公开(公告)号：KR1020120059372A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020110122524

申请日：2011-11-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  신종훈 ,  안시현 ,  박진주 ,  조재현 ,  장주연 ,  박형식

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/072 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

Abstract: PURPOSE: A hetero-junction silicon solar cell and a manufacturing method thereof are provided to increase a surface area of a crystalline silicon substrate by forming an amorphous thin film laminated body on an amorphous silicon substrate. CONSTITUTION: An emitter layer(110) is formed at the upper side of a crystalline silicon substrate. Texture is formed by etching the crystalline silicon substrate with a lithography method. A passivation layer(120) is formed at the upper side of the emitter layer. An amorphous thin film laminated body(130) is formed at the upper side of the passivation layer. A front side electrode(140) is formed at the upper side of the amorphous silicon layer. A rear side electrode(150) is formed at the rear side of the crystalline silicon substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种异质结硅太阳能电池及其制造方法，以通过在非晶硅基板上形成非晶薄膜层叠体来增加晶体硅衬底的表面积。 构成：在晶体硅衬底的上侧形成发射极层（110）。 通过用光刻法蚀刻晶体硅衬底形成纹理。 钝化层（120）形成在发射极层的上侧。 在钝化层的上侧形成无定形薄膜叠层体（130）。 在非晶硅层的上侧形成有前侧电极（140）。 背面电极（150）形成在晶体硅衬底的后侧。

公开(公告)号：KR101021479B1

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：KR1020080127918

申请日：2008-12-16

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 최병덕 ,  이준신 ,  정성욱 ,  장경수 ,  조재현

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터, 그의 형성방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시장치에 관한 것으로, 기판 상에 차례로 배치된 버퍼막 및 반도체막, 상기 반도체막 상에 차례로 배치된 절연패턴 및 게이트 전극패턴을 포함하는 게이트 패턴, 상기 게이트 패턴 하부의 반도체막을 채널영역으로 한정하고, 상기 게이트 패턴 외측의 상기 반도체막에 불순물이 주입되어 상기 채널영역의 양쪽 측면들과 연결된 소오스 및 드레인, 상기 게이트 패턴을 갖는 상기 기판 전면을 덮는 보호막, 상기 소오스 영역 상에 배치된 상기 보호막의 일영역 및 상기 일영역 하부의 상기 소오스를 관통하여 상기 소오스와 전기적으로 연결된 제1금속전극 및 상기 드레인 영역 상에 배치된 상기 보호막의 일영역 및 상기 일영역 하부의 상기 드레인을 관통하여 상기 드레인과 전기적으로 연결된 제2금속전극을 포함한다.
상기와 같은 박막 트랜지스터, 그의 형성방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시장치에 의해, 소오스와 드레인 영역에 금속을 침투시켜 박막 트랜지스터의 구동 시에 전류를 분산시킴으로써 전하의 이동도, 박막 트랜지스터의 수명 및 성능을 향상시킬 수 있다.
박막 트랜지스터, TFT, 평판 표시장치, 유기발광 다이오드

公开(公告)号：KR1020100069790A

公开(公告)日：2010-06-25

申请号：KR1020080128316

申请日：2008-12-17

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  최병덕 ,  정성욱 ,  장경수 ,  조재현

IPC: H01L21/205 ,  H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  B82Y10/00

Abstract: PURPOSE: A nano-crystal silicon layers using plasma deposition technology, a nonvolatile memory device, and forming methods thereof are provided to directly deposit a nano crystal silicon film on a glass substrate. CONSTITUTION: A buffer layer(23) is formed on a substrate(21). A nano crystal silicon layer(25) is formed using plasma deposition technology using gas containing hydrogen and silicon on the buffer layer.

Abstract translation: 目的：提供使用等离子体沉积技术的纳米晶硅层，非易失性存储器件及其形成方法，以将玻璃衬底上的纳米晶硅膜直接沉积。 构成：在衬底（21）上形成缓冲层（23）。 使用在缓冲层上含有氢和硅的气体的等离子体沉积技术形成纳米晶体硅层（25）。

公开(公告)号：KR1020130029503A

公开(公告)日：2013-03-25

申请号：KR1020110092782

申请日：2011-09-15

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  백경현 ,  장경수 ,  최우진 ,  안시현 ,  조재현 ,  유경열

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L29/786 ,  G06F3/041

CPC classification number: H01B5/14 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103 ,  H01B13/00 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: An electrode structure, a manufacturing method thereof, a transistor including the same, a display device, a touch screen panel, and a solar cell are provided to constantly maintain the thickness of a transparent electrode layer by inserting a reinforcement pattern into the transparent electrode layer. CONSTITUTION: A transparent electrode layer(120) includes transparent conductive materials. A reinforcement pattern(130) is arranged in the transparent electrode layer. The reinforcement pattern reinforces the transparent electrode layer. The reinforcement pattern includes one of a lattice type, a linear type, or a dot type. A flexible substrate(110) supports the transparent electrode layer and the reinforcement pattern.

Abstract translation: 目的：提供电极结构，其制造方法，包括该晶体管的晶体管，显示装置，触摸屏面板和太阳能电池，以通过将透明电极层的强化图案插入透明电极层来恒定地保持透明电极层的厚度 电极层。 构成：透明电极层（120）包括透明导电材料。 在透明电极层中设置加强图案（130）。 增强图案加强了透明电极层。 加强图案包括格子型，直线型或点型中的一种。 柔性基板（110）支撑透明电极层和加强图案。

公开(公告)号：KR101181225B1

公开(公告)日：2012-09-10

申请号：KR1020110001400

申请日：2011-01-06

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박형식 ,  이영석 ,  김선용 ,  장경수 ,  조재현 ,  김상호 ,  안시현

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 AZO막을 포함하는 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 태양광이 입사하는 반대 측에 형성된 투명전도막층을 포함하는 태양전지의 제조방법에 있어서, 알루미늄이 첨가된 산화아연 타겟을 이용한 스퍼터링에 의하여 상기 투명전도막층을 형성하는 공정을 포함하며, 상기 스퍼터링이 150℃~200℃의 온도범위에서 진행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 최적화된 조건에서 AZO막을 형성함으로써, 후면전극 또는 후면반사막으로 AZO막을 사용한 태양전지를 제공하는 효과가 있다.
또한, 후면전극 또는 후면반사막으로 AZO막을 사용하여 태양전지의 효율이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101104090B1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：KR1020080085716

申请日：2008-09-01

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  손혁주 ,  정성욱 ,  김재홍 ,  조재현 ,  장경수 ,  허종규

IPC: H01L21/8247

Abstract: 본 발명은 전하저장 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 형성된 터널링 절연막, 상기 터널링 절연막 상에 형성되어 제1밴드갭 에너지를 구비하는 전하 저장막, 상기 전하 저장막 상에 상기 전하 저장막의 증착에 이용된 혼합가스와 동일한 혼합가스로 형성되어 제2밴드갭 에너지를 구비하는 블로킹 절연막 및 상기 블로킹 절연막 상에 형성된 컨트롤 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하저장 소자를 포함하는 구성을 마련한다.
상기와 같은 전하저장 소자 및 그의 제조방법을 이용하는 것에 의해, 동일한 혼합가스를 이용하여 전하 저장막 및 블로킹 절연막을 형성함으로써 제조공정을 단순화시켜 메모리 소자의 제조단가를 낮출 수 있고, 밴드갭 에너지 차이에 의해 전하를 저장하는 방법과 트랩에 의하여 전하를 저장하는 방법을 모두 사용함으로써 전하저장 특성을 향상시킬 수 있다.
전하저장, 소자, 터널링, 밴드갭, 트랩

公开(公告)号：KR1020120059371A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020110121890

申请日：2011-11-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  장주연 ,  신종훈 ,  안시현 ,  박형식 ,  박진주 ,  조재현 ,  김영국 ,  장경수

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A thin film type solar battery and a manufacturing method thereof are provided to improve short-circuit current density by including a rear side transparent conductivity oxide layer and a rear side electrode having different reflective index. CONSTITUTION: Texture is formed on the surface of a glass substrate. A front side transparent conductivity oxide layer(110) is formed at the upper side of the glass substrate. A thin film laminated body of a p-i-n structure is formed at one side of the front side transparent conductivity oxide layer. A rear side transparent conductivity oxide layer(160) is formed at the upper side of the thin film laminated body of the p-i-n structure. A rear side electrode layer(170) is formed at the upper side of the rear side transparent conductivity oxide layer and the upper side of the front side transparent conductivity oxide layer.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，其通过包括背面透明导电氧化物层和具有不同反射率的后侧电极来提高短路电流密度。 构成：在玻璃基板的表面上形成纹理。 在玻璃基板的上侧形成有正面透明导电性氧化物层（110）。 在正面透明导电氧化物层的一侧形成p-i-n结构的薄膜层叠体。 在p-i-n结构的薄膜层叠体的上侧形成有背面透明导电氧化物层（160）。 在后侧透明导电氧化物层的上侧和前侧透明导电氧化物层的上侧形成有背面电极层（170）。

公开(公告)号：KR1020090083186A

公开(公告)日：2009-08-03

申请号：KR1020080009195

申请日：2008-01-29

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  정성욱 ,  김재홍 ,  손혁주 ,  조재현

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/324

Abstract: A crystallization method of amorphous silicon thin film is provided to control the diffusion rate of the nickel and the deformation and damage of substrate by crystallizing an amorphous silicon thin film in room temperature. The buffer layer is formed on the substrate(S101). The amorphous silicon thin film is formed on the buffer layer(S102). The assistant thin film is formed in the amorphous silicon thin film(S103). The metal-containing solution is provided on the assistant thin film and metal is coated on the assistant thin film(S104). The substrate in which metal is coated by the thermal process(S105). The metal coating and assistant thin film are removed(S106). The metal solution is the solution containing the nickel. The assistant thin film is the nitride thin film.

Abstract translation: 提供非晶硅薄膜的结晶方法，通过在室温下结晶非晶硅薄膜来控制镍的扩散速率和衬底的变形和损伤。 缓冲层形成在基板上（S101）。 在缓冲层上形成非晶硅薄膜（S102）。 辅助薄膜形成在非晶硅薄膜中（S103）。 在辅助薄膜上设置含金属溶液，在辅助薄膜上涂覆金属（S104）。 通过热处理涂覆金属的基板（S105）。 去除金属涂层和辅助薄膜（S106）。 金属溶液是含有镍的溶液。 辅助薄膜是氮化物薄膜。

公开(公告)号：KR1020170115717A

公开(公告)日：2017-10-18

申请号：KR1020160043253

申请日：2016-04-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박형식 ,  이영석 ,  정준희 ,  조재현

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/09

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은유기물배면반사체를포함하는태양전지에관한것이고, 또한양면식각표면구조를포함한태양전지에관한것이다. 본발명에따른유기물배면반사체는 Phenyl-C61-Butyric acid methyl ester(PCBM)의사용을포함하며, 가시광영역인 600 nm 이상에서 80%가넘는투과율을가지며, 무기물인비정질실리콘과의접촉에따른저항발생율을감소시키는역할을하는특징이있다. 또한, 본발명에따른양면식각표면구조를이용한태양전지는, 양면의식각표면구조를통한단파장영역에서의투과도개선효과, 및제작된기판기반으로규칙적구조패턴제작혹은 TCO 증착에따른 Haze 제어를통해중간파장및 장파장제어를특징으로한다.

Abstract translation: 太阳能电池技术领域本发明涉及包括有机底部反射器和包括双面蚀刻表面结构的太阳能电池的太阳能电池。 根据本发明苯基-C61-丁酸甲酯（PCBM）的有机后反射器包括用于所述医生，具有大于80％的透射率在至少一个600nm的可见光区域中，无机材料之间的接触的阻力为无定形硅 有一个功能可以减少发病率。 此外，使用中间太阳能电池中的双面根据通过蚀刻两面的表面结构，以提高渗透性效果eseoui短波长区域根据本发明蚀刻的表面结构，通过雾度控制，并从而使常规结构模式产生的或TCO沉积作为基于基底的 波长和长波长控制。

公开(公告)号：KR101304036B1

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020110092782

申请日：2011-09-15

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  백경현 ,  장경수 ,  최우진 ,  안시현 ,  조재현 ,  유경열

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L29/786 ,  G06F3/041

Abstract: 전극 구조는 기판, 투명 전극층 및 보강 패턴을 포함한다. 투명 전극층은 기판 상에 배치되며, 투명한 도전 물질을 포함한다. 보강 패턴은 투명 전극층 내부에 배치되며, 투명 전극층을 보강한다. 따라서, 전극 구조에 반복적인 압력이 가해지더라도 보강 패턴이 투명 전극층을 보강하므로 투명 전극층이 깨져 전극 구조의 전기적 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.