-
公开(公告)号：KR101881666B1
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：KR1020160162562
申请日：2016-12-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 김상우 , 곽성수 , 윤홍준 , 김태윤 , 유한준 , 김태호 , 김한 , 김지혜 , 이정환 , 김태경 , 김동훈 , 김형택 , 강민기 , 손영인 , 최승 , 김성수
Abstract: 본발명은저장된대전전하를이용한에너지발전소자에관한것으로서, 커패시터부에전압을인가하여전하를주입하고이를이용하여정전에너지발전및 마찰전기에너지발전을하는에너지발전소자에관한것이다. 본발명은저장된대전전하를이용하여기존물리에너지를전기에너지로변환하는데이용된표면대전전하양을향상시킨다.
-
公开(公告)号：KR101685791B1
公开(公告)日：2016-12-13
申请号：KR1020150037562
申请日：2015-03-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은도선및 반도체소자배선용나노카본재료및 육방정계질화붕소적층구조물에관한것이고, 또한도선및 반도체소자배선용나노카본재료및 육방정계질화붕소적층구조물의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른도선및 반도체소자배선용나노카본재료및 육방정계질화붕소적층구조물을제조하는방법은, 기판상에나노카본재료를전사하는단계; 상기전사된나노카본재료상에패턴된전극을형성하는단계; 상기전사된나노카본재료를상기전극과연결시키기위한전자수송채널을형성하는단계; 및상기나노카본재료를보호하기위해육방정계질화붕소를전사하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体元件的配线导体和纳米碳材料和六方氮化硼栈，还涉及一种制造半导体元件的配线导体的方法和纳米碳材料和六方氮化硼栈。 用于制造根据本发明的一个实施例的半导体元件的布线导体和纳米碳材料和六方氮化硼堆方法包括传送所述衬底上的纳米碳材料的工序; 在转移的纳米碳材料上形成图案化的电极; 形成用于将转移的纳米碳材料连接到电极的电子传输通道; 并转移六方氮化硼保护纳米碳材料。
-
公开(公告)号：KR1020160118600A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020150046957
申请日：2015-04-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H02N1/04
CPC classification number: H02N1/04
Abstract: 본발명은도체-도체간의마찰전기에너지발전소자에관한것으로서, 이를통해에너지를발전할수 있는구조를개시한다. 본발명의일 실시예에따른도체-도체간의마찰전기에너지발전소자(100)는, 전극(11); 전극상에배치된부도체물질층(21); 부도체물질층상의제 1 도체층(31); 및제 1 도체층위에위치하여상기상기제 1 도체층과접촉및 비접촉상태를반복할수 있으며제 1 도체층과상이한물질로이루어진제 2 도체층(33)을포함한다.
Abstract translation: 摩擦电能收集器包括电极，非导体，第一导体和第二导体。 非导体设置在电极上。 第一导体设置在非导体上。 第二导体摩擦地接触第一导体。 第一和第二导体之间的摩擦接触产生摩擦电能。
-
公开(公告)号：KR101552440B1
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：KR1020140077534
申请日：2014-06-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 프로브 시스템이 개시된다. 프로브 시스템은 베이스 플레이트의 상부에 배치되고, 회로기판을 베이스 플레이트에 대해 수직하게 파지할 수 있는 지지부재; 회로기판에 형성된 도전성 패턴과 접촉하는 탐침을 구비하는 적어도 하나 이상의 프로브팁 부재; 제1 수평방향을 따라 왕복 운동이 가능하게 베이스 플레이트에 결합된 제1 수평운동부, 제2 수평방향을 따라 왕복 운동이 가능하게 제1 수평운동부에 결합된 제2 수평운동부, 제2 수평운동부의 측면에 결합되고 회전운동이 가능한 회전운동부 및 회전운동부 및 프로브팁 부재와 결합하는 가이드부를 구비하는 가이드팔 부재; 및 프로브팁 부재의 탐침에 전기적으로 연결되어 상기 도전성 패턴의 전자기적 특성을 분석하는 네트워크 분석 장치를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种探针系统。 探针系统包括：支撑构件，其布置在基板的上侧并且夹持电路板垂直于基板;至少一个探针尖端构件，其包括与形成在基板上的导电图案相接触的探针 引导臂构件，其包括与所述基板组合以在第一水平方向上往复运动的第一水平运动单元，与所述基板组合以在第二水平方向上往复运动的第二水平运动单元， 旋转运动单元，其与第二水平运动单元的侧面结合并且可以旋转;以及引导单元，其与旋转运动单元和探针末端构件组合，以及网络分析装置，其与 探针头部件的探针，并分析导电图案的电磁特性。
-
公开(公告)号：KR101090517B1
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：KR1020090075611
申请日：2009-08-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 탄소나노물질-고분자복합체및 이의제조방법을제공한다. 상기탄소나노물질-고분자복합체는고분자매트릭스를구비한다. 상기고분자매트릭스내에탄소나노물질상에고분자나노입자가도입된탄소나노물질-고분자나노입자복합체가위치한다. 고분자나노입자를탄소나노물질상에도입한후 이를고분자매트릭스내에분산시킴에따라, 고분자나노입자로인해탄소나노물질과고분자매트릭스사이의융화성(compatibility)이향상될수 있다. 그결과, 탄소나노물질이고분자매트릭스내에서잘 분산될수 있고또한미세상분리가발생하지않을수 있다. 이에따라, 탄소나노물질-고분자복합체의전기적특성및 기계적특성이향상될수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101815757B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：KR1020160032510
申请日：2016-03-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은정전기및 마찰전기현상을이용한마스크에관한것으로서, 구체적으로는 2개이상의면으로구성된마크스에서면과면사이의마찰에의한정전현상을통해미세먼지등을집진하는마스크에관한것이다.
-
公开(公告)号：KR1020170108495A
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：KR1020160032510
申请日：2016-03-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은정전기및 마찰전기현상을이용한마스크에관한것으로서, 구체적으로는 2개이상의면으로구성된마크스에서면과면사이의마찰에의한정전현상을통해미세먼지등을집진하는마스크에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用静电和摩擦电现象的掩模，更具体地说，涉及一种用于通过书写表面与由两个或更多个表面构成的标记表面之间的摩擦引起的静电现象来收集微小灰尘等的掩模。
-
公开(公告)号：KR1020160112245A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020150037562
申请日：2015-03-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은도선및 반도체소자배선용나노카본재료및 육방정계질화붕소적층구조물에관한것이고, 또한도선및 반도체소자배선용나노카본재료및 육방정계질화붕소적층구조물의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른도선및 반도체소자배선용나노카본재료및 육방정계질화붕소적층구조물을제조하는방법은, 기판상에나노카본재료를전사하는단계; 상기전사된나노카본재료상에패턴된전극을형성하는단계; 상기전사된나노카본재료를상기전극과연결시키기위한전자수송채널을형성하는단계; 및상기나노카본재료를보호하기위해육방정계질화붕소를전사하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于斜拉丝和半导体器件线，六方氮化硼堆叠结构的纳米碳材料，以及制造用于斜拉线的纳米碳材料和半导体器件线以及六方氮化硼堆叠结构的方法。 根据本发明的一个实施例，该方法包括：在衬底上印刷纳米碳材料的步骤; 在印刷的纳米碳材料上形成图案化电极的步骤; 形成电子传输通道以将印刷的纳米碳材料与电极连接的步骤; 以及印刷六方氮化硼以保护纳米碳材料的步骤。
-
公开(公告)号：KR101569251B1
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：KR1020130123855
申请日：2013-10-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 프로브시스템이개시된다. 프로브시스템은검사대상인회로기판을상기베이스플레이트에대해수직하게파지할수 있는지지부재, 회로기판의도전성패턴과접촉하는탐침을구비하는프로브팁부재, 프로브팁부재와결합하여프로팁부재를원하는위치로이동시킬수 있는가이드팔부재및 프로브팁부재의탐침에전기적으로연결되어회로기판에형성된도전성패턴의전자기적특성을분석하는네트워크분석장치를포함한다. 또한, 이프로브시스템을이용한네트워크분석장치의멀티포트보정시에유용한캘리브레이션키트가개시된다.
-
10.发明授权강유전체를 이용한 2차원 구조 물질의 p―n 접합 형성 방법 및 강유전체를 이용하여 p―n 접합된 2차원 구조 물질 有权使用铁电材料形成二维材料的P-N结的方法和使用铁电材料的P-N结两维材料的方法
公开(公告)号：KR101537492B1
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：KR1020140190907
申请日：2014-12-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/80
CPC classification number: H01L29/80 , H01L29/808
Abstract: 본발명은강유전체를이용한 2차원구조물질의 p-n 접합형성방법과강유전체를이용하여 p-n 접합된 2차원구조물질에관한것이다. 본발명은양극성(ambipolar) 특성을갖는 2차원물질의정전기적도핑에있어기존의 2개의분리된게이트전극구조를통해지속적으로외부전압을유지해야하는종래기술에따른구조를개선하여음극/양극이서로교차되어정렬되어있는영역을포함하는강유전체기판을이용하여 p-n 접합구조를구현하고, 나아가굽힘가능하고투명한 p-n 접합기반전자소자를구현하고자한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用铁电体物质形成二维结构材料的p-n结的方法和使用铁电物质的具有p-n结的二维结构材料。 本发明的目的是提供一种使用含铁电基板的pn结结构，该铁电基板包含阳极/阴极交叉排列的区域，通过改进根据现有技术的结构，其中外部电压应通过 两个分离的栅电极相对于具有双极特性的二维材料的静电掺杂的现有结构。 此外，本发明的目的是提供一种透明且可弯曲的基于p-n结的电子器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.019 seconds)
