，以固化光电二极管的上侧的物理损伤，以防止产生暗电流。 图像传感器包括基板（101），栅电极（130），光电二极管（110），应力层图案（315）和氢钝化绝缘层（330）。 栅电极设置在基板的顶部。 光电二极管被布置在基板上，以便位于栅电极的相邻处。 应力层图案布置在基板的顶部上以覆盖栅电极。 氢钝化绝缘层设置在光电二极管上。