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公开(公告)号:WO2018074770A1
公开(公告)日:2018-04-26
申请号:PCT/KR2017/011172
申请日:2017-10-11
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: A61K48/00 , G01N33/574 , G01N33/50 , C12Q1/68
Abstract: 본원은 RNF20의 신장암 또는 간암의 치료제 및 진단용 마커로서의 용도를 개시한다. 또한 본원은 RNF20-SREBP1c-PTTG1 및 RNF20-SREBP1c-지방생합성 경로를 기반으로 하는 새로운 분자기전을 이용한 RNF20의 이상과 관련된 암 치료제 스크리닝 방법을 개시한다.
Abstract translation:
本申请公开了使用作为RNF20的肾脏或肝脏癌症治疗剂和诊断用标记物。 此外,本申请公开了一种方法,用于筛选与RNF20的至少使用基于RNF20-SREBP1c-PTTG1和RNF20-SREBP1c-的一个新的分子机制脂肪生物合成途径相关的癌症。 P>
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公开(公告)号:KR101910579B1
公开(公告)日:2018-10-22
申请号:KR1020120120611
申请日:2012-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1606 , H01L29/407 , H01L29/66977 , H01L29/772 , H01L29/872 , H01L29/88
Abstract: 튜너블배리어를구비한그래핀스위칭소자가개시된다. 개시된그래핀스위칭소자는도전성반도체기판상에서서로이격된제1영역및 제2영역에각각배치된제1 전극및 절연층과, 상기절연층상에서상기제1 전극을향하여상기기판상으로연장되며상기제1 전극과이격된그래핀층과, 상기그래핀층상에서상기절연층과마주보는제2 전극과, 상기그래핀층상방의게이트전극과, 상기그래핀층하부와접촉하는상기기판의영역이불순물로도핑된제1 우물을포함한다. 상기제1 우물은상기그래핀층과상기제1 전극사이에에너지장벽을형성한다.
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公开(公告)号:KR1020160105711A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:KR1020150070502
申请日:2015-05-20
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은소화기에장착되는안전장치및 그를이용한안전서비스제공방법에관한것이다. 소화기에장착되는안전장치는상기소화기의사용을감지하는경우제1경보발생정보를생성하는감지부, 상기안전장치와상이한제1외부안전장치로부터제2경보발생정보를수신하고, 상기제1경보발생정보또는상기제2경보발생정보를, 상기안전장치와상이한제2 외부안전장치, 서버및 사용자단말중 적어도하나로송신하는장치통신부를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种安装在灭火器上的安全装置及其安全服务提供方法。 安装在灭火器上的安全装置包括:感测单元,被配置为在感测到灭火器的使用时产生第一警告产生信息; 以及设备通信单元,被配置为从与所述安全设备不同的第一外部安全设备接收第二警告生成信息,并且将所述第一警告生成信息或所述第二警告生成信息发送到所述第二安全装置中的至少一个, 安全装置,服务器和用户终端。 因此,在紧急情况下,安全装置能够引起灭火器的使用。
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公开(公告)号:KR1020140054744A
公开(公告)日:2014-05-09
申请号:KR1020120120611
申请日:2012-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1606 , H01L29/407 , H01L29/66977 , H01L29/772 , H01L29/872 , H01L29/88
Abstract: Disclosed is a graphene switching device having a tunable barrier. The disclosed graphene switching device includes a first electrode and an insulating layer which are respectively arranged in a first region and a second region which are separated from each other on a conductive semiconductor substrate, a graphene layer which is extended from the insulating layer to the first electrode on the substrate and is separated from the first electrode, a second electrode which faces the insulating layer on the graphene layer, a gate electrode above the graphene layer, and a first well which has a region of the substrate which touches the lower part of the graphene layer which is doped with impurity. The first wall has an energy barrier which is between the graphene layer and the first electrode.
Abstract translation: 公开了一种具有可调屏障的石墨烯开关装置。 所公开的石墨烯开关装置包括分别布置在导电半导体衬底上彼此分离的第一区域和第二区域中的第一电极和绝缘层,从绝缘层延伸到第一区域的石墨烯层 电极与第一电极分离,面对石墨烯层上的绝缘层的第二电极,石墨烯层上方的栅极电极和第一阱,该第一阱具有接触下述部分的基板的下部 掺杂有杂质的石墨烯层。 第一壁具有在石墨烯层和第一电极之间的能量势垒。
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公开(公告)号:KR101216969B1
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:KR1020090076942
申请日:2009-08-19
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 주식회사 디디에이치
IPC: G06Q30/06
Abstract: 본발명은상품가격을고려한상품추천시스템및 그추천방법에관한것으로서, 보다상세하게는상품이나고객간의연관성을이용하여전자상거래상의상품을추천하는협력필터링(Collaborative Filtering) 알고리즘을기반으로하면서최종적인상품추천에는상품의가격요소에가중치를부여하여판매자의이익을극대화함과아울러, 가격가중계수를적응적으로변화시키며결정함으로써쇼핑몰고객의추천만족도를해하지않는범위내에서매출을극대화할수 있는상품가격을고려한상품추천시스템및 그추천방법에관한것이다.
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公开(公告)号:KR101983435B1
公开(公告)日:2019-09-03
申请号:KR1020160136569
申请日:2016-10-20
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: A61K48/00 , G01N33/574 , G01N33/50 , C12Q1/68
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公开(公告)号:KR101910976B1
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:KR1020120077368
申请日:2012-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L29/1095 , H01L29/1606 , H01L29/66045 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/78684 , Y10S977/734 , Y10S977/842 , Y10S977/938
Abstract: 본개시는그래핀채널층을포함하는고성능전계효과트랜지스터에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면기판과, 상기기판상에마련되며슬릿을구비하고있는그래핀채널층과, 상기그래핀채널층에전압을인가하기위해마련되며서로이격되어형성되는소스전극과드레인전극과, 상기그래핀채널층에전계를형성하기위해마련되는게이트전극및 상기그래핀채널층과상기게이트전극사이에마련되는게이트절연층을포함하는전계효과트랜지스터를제공할수 있다.
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公开(公告)号:KR101895383B1
公开(公告)日:2018-09-05
申请号:KR1020170080663
申请日:2017-06-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: F22B3/00 , F22B37/26 , F25B30/02 , F25B41/003
Abstract: 본발명은, 플래시탱크에서토출된저압의스팀을압축기에서토출한고온의냉매와열교환시켜가열함으로써, 스팀의온도와엔탈피를향상시키고, 과열기에서가열된스팀을증기압축기와스팀분리기를차례로통과시킴으로써, 고온고압이고건도가높은고품질의스팀을생성할수 있다. 또한, 플래시탱크내부의온수의온도, 플래시탱크에서생성된스팀의온도와압력에따라과열기로공급되는냉매의유량을제어함으로써, 효율이보다향상될수 있다.
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公开(公告)号:KR1020120048241A
公开(公告)日:2012-05-15
申请号:KR1020100109778
申请日:2010-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41758 , H01L29/66477 , H01L29/778 , H01L29/66431
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve applicability of a high speed operation element by forming an inter layer dielectric and a gate insulating layer by using different material. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on a substrate(10). The gate electrode comprises a projected gate finger. A gate insulating layer(13) is formed on the gate electrode. An inter-layer insulating film(11) is formed on the side of the gate insulating layer and the gate electrode. The inter-layer insulating film comprises a material having dielectric permittivity lower than the gate insulating layer. A graphene layer(14) is formed on the gate insulating layer and the inter-layer insulating film. A source(15a) and a drain(15b) are formed on the graphene layer. Graphene is formed in the lower side of the graphene layer between the source and drain.
Abstract translation: 目的:提供半导体器件及其制造方法,以通过使用不同的材料形成层间电介质和栅绝缘层来提高高速工作元件的适用性。 构成:在基板(10)上形成栅电极(12)。 栅极电极包括投影的栅极指状物。 栅极绝缘层(13)形成在栅电极上。 在栅极绝缘层和栅电极的一侧形成层间绝缘膜(11)。 层间绝缘膜包括具有低于栅极绝缘层的介电常数的材料。 在栅极绝缘层和层间绝缘膜上形成石墨烯层(14)。 源极(15a)和漏极(15b)形成在石墨烯层上。 在源极和漏极之间的石墨烯层的下侧形成石墨烯。
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公开(公告)号:KR101791938B1
公开(公告)日:2017-11-02
申请号:KR1020100138041
申请日:2010-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 복수의그래핀채널층을구비한그래핀전자소자가개시된다. 개시된그래핀전자소자는기판상의게이트전극과, 상기기판상에서상기게이트전극을덮는제1 게이트절연막과, 상기제1 게이트절연막상에서, 그사이에제2 게이트절연막이개재된복수의그래핀채널층과, 상기복수의그래핀채널층의각 그래핀채널층의양단부와연결된소스전극및 드레인전극을구비한다.
Abstract translation: 公开了具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。 它公开的石墨烯电子器件和覆盖在栅电极上的栅电极的第一栅极绝缘膜,和在基板上的基板,栅极上的第一绝缘膜,以及所述多个第二栅极绝缘膜的隔着鳍沟道层; 并且源电极和漏电极连接到多个石墨烯沟道层中的每个石墨烯沟道层的两端。
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