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公开(公告)号：KR101910976B1
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：KR1020120077368
申请日：2012-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L29/1095 , H01L29/1606 , H01L29/66045 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/78684 , Y10S977/734 , Y10S977/842 , Y10S977/938
Abstract: 본개시는그래핀채널층을포함하는고성능전계효과트랜지스터에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면기판과, 상기기판상에마련되며슬릿을구비하고있는그래핀채널층과, 상기그래핀채널층에전압을인가하기위해마련되며서로이격되어형성되는소스전극과드레인전극과, 상기그래핀채널층에전계를형성하기위해마련되는게이트전극및 상기그래핀채널층과상기게이트전극사이에마련되는게이트절연층을포함하는전계효과트랜지스터를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140010720A
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020120077368
申请日：2012-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L29/1095 , H01L29/1606 , H01L29/66045 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/78684 , Y10S977/734 , Y10S977/842 , Y10S977/938
Abstract: The present invention relates to a high-performance field effect transistor including a graphene channel layer. According to one embodiment of the present invention, the field effect transistor includes: a substrate; a grapheme channel layer which is placed on the substrate and includes a slit; a source electrode and a drain electrode which apply a voltage to the graphene channel layer and are placed at an interval; a gate electrode which forms an electric field in the graphene channel layer; and a gate insulation layer which is placed between the graphene channel layer and the gate electrode.
Abstract translation: 本发明涉及包括石墨烯通道层的高性能场效应晶体管。 根据本发明的一个实施例，场效应晶体管包括：衬底; 一个放置在基片上并包括狭缝的图形通道层; 源极电极和漏电极，其对石墨烯沟道层施加电压并以一定间隔放置; 在所述石墨烯沟道层中形成电场的栅电极; 以及位于石墨烯通道层和栅电极之间的栅极绝缘层。
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公开(公告)号：KR101910579B1
公开(公告)日：2018-10-22
申请号：KR1020120120611
申请日：2012-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1606 , H01L29/407 , H01L29/66977 , H01L29/772 , H01L29/872 , H01L29/88
Abstract: 튜너블배리어를구비한그래핀스위칭소자가개시된다. 개시된그래핀스위칭소자는도전성반도체기판상에서서로이격된제1영역및 제2영역에각각배치된제1 전극및 절연층과, 상기절연층상에서상기제1 전극을향하여상기기판상으로연장되며상기제1 전극과이격된그래핀층과, 상기그래핀층상에서상기절연층과마주보는제2 전극과, 상기그래핀층상방의게이트전극과, 상기그래핀층하부와접촉하는상기기판의영역이불순물로도핑된제1 우물을포함한다. 상기제1 우물은상기그래핀층과상기제1 전극사이에에너지장벽을형성한다.
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公开(公告)号：KR1020140054744A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020120120611
申请日：2012-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1606 , H01L29/407 , H01L29/66977 , H01L29/772 , H01L29/872 , H01L29/88
Abstract: Disclosed is a graphene switching device having a tunable barrier. The disclosed graphene switching device includes a first electrode and an insulating layer which are respectively arranged in a first region and a second region which are separated from each other on a conductive semiconductor substrate, a graphene layer which is extended from the insulating layer to the first electrode on the substrate and is separated from the first electrode, a second electrode which faces the insulating layer on the graphene layer, a gate electrode above the graphene layer, and a first well which has a region of the substrate which touches the lower part of the graphene layer which is doped with impurity. The first wall has an energy barrier which is between the graphene layer and the first electrode.
Abstract translation: 公开了一种具有可调屏障的石墨烯开关装置。 所公开的石墨烯开关装置包括分别布置在导电半导体衬底上彼此分离的第一区域和第二区域中的第一电极和绝缘层，从绝缘层延伸到第一区域的石墨烯层 电极与第一电极分离，面对石墨烯层上的绝缘层的第二电极，石墨烯层上方的栅极电极和第一阱，该第一阱具有接触下述部分的基板的下部 掺杂有杂质的石墨烯层。 第一壁具有在石墨烯层和第一电极之间的能量势垒。
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公开(公告)号：KR1020170037444A
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020150137086
申请日：2015-09-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/16 , H01L29/66 , H01L21/3205 , H01L29/06
CPC classification number: H01L23/53276 , H01L23/485 , H01L23/5283
Abstract: 연결구조체및 이를적용한전자소자가개시된다. 개시된연결구조체는, 비금속성물질층과, 금속층과, 비금속성물질층및 금속층을연결하도록비금속성물질층과금속층사이에형성되는그래핀층을포함한다. 비금속성물질층및 금속층중 어느하나와그래핀층사이에는계면결합을형성하며금속물질을포함하는제1접합층이삽입된다.
Abstract translation: 公开了一种连接结构和使用该连接结构的电子设备。 所公开的连接结构包括非金属材料层，金属层以及形成在非金属材料层和金属层之间以连接非金属材料层和金属层的石墨烯层。 包括金属材料的第一结合层插入在石墨烯层和非金属材料层之间以及石墨烯层和非金属材料层之间。
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公开(公告)号：KR1020150056372A
公开(公告)日：2015-05-26
申请号：KR1020130139321
申请日：2013-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66977 , H01L21/76224 , H01L21/764 , H01L29/0649 , H01L29/1606 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/42364 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/66015
Abstract: 분리된정션컨택을갖는그래핀소자및 그제조방법이개시된다. 개시된실시예에따른그래핀소자는그래핀을채널로서사용하는전계효과트랜지스터로서, 소스전극및 드레인전극이그래핀채널과직접접촉하지않고, 반도체를도핑하여형성된정션컨택이그래핀채널과소스전극사이및 그래핀채널과드레인전극사이에각각분리되어배치되어있다. 따라서, 게이트전극에전압이인가되지않은오프시에는그래핀채널과정션컨택사이의장벽으로인해캐리어가이동할수 없다. 그결과, 개시된실시예에따른그래핀소자는낮은오프시전류를가질수 있다.
Abstract translation: 公开了一种石墨烯装置，其包括分离的接合点及其制造方法。 根据本发明的实施例公开的石墨烯装置是使用石墨烯作为通道的场效应晶体管。 源电极和漏电极不与石墨烯通道直接接触。 通过掺杂半导体形成的结接点分别布置在石墨烯通道和源电极之间以及石墨烯通道和漏电极之间。 因此，在没有向栅电极施加电压的断开状态下，载体不被石墨烯通道和结接点之间的阻挡层移动。 结果，根据本发明的实施例的所公开的石墨烯装置具有处于低关闭状态的电流。
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公开(公告)号：KR101920724B1
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：KR1020120143825
申请日：2012-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/1087 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L29/456 , H01L29/458 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78618
Abstract: 전자소자가개시된다. 개시된전자소자는, 반도체층과, 반도체층의소정영역에직접적으로컨택되는그래핀과, 그래핀상에형성되는금속층을포함하며, 반도체층은전체적으로도핑농도가일정하거나, 소정영역이 10cm이하의도핑농도를가지도록마련된다.
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公开(公告)号：KR101813186B1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020160162297
申请日：2016-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F1/64 , G03F1/22 , G03F1/62 , G03F7/7015 , G03F7/70883
Abstract: 포토마스크용펠리클과이를포함하는레티클및 리소그래피용노광장치에관해개시되어있다. 개시된포토마스크용펠리클은펠리클멤브레인을포함할수 있고, 상기펠리클멤브레인은나노결정질그래핀(nanocrystalline graphene)을포함할수 있다. 상기나노결정질그래핀은결함을가질수 있다. 상기나노결정질그래핀은나노스케일의복수의결정립을포함할수 있고, 상기복수의결정립은방향족고리구조를갖는이차원탄소구조체를포함할수 있다. 상기나노결정질그래핀의결함은 sp3 탄소원자, 산소원자, 질소원자및 탄소공공중 적어도하나를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于光掩模的防护薄膜组件，包括该防护薄膜组件的光罩以及用于光刻的曝光设备。 所公开的用于光掩模的薄膜可以包括薄膜，并且薄膜可以包括纳米晶体石墨烯。 纳米晶体石墨烯可能有缺陷。 纳米晶体石墨烯可以包括多个纳米尺度的晶粒，并且所述多个晶粒可以包括具有芳香环结构的尺寸碳结构。 纳米晶体石墨烯的缺陷可以包括sp 3碳原子，氧原子，氮原子和碳空位中的至少一个。
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