公开(公告)号：KR101023916B1

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：KR1020040095797

申请日：2004-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현담 ,  신현진

IPC: C08G77/04

Abstract: 본 발명은 분자 다면체형 실세스퀴옥산을 이용한 반도체 층간 절연막의 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 분자 다면체형 실세스퀴옥산을 실록산계 수지의 단량체로 사용하거나 또는 분자 다면체형 실세스퀴옥산 자체를 기공형성 물질로 사용하여 절연막 형성용 조성물을 제조한 후 이를 이용하여 절연막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법을 이용하면 저유전 특성 및 기계적 물성이 우수한 반도체 층간 절연막을 제공할 수 있다.

분자 다면체형 실세스퀴옥산, 실록산계 수지, 반도체 층간 절연막, 저유전, 모듈러스, 경도

公开(公告)号：KR1020070121380A

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：KR1020060056365

申请日：2006-06-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장은주 ,  정현담 ,  전신애 ,  선종백

IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C09D1/00 ,  B82Y30/00

Abstract: A thin film containing nano crystalline particles is provided to reduce the grain boundary of a thin film by using a nano crystal as a nucleus of crystal growth in a thin film including nano crystalline particles. At least one kind of nano particle precursor is melted in a dispersant and an organic solvent and is heated at a high temperature for a predetermined interval of time to grow a crystal so that nano crystalline particles are fabricated. The organic dispersant existing on the surface of the nano crystalline particles is replaced by a dispersant having a high affinity with a solvent. A molecular precursor is melted in an organic solvent to fabricate a molecular precursor solution. The solution of the nano crystalline particles is mixed with the molecular precursor solution to fabricate a mixture solution of nano particles and molecular precursor. After the mixture solution is coated on the substrate, a heat treatment is performed to obtain a thin film. The nano crystalline particles can be semiconductor nano crystalline particles or metal oxide nano crystalline particles.

Abstract translation: 提供含有纳米结晶粒子的薄膜，通过在纳米结晶粒子的薄膜中使用纳米晶体作为晶体生长的核心来减少薄膜的晶界。 将至少一种纳米颗粒前体在分散剂和有机溶剂中熔融，并在高温下加热预定的时间以生长晶体，从而制造纳米结晶颗粒。 存在于纳米结晶粒子表面的有机分散剂由与溶剂亲和性高的分散剂代替。 分子前体在有机溶剂中熔化以制备分子前体溶液。 将纳米结晶颗粒的溶液与分子前体溶液混合以制备纳米颗粒和分子前体的混合溶液。 将混合溶液涂布在基板上之后，进行热处理以获得薄膜。 纳米结晶颗粒可以是半导体纳米结晶颗粒或金属氧化物纳米结晶颗粒。

公开(公告)号：KR1020030094432A

公开(公告)日：2003-12-12

申请号：KR1020020031238

申请日：2002-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현담 ,  김정배

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for improving the thin film characteristic of a porous dielectric layer is provided to be capable of reducing dielectric constant and decreasing leakage current. CONSTITUTION: A dielectric layer is formed at the upper portion of a substrate by carrying out a precursor solution coating process. A baking process is carried out at the coated dielectric layer. Then, the baked dielectric layer is hardened. A plurality of porosities are formed at the baked dielectric layer by using a heat treatment or UV(UltraViolet) rays for completing a porous dielectric layer. Preferably, the porous dielectric layer is capable of being formed by using a CVD(Chemical Vapor Deposition) process. Preferably, the precursor solution contains aerogel or xerogel.

Abstract translation: 目的：提供一种改善多孔电介质层的薄膜特性的方法，其能够降低介电常数并减小漏电流。 构成：通过进行前体溶液涂布工艺在基板的上部形成介电层。 在涂覆的介电层进行烘烤处理。 然后，烘烤的电介质层被硬化。 通过使用热处理或UV（UltraViolet）射线来完成多孔介电层，在焙烧的介电层上形成多个孔隙率。 优选地，多孔介电层能够通过使用CVD（化学气相沉积）方法形成。 优选地，前体溶液含有气凝胶或干凝胶。

公开(公告)号：KR1020010056240A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：KR1019990057625

申请日：1999-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현담 ,  김일구

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A method for forming an intermetallic dielectric layer of a semiconductor device is provided to improve an ashing removal of a photoresist pattern used for forming a via hole in the intermetallic dielectric layer and thereby to prevent a via failure due to ashing damage. CONSTITUTION: In the method, after a metal interconnection line(200) is formed on a semiconductor substrate(100) covered with an insulating layer(150), the intermetallic dielectric layer(300) with low dielectric constant is formed thereon. Preferably, the metal interconnection line(200) is formed of aluminum, and the intermetallic dielectric layer(300) is formed of methyl silsesquioxane. Next, a capping insulating layer(400) is formed on the intermetallic dielectric layer(300), and then the photoresist pattern is formed thereon. Next, by using the photoresist pattern as a mask, the capping layer(400) and the dielectric layer(300) are sequentially patterned to expose the interconnection layer(200) through a via hole(350). The photoresist pattern is then removed by a low temperature ashing manner under about 150°C, and also a surface(30') of the dielectric layer(300) exposed to the via hole(350) is oxidized. Next, a surface(20') of the interconnection layer(200) is oxidized while keeping the substrate(100) at a temperature of about 250°C or more.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的金属间介电层的方法，以改善用于在金属间介电层中形成通孔的光致抗蚀剂图案的灰化去除，从而防止由于灰化损伤导致的通孔故障。 构成：在该方法中，在由绝缘层（150）覆盖的半导体基板（100）上形成金属配线（200）之后，形成介电常数低的金属间介电层（300）。 优选地，金属互连线（200）由铝形成，金属间介电层（300）由甲基硅倍半氧烷形成。 接下来，在金属间介电层（300）上形成覆盖绝缘层（400），然后在其上形成光刻胶图案。 接下来，通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模，封盖层（400）和电介质层（300）被顺序地图案化以通过通孔（350）暴露互连层（200）。 然后在约150℃下通过低温灰化方式去除光致抗蚀剂图案，并且暴露于通孔（350）的电介质层（300）的表面（30'）也被氧化。 接下来，互连层（200）的表面（20'）被氧化，同时保持基板（100）处于约250℃或更高的温度。

公开(公告)号：KR1020000061240A

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019990010145

申请日：1999-03-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이수근 ,  정현담

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for improving a via contact of a semiconductor device is provided to eliminate or minimize a Si-OH bonding structure formed by an ashing process without a high temperature bake process. CONSTITUTION: A method for improving a via contact of a semiconductor device comprises the steps of: forming a semiconductor device structure in and on a semiconductor substrate; covering the semiconductor device structure with an insulating material; depositing a first metal layer on the insulating material, and patterning the first metal layer; sequentially forming an interlayer dielectric and a via opening on the patterned first metal layer; ashing a photoresist layer on the interlayer dielectric; and performing a nitrogen plasma process to eliminate a Si-OH bonding structure in a layer formed by the ashing, and forming a via contact.

Abstract translation: 目的：提供一种用于改善半导体器件的通孔接触的方法，以消除或最小化通过灰化处理形成的Si-OH键合结构而不进行高温烘烤处理。 构成：用于改善半导体器件的通孔接触的方法包括以下步骤：在半导体衬底中和半导体衬底上形成半导体器件结构; 用绝缘材料覆盖半导体器件结构; 在所述绝缘材料上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行构图; 在图案化的第一金属层上依次形成层间电介质和通路孔; 在层间电介质上灰化光致抗蚀剂层; 并进行氮等离子体处理，以消除由灰化形成的层中的Si-OH键合结构，形成通孔接触。

公开(公告)号：KR1019990065761A

公开(公告)日：1999-08-05

申请号：KR1019980001195

申请日：1998-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현담

IPC: H01L21/28

Abstract: 금속 확산방지막을 사용할 때 발생하는 배선저항의 문제를 해결하기 위해 절연막의 표면을 질화시켜 질화막을 형성하고 이를 구리로 이루어진 금속배선의 확산방지막으로 사용하는 구리를 이용한 반도체 장치의 금속배선 형성방법이 제공된다. 본 발명의 방법에 의하면, 반도체 기판 상에 패터닝된 절연막을 형성하고, 상기 절연막을 플라즈마 처리하여 절연막 표면에 존재하는 실라놀기를 제거 내지 감소시킨 다음, 상기 절연막을 질소를 함유하는 물질로 플라즈마 처리하여 질화막으로 이루어진 확산방지막을 형성하며, 상기 확산방지막 상에 구리막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100883107B1

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：KR1020070035116

申请日：2007-04-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전재춘 ,  정현담

IPC: H04W76/02 ,  H04B7/26

Abstract: 본 발명은 휴대단말기에서 영상통화를 수행하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 휴대단말기에서 영상통화를 수행하는 방법은 발신단말기가 코어네트워크를 통하여 착신단말기에서 설정한 통화 대기 영상 서비스를 제공하는 서버와 접속을 수행하는 단계, 상기 발신단말기가 상기 서버와 접속 수행 과정에서 상기 착신단말기로부터 호 연결 메시지를 수신하면, 상기 서버와의 접속을 종료하는 단계, 상기 서버와의 접속을 종료하고 상기 착신단말기와의 영상통화를 수행하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 본 발명은 휴대단말기에서 영상통화 시에 발생하는 오류를 제어하여 통화연결의 지연 등을 방지하는 영상통화 방법을 제공한다.
휴대단말기, 영상통화, 화상통화, 동기화, 동기화오류

公开(公告)号：KR1020060090478A

公开(公告)日：2006-08-11

申请号：KR1020050011399

申请日：2005-02-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현담 ,  신현진

IPC: H01B3/46

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 임의의 하나의 종류의 입체이성질체 만으로 된 실란 단량체 또는 이를 중합하여 수득된 실록산 중합체를 포함하는 저유전 박막 형성용 조성물 및 이를 이용한 저유전 박막의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 조성물에 의하면 매트릭스의 규칙성이 향상되어 기계적 물성이 우수하고, 분자성 자유공간(molecular free volume)에 의한 기공 형성이 증진되어 유전율이 낮은 저유전 박막을 수득할 수 있다.
실록산 단량체, 실록산 폴리머, 입체이성질체, 시스, 트랜스, 기공형성, 유전율, 모듈러스, 경도

公开(公告)号：KR1020050058894A

公开(公告)日：2005-06-17

申请号：KR1020030090909

申请日：2003-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재준 ,  선종백 ,  정현담 ,  임진형 ,  신현진

IPC: G03F7/075

CPC classification number: C07F7/0859 ,  C07F7/1836 ,  C08G77/50

Abstract: 본 발명은 신규한 다반응성 선형 실록산계 화합물, 상기 화합물로부터 제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 모듈러스 등 기계적 물성과 열적 안정성이 뛰어나고 탄소함량 및 흡습률이 낮은 중합체를 제공할 수 있는 신규한 다반응성 선형 실록산 화합물, 상기 선형 실록산 화합물 또는 상기 화합물과 다른 단량체부터 제조된 실록산 중합체에 관한 것이고, 아울러 상기 중합체를 포함한 코팅액을 열경화하는 단계를 포함한 절연막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실록산 화합물은 높은 반응성을 가지며, 그로부터 제조된 중합체는 우수한 기계적 물성, 열안정성 및 균열 저항성을 가질 뿐만 아니라, 낮은 흡습률을 나타내며 기공형성물질과의 상용성도 우수하여 낮은 절연계수를 가질 수 있고, 나아가, 중합체 내에 탄소함량이 낮고 SiO
2 의 함량이 높아 반도체 공정에로의 적용성이 향상되어 반도체 소자의 절연막으로써 유용하게 사용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050024721A

公开(公告)日：2005-03-11

申请号：KR1020030060811

申请日：2003-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류이열 ,  임진형 ,  송기용 ,  정현담 ,  류준성

IPC: C08G77/14

CPC classification number: C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/31663

Abstract: PURPOSE: Provided are a siloxane-based resin with superior solubility in an organic solvent and good fluidity, and an interlayer insulating film formed therefrom having excellent mechanical physical properties. CONSTITUTION: The siloxane-based resin is prepared by hydrolysis and condensation of a monomer represented by the formula 1 and a monomer selected from the group consisting of compounds represented by the formula 2 to 6 in the presence of an organic solvent using an acid or a basic catalyst, and water. In the formula 1-6, R, R1 and R2 are independently a hydrogen atom, a C1-C3 alkyl group, a C6-C10 cycloalkyl group, or a C6-C15 aryl group, X1-X6 are independently a halogen atom or a C1-C5 alkoxy group, m is an integer of 1-5, n and s is an integer of 1-3, p and q are each an integer of 0-1, r is an integer of 0-10, and t is an integer of 3-8. The interlayer insulating film is formed by dissolving such siloxane-based resin in an organic solvent and coating the solution onto a silicone substrate, followed by heat-curing.

Abstract translation: 目的：提供在有机溶剂中具有优异溶解性和良好流动性的硅氧烷类树脂，以及由其形成的层间绝缘膜具有优异的机械物理性能。 构成：硅氧烷类树脂通过在有机溶剂的存在下使用酸或其盐的水解和缩合由式1表示的单体和选自由式2至6表示的化合物的单体制备 碱性催化剂和水。 在式1-6中，R 1，R 2和R 2独立地为氢原子，C 1 -C 3烷基，C 6 -C 10环烷基或C 6 -C 15芳基，X 1 -X 6独立地为卤素原子或 C1-C5烷氧基，m为1-5的整数，n和s为1-3的整数，p和q各自为0-1的整数，r为0-10的整数，t为 一个3-8的整数。 层间绝缘膜通过将这种硅氧烷类树脂溶解在有机溶剂中并将溶液涂布在硅树脂基材上，然后进行热固化而形成。