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    전하저장 소자 및 그의 제조방법
    1.
    发明授权
    전하저장 소자 및 그의 제조방법 失效
    充电存储装置及其制造方法

    公开(公告)号：KR101104090B1

    公开(公告)日：2012-01-12

    申请号：KR1020080085716

    申请日：2008-09-01

    Applicant: 성균관대학교산학협력단

    Inventor： 이준신 ,  손혁주 ,  정성욱 ,  김재홍 ,  조재현 ,  장경수 ,  허종규

    IPC: H01L21/8247

    Abstract: 본 발명은 전하저장 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 형성된 터널링 절연막, 상기 터널링 절연막 상에 형성되어 제1밴드갭 에너지를 구비하는 전하 저장막, 상기 전하 저장막 상에 상기 전하 저장막의 증착에 이용된 혼합가스와 동일한 혼합가스로 형성되어 제2밴드갭 에너지를 구비하는 블로킹 절연막 및 상기 블로킹 절연막 상에 형성된 컨트롤 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하저장 소자를 포함하는 구성을 마련한다.
    상기와 같은 전하저장 소자 및 그의 제조방법을 이용하는 것에 의해, 동일한 혼합가스를 이용하여 전하 저장막 및 블로킹 절연막을 형성함으로써 제조공정을 단순화시켜 메모리 소자의 제조단가를 낮출 수 있고, 밴드갭 에너지 차이에 의해 전하를 저장하는 방법과 트랩에 의하여 전하를 저장하는 방법을 모두 사용함으로써 전하저장 특성을 향상시킬 수 있다.
    전하저장, 소자, 터널링, 밴드갭, 트랩

    유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 장치
    5.
    发明公开
    유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 장치 审中-实审
    有机化合物和有机发光二极管装置，包括它们

    公开(公告)号：KR1020160053423A

    公开(公告)日：2016-05-13

    申请号：KR1020140152181

    申请日：2014-11-04

    Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 황진수 ,  김명숙 ,  김성욱 ,  김재홍 ,  윤승수

    IPC: C07D333/78 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

    CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07C2603/96 ,  C07D209/96 ,  C07D307/94 ,  C07D333/50 ,  C07D333/78 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1092 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5072

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른유기화합물은하기화학식 1로표현되는유기화합물이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R내지 R은수소원자, 중수소, 탄소수 1 내지 60의치환또는비치환된알킬기, 탄소수 2 내지 60의치환또는비치환된알케닐기, 탄소수 2 내지 60의치환또는비치환된알키닐기, 탄소수 3 내지 60의치환또는비치환된사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 60의치환또는비치환된알콕시기, 탄소수 5 내지 60의치환또는비치환된아릴옥시기, 탄소수 5 내지 60의치환또는비치환된아릴싸이오기, 탄소수 5 내지 60의치환또는비치환된아릴기, 탄소수 3 내지 60의헤테로아릴기로치환된아미노기, 탄소수 3 내지 60의치환또는비치환된헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 60의치환또는비치환된축합다환기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기또는카르복시기이고, R과 R는서로동일하거나상이하고, X는 -S-, -O-, -C(R)(R)- 또는 -N(R)- 로표시되는연결기이고, R및 R은서로독립적으로, 수소원자, 중수소, 탄소수 1 내지 20의치환또는비치환된알킬기, 탄소수 5 내지 20의치환또는비치환된아릴기, 탄소수 3 내지 20의치환또는비치환된헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의치환또는비치환된축합다환기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기또는카르복시기이고, a 및 z 는 0 내지 4의정수이고, b는 0 내지 3의정수이고, y는 0 내지 2의정수이고, L 은 -(Ar)-으로표현되는 2가연결기(divalent linking group)이고, n은 1 내지 10의정수이다.

    Abstract translation: 根据本发明的实施方案，本发明涉及由化学式1表示的有机化合物。更具体地，本发明的目的是提供一种可应用于有机发光装置的新型有机化合物 并且还提供包含该有机发光器件的有机发光器件。

    전하저장 소자 및 그의 제조방법
    6.
    发明公开
    전하저장 소자 및 그의 제조방법 失效
    充电储存装置及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020100026639A

    公开(公告)日：2010-03-10

    申请号：KR1020080085716

    申请日：2008-09-01

    Applicant: 성균관대학교산학협력단

    Inventor： 이준신 ,  손혁주 ,  정성욱 ,  김재홍 ,  조재현 ,  장경수 ,  허종규

    IPC: H01L21/8247

    Abstract: PURPOSE: A charge storage device and a method for manufacturing the same are provided to reduce the manufacturing cost of a memory device by forming a charge storage layer and a blocking insulation layer using an identical mixing gas. CONSTITUTION: A tunneling insulation layer(13) is formed on a substrate(11). A charge storage layer(15) is formed on the tunneling insulation layer and includes a first band gap energy. A blocking insulation layer(17) including a second band gap energy is formed on the charge storage layer. A control gate(19) is formed on the blocking insulation layer. The composition ratio of a mixing gas for the charge storage layer is different from the composition ratio for the blocking insulation layer.

    Abstract translation: 目的：提供电荷存储装置及其制造方法，以通过使用相同的混合气体形成电荷存储层和阻挡绝缘层来降低存储器件的制造成本。 构成：在衬底（11）上形成隧道绝缘层（13）。 电荷存储层（15）形成在隧道绝缘层上并且包括第一带隙能量。 在电荷存储层上形成包括第二带隙能量的阻挡绝缘层（17）。 在阻挡绝缘层上形成控制栅极（19）。 用于电荷存储层的混合气体的组成比不同于阻挡绝缘层的组成比。

    비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
    8.
    发明公开
    비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 无效
    非晶硅薄膜的结晶方法

    公开(公告)号：KR1020090083186A

    公开(公告)日：2009-08-03

    申请号：KR1020080009195

    申请日：2008-01-29

    Applicant: 성균관대학교산학협력단

    Inventor： 이준신 ,  정성욱 ,  김재홍 ,  손혁주 ,  조재현

    IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/324

    Abstract: A crystallization method of amorphous silicon thin film is provided to control the diffusion rate of the nickel and the deformation and damage of substrate by crystallizing an amorphous silicon thin film in room temperature. The buffer layer is formed on the substrate(S101). The amorphous silicon thin film is formed on the buffer layer(S102). The assistant thin film is formed in the amorphous silicon thin film(S103). The metal-containing solution is provided on the assistant thin film and metal is coated on the assistant thin film(S104). The substrate in which metal is coated by the thermal process(S105). The metal coating and assistant thin film are removed(S106). The metal solution is the solution containing the nickel. The assistant thin film is the nitride thin film.

    Abstract translation: 提供非晶硅薄膜的结晶方法，通过在室温下结晶非晶硅薄膜来控制镍的扩散速率和衬底的变形和损伤。 缓冲层形成在基板上（S101）。 在缓冲层上形成非晶硅薄膜（S102）。 辅助薄膜形成在非晶硅薄膜中（S103）。 在辅助薄膜上设置含金属溶液，在辅助薄膜上涂覆金属（S104）。 通过热处理涂覆金属的基板（S105）。 去除金属涂层和辅助薄膜（S106）。 金属溶液是含有镍的溶液。 辅助薄膜是氮化物薄膜。

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