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公开(公告)号：WO2018236185A2
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：PCT/KR2018/007102
申请日：2018-06-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본원은 폐렴구균의 VncRS 오페론 억제제 또는 락토페린 활성 억제제를 포함하는 패혈증의 예방 또는 치료용 약제학적 조성물, 및 패혈증의 예방 또는 치료제의 스크리닝 방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101949482B1
公开(公告)日：2019-02-18
申请号：KR1020170030257
申请日：2017-03-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G06F11/10
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公开(公告)号：KR100891466B1
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：KR1020070075785
申请日：2007-07-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브의 밀도제어방법, 이를 이용한 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 기판 상에 형성된 탄소나노튜브를 탄소나노튜브 팁처리 용액으로 처리하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브의 밀도제어방법, 및 이를 이용한 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법을 제공한다. 또한 본 발명은 기판; 기판 상에 형성되고, 탄소나노튜브 팁처리 용액으로 처리된 탄소나노튜브층; 및 탄소나노튜브 층의 상부에 형성된 금속층을 포함하는 탄소나노튜브 전계방출원을 제공한다.
본 발명에 따르면, 적은 비용과 간단한 용액처리공정만으로도 탄소나노튜브의 팁부분이 모인 집합체들로 이루어진 구조를 통하여 탄소나노튜브층 말단의 밀도를 낮게 제어한다. 또한, 동시에 구조적으로도 안정하여 전자방출능이 우수하다.
탄소나노튜브, 전계방출원, 밀도, 용액처리, 금속층-
公开(公告)号：KR101537907B1
公开(公告)日：2015-07-20
申请号：KR1020140114218
申请日：2014-08-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: A61G5/14
CPC classification number: A61G5/1056 , A61G5/14
Abstract: 본발명은다기능휠체어에관한것으로서, 본발명에따른다기능휠체어는베이스프레임; 상향으로배치되며, 하단이상기베이스프레임에회동가능하도록결합되는회동프레임; 후방측이상기회동프레임을따라이동가능하도록결합되며, 상기회동프레임에결합된부분을중심으로회동가능하도록설치되는의자; 수축및 팽창가능하도록마련되며, 상기회동프레임의후방을지지하도록설치되는제1신축부재; 및, 수축및 팽창가능하도록마련되어상호교차되도록설치되며, 각각의하단은상기베이스프레임에결합되고, 각각의상단은상기의자받침에결합되는제2신축부재와제3신축부재;를포함하는다기능휠체어.
Abstract translation: 多功能轮椅技术领域本发明涉及一种多功能轮椅。 根据本发明的多功能轮椅包括：底架; 设置在上方并且其下端可旋转地安装在基架上的旋转框架; 椅子，其后部安装在旋转框架上以与旋转框架一起移动并围绕其安装在旋转框架上的部分旋转; 第一柔性构件，其收缩并且支撑所述旋转框架的后部; 以及第二柔性构件和第三柔性构件，其收缩并且彼此交叉，其下端安装在基架上，并且其上端安装在椅子的椅子支撑件上。
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公开(公告)号：KR1020110037352A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：KR1020090094760
申请日：2009-10-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/168 , B82B1/00 , B82B3/0009 , C01G55/004 , H01J2201/30469
Abstract: PURPOSE: Carbon nano-tube and a method for manufacturing the same are provided to increase the state density of electrons around Fermi level and lower a work function by combining ruthenium nano-particles with the wall of the carbon nano-tube. CONSTITUTION: A method for manufacturing carbon nano-tube includes the following: Ruthenium dioxide powder is deposited on carbon nano-tube. The deposited ruthenium dioxide powder is reduced to form ruthenium nano-particles. The carbon nano-tube is directly grown on a substrate on which a buffer layer and a seed layer are formed. The buffer layer is formed based on one selected from a group including SiO_2, Al_2O_3, and MgO. The seed layer is formed based on one metal selected from a group including nickel, iron, and cobalt.
Abstract translation: 目的：提供碳纳米管及其制造方法，以通过将钌纳米颗粒与碳纳米管的壁结合来增加费米能级周围的电子的状态密度并降低功函数。 构成：制造碳纳米管的方法包括：二氧化二氮粉末沉积在碳纳米管上。 沉积的二氧化钌粉末被还原以形成钌纳米颗粒。 碳纳米管直接生长在其上形成有缓冲层和种子层的基板上。 基于选自包括SiO_2，Al_2O_3和MgO的组中的一种形成缓冲层。 种子层基于选自包括镍，铁和钴的一种金属形成。
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公开(公告)号：KR1020090011818A
公开(公告)日：2009-02-02
申请号：KR1020070075785
申请日：2007-07-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y40/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: A density controlled carbon nanotube field emission source, a preparation method thereof, and a density control method of carbon nanotube are provided to improve the structural stability by lowering the density of the carbon nano tube layer. A buffer layer(110) is formed on the top of the substrate(100). A catalyst layer(120) is formed on the top of the buffer layer. The buffer layer is formed of the chrome(Cr), the tantalum(Ta), and the titanium(Ti) or their alloy. The catalyst layer is formed of the nickel(Ni), the iron(Fe), and the cobalt(Co) or their alloy. The carbon nanotube is perpendicularly grown up on the catalyst layer using the direct current plasma assisted chemical vapor deposition under the hydrocarbon gas environment including the methane gas, the acetylene gas or the ethylene gas. The substrate including carbon nanotube is dipped in the carbon nanotube tip process solution in 5 to 10 minutes. The carbon nanotube tip process solution is removed from the carbon nanotube or the substrate.
Abstract translation: 提供密度控制的碳纳米管场发射源，其制备方法和碳纳米管的密度控制方法，以通过降低碳纳米管层的密度来提高结构稳定性。 在衬底（100）的顶部上形成缓冲层（110）。 催化剂层（120）形成在缓冲层的顶部。 缓冲层由铬（Cr），钽（Ta）和钛（Ti）或它们的合金形成。 催化剂层由镍（Ni），铁（Fe）和钴（Co）或它们的合金形成。 在包括甲烷气体，乙炔气体或乙烯气体在内的烃气体环境下，使用直流等离子体辅助化学气相沉积，在催化剂层上垂直生长碳纳米管。 将包含碳纳米管的基板在5〜10分钟内浸渍在碳纳米管尖端处理液中。 从碳纳米管或基材除去碳纳米管尖端工艺溶液。
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