RNF20의 신장암 또는 간암 진단, 치료 및 치료제 스크리닝 용도
    1.
    发明申请
    RNF20의 신장암 또는 간암 진단, 치료 및 치료제 스크리닝 용도 审中-公开
    使用RNF20诊断,治疗和筛查肾癌或肝癌

    公开(公告)号:WO2018074770A1

    公开(公告)日:2018-04-26

    申请号:PCT/KR2017/011172

    申请日:2017-10-11

    Inventor: 김재범 이재호

    Abstract: 본원은 RNF20의 신장암 또는 간암의 치료제 및 진단용 마커로서의 용도를 개시한다. 또한 본원은 RNF20-SREBP1c-PTTG1 및 RNF20-SREBP1c-지방생합성 경로를 기반으로 하는 새로운 분자기전을 이용한 RNF20의 이상과 관련된 암 치료제 스크리닝 방법을 개시한다.

    Abstract translation:

    本申请公开了使用作为RNF20的肾脏或肝脏癌症治疗剂和诊断用标记物。 此外,本申请公开了一种方法,用于筛选与RNF20的至少使用基于RNF20-SREBP1c-PTTG1和RNF20-SREBP1c-的一个新的分子机制脂肪生物合成途径相关的癌症。

    소화기에 장착되는 안전장치 및 그를 이용한 안전 서비스 제공 방법
    3.
    发明公开
    소화기에 장착되는 안전장치 및 그를 이용한 안전 서비스 제공 방법 有权
    适用于灭火器的安全装置及使用该灭火装置提供安全服务的方法

    公开(公告)号:KR1020160105711A

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:KR1020150070502

    申请日:2015-05-20

    Abstract: 본발명은소화기에장착되는안전장치및 그를이용한안전서비스제공방법에관한것이다. 소화기에장착되는안전장치는상기소화기의사용을감지하는경우제1경보발생정보를생성하는감지부, 상기안전장치와상이한제1외부안전장치로부터제2경보발생정보를수신하고, 상기제1경보발생정보또는상기제2경보발생정보를, 상기안전장치와상이한제2 외부안전장치, 서버및 사용자단말중 적어도하나로송신하는장치통신부를포함할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种安装在灭火器上的安全装置及其安全服务提供方法。 安装在灭火器上的安全装置包括:感测单元,被配置为在感测到灭火器的使用时产生第一警告产生信息; 以及设备通信单元,被配置为从与所述安全设备不同的第一外部安全设备接收第二警告生成信息,并且将所述第一警告生成信息或所述第二警告生成信息发送到所述第二安全装置中的至少一个, 安全装置,服务器和用户终端。 因此,在紧急情况下,安全装置能够引起灭火器的使用。

    튜너블 배리어를 구비한 그래핀 스위칭 소자
    4.
    发明公开
    튜너블 배리어를 구비한 그래핀 스위칭 소자 审中-实审
    具有可调节障碍物的石墨切换装置

    公开(公告)号:KR1020140054744A

    公开(公告)日:2014-05-09

    申请号:KR1020120120611

    申请日:2012-10-29

    Abstract: Disclosed is a graphene switching device having a tunable barrier. The disclosed graphene switching device includes a first electrode and an insulating layer which are respectively arranged in a first region and a second region which are separated from each other on a conductive semiconductor substrate, a graphene layer which is extended from the insulating layer to the first electrode on the substrate and is separated from the first electrode, a second electrode which faces the insulating layer on the graphene layer, a gate electrode above the graphene layer, and a first well which has a region of the substrate which touches the lower part of the graphene layer which is doped with impurity. The first wall has an energy barrier which is between the graphene layer and the first electrode.

    Abstract translation: 公开了一种具有可调屏障的石墨烯开关装置。 所公开的石墨烯开关装置包括分别布置在导电半导体衬底上彼此分离的第一区域和第二区域中的第一电极和绝缘层,从绝缘层延伸到第一区域的石墨烯层 电极与第一电极分离,面对石墨烯层上的绝缘层的第二电极,石墨烯层上方的栅极电极和第一阱,该第一阱具有接触下述部分的基板的下部 掺杂有杂质的石墨烯层。 第一壁具有在石墨烯层和第一电极之间的能量势垒。

    그래핀을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법
    9.
    发明公开
    그래핀을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
    包含石墨的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120048241A

    公开(公告)日:2012-05-15

    申请号:KR1020100109778

    申请日:2010-11-05

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve applicability of a high speed operation element by forming an inter layer dielectric and a gate insulating layer by using different material. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on a substrate(10). The gate electrode comprises a projected gate finger. A gate insulating layer(13) is formed on the gate electrode. An inter-layer insulating film(11) is formed on the side of the gate insulating layer and the gate electrode. The inter-layer insulating film comprises a material having dielectric permittivity lower than the gate insulating layer. A graphene layer(14) is formed on the gate insulating layer and the inter-layer insulating film. A source(15a) and a drain(15b) are formed on the graphene layer. Graphene is formed in the lower side of the graphene layer between the source and drain.

    Abstract translation: 目的:提供半导体器件及其制造方法,以通过使用不同的材料形成层间电介质和栅绝缘层来提高高速工作元件的适用性。 构成:在基板(10)上形成栅电极(12)。 栅极电极包括投影的栅极指状物。 栅极绝缘层(13)形成在栅电极上。 在栅极绝缘层和栅电极的一侧形成层间绝缘膜(11)。 层间绝缘膜包括具有低于栅极绝缘层的介电常数的材料。 在栅极绝缘层和层间绝缘膜上形成石墨烯层(14)。 源极(15a)和漏极(15b)形成在石墨烯层上。 在源极和漏极之间的石墨烯层的下侧形成石墨烯。

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