公开(公告)号：KR1020110107870A

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：KR1020117020065

申请日：2010-03-10

Applicant: 소이텍

Inventor： 리우그레고리

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/302 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76251

Abstract: 본 발명은 반도체 기판(1)의 표면을 마무리하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 기판은 상기 기판(1)의 면들 중 적어도 하나 위에 유용한 반도체 층(4)을 포함하는 층들의 세트를 포함하고, 상기 유용층(4)은 거친 자유 표면(7)을 포함하고, 상기 방법은 상기 자유 표면(7)을 평활화하는 데 적합하고, 상기 방법은 상기 유용층(4)의 상기 표면(7)의 피크 대 골 거리(peak-to-valley distance)보다 1 내지 3배 큰 두께를 갖는 상기 유용층(4)의 상기 표면(7)을 덮는 보호층(20)을 생성하는 단계, 적어도 하나의 폴리싱-산화 시퀀스를 연속하여 포함하고, 상기 시퀀스는 상기 보호층(20)의 상기 표면(21)을 폴리싱하는 단계로서, 상기 폴리싱은 상기 유용층(4)을 공격하지 않도록 조정되는, 상기 폴리싱하는 단계, 및 상기 유용층(4)의 상기 표면(7)의 상기 거칠기를 감소시키기 위해 산화물층(16)으로 상기 유용층(4)의 일부분을 변환하기 위해, 상기 기판(1)의 산소 가스의 공급을 받는 열산화를 수행하는 단계를 연속하여 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020150023507A

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：KR1020147036622

申请日：2013-06-05

Applicant: 소이텍

Inventor： 라두이오누트 ,  브뢰카르트마르셀 ,  카스텍스아르노 ,  고댕구엘타즈 ,  리우그레고리

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L22/12 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29176 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12639 ,  Y10T428/12646 ,  Y10T428/12653 ,  Y10T428/12674 ,  H01L21/28026

Abstract: 복합 구조체의 제조방법이 개시된다. 본 제조방법은, 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼 사이의 결합 인터페이스가 결합 웨이브의 전파 이후에 0.7J/m
2 이하의 결합 에너지를 가지는 결합 웨이브의 전파 개시 단계 및 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼의 결합 동안 유도된 스트레스 수준의 측정 단계로서, 스트레스 수준은 Ct = Rc/Ep 공식을 이용하여 계산되는 스트레스 변수 Ct에 기초하여 결정되고, 여기에서, Rc는 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼 어셈블리의 곡률 반경(km)에 대응하고, Ep는 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼 어셈블리의 두께(㎛)에 대응하고, 결정된 스트레스 수준 Ct가 0.07 이상일 때 결합을 유효화하는 단계를 포함하고, 결합 웨이브의 전파 개시 단계는, 20 mbar 미만의 압력의 환경 및 0.1 MPa 내지 33.3 MPa 사이의 기계적 압력을 두 웨이퍼 중 어느 하나에 적용하는 조건 중 적어도 하나의 조건 하에서 수행되는 것을 � ��징으로 한다.

公开(公告)号：KR102084541B1

公开(公告)日：2020-03-05

申请号：KR1020147036622

申请日：2013-06-05

Applicant: 소이텍

Inventor： 라두이오누트 ,  브뢰카르트마르셀 ,  카스텍스아르노 ,  고댕구엘타즈 ,  리우그레고리

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/28

公开(公告)号：KR101365234B1

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：KR1020120002529

申请日：2012-01-09

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  리우그레고리

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76243

Abstract: 본 발명은 반도체-온-인슐레이터 구조의 처리 공정에 관한 것으로, 후술하는 단계들:
(i) 노출 영역들이라고 지칭되는 박막의 영역들(3a) 및 마스크(4)에 의해 커버되는 영역들(3b)을 정의하는 상기 마스크(4)를 박막(3)의 표면 상에 형성하는 단계; 및
(ii) 산화물 또는 산질화물 층(2) 내의 적어도 일부의 산소가 상기 노출 영역들(3a)을 통해 확산되도록 열 처리를 적용하는 단계를 포함한다.
(ii) 단계 전에 또는 (ii) 단계 중에, 상기 박막(3)의 반도체 질화물 또는 산질화물 층(5)이 상기 노출 영역들(3a) 상에 형성되고, 상기 층(5)의 두께는 상기 노출 영역들(3a)을 통한 산소 확산율 대 상기 마스크(4)에 의해 커버되는 상기 영역들(3b)을 통한 산소 확산율의 비율이 2보다 크게 되도록 한다.

公开(公告)号：KR101303723B1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：KR1020117017527

申请日：2010-02-11

Applicant: 소이텍

Inventor： 리우그레고리 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76243

Abstract: 본 발명은 혼합 기판 위에 컴포넌트들을 제조하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 지기 기판(11)과 얇은 층(13) 사이의 매립된 산화물층(12)을 포함하는, 반도체-온-절연체(SeOI)형의 기판(1)을 제공하고, 상기 기판(1)에 상기 얇은 층의 자유 표면(130)에서 개방되고, 그것이 상기 얇은 층(13) 및 상기 매립된 산화물층(12)을 통과하도록 어떤 깊이를 넘어 확장하는, - 이들 주 트렌치들(3, 3')은 상기 SeOI 기판(1)의 적어도 하나의 아일랜드(island)(30)의 범위를 정하고- 복수의 트렌치들(3, 3')을 형성하는, 상기 주 트렌치들(3, 3') 내부에 그리고 상기 아일랜드들(30) 외부 위에 배치된 상기 얇은 층(13)의 상기 자유 표면(13)의 영역들을 덮는 층으로서 마스크를 형성하는 단계, 산화물층의 두께를 감소시키기 위해 상기 아일랜드들(30)에 존재하는 상기 매립된 산화물층을 용해하기 위한 열 처리를 계속하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120102502A

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：KR1020120002529

申请日：2012-01-09

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  리우그레고리

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76243

Abstract: PURPOSE: A process for treating a semiconductor-on-insulator structure is provided to precisely perform a local dissolution process by a thermal treatment to promote oxygen diffusion from an oxide or oxynitride layer to the surface of a semiconductor layer. CONSTITUTION: A support substrate(1) provides rigidity to an SeOl structure. A semiconductor layer(3) is composed of a multi layer of semiconductors. An oxide or oxynitride layer(2) is filled between the support substrate and the semiconductor layer and is located in a bonding boundary side. A mask(4) is formed on the surface of the semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理绝缘体上半导体结构的方法，以通过热处理精确地进行局部溶解过程，以促进从氧化物或氧氮化物层到半导体层的表面的氧扩散。 构成：支撑衬底（1）为SeO1结构提供刚性。 半导体层（3）由多层半导体构成。 氧化物或氧氮化物层（2）填充在支撑衬底和半导体层之间并且位于结合边界侧。 在半导体层的表面上形成掩模（4）。

公开(公告)号：KR1020110098007A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020117017527

申请日：2010-02-11

Applicant: 소이텍

Inventor： 리우그레고리 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76243

Abstract: 본 발명은 혼합 기판 위에 컴포넌트들을 제조하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 지기 기판(11)과 얇은 층(13) 사이의 매립된 산화물층(12)을 포함하는, 반도체-온-절연체(SeOI)형의 기판(1)을 제공하고, 상기 기판(1)에 상기 얇은 층의 자유 표면(130)에서 개방되고, 그것이 상기 얇은 층(13) 및 상기 매립된 산화물층(12)을 통과하도록 어떤 깊이를 넘어 확장하는, - 이들 주 트렌치들(3, 3')은 상기 SeOI 기판(1)의 적어도 하나의 아일랜드(island)(30)의 범위를 정하고- 복수의 트렌치들(3, 3')을 형성하는, 상기 주 트렌치들(3, 3') 내부에 그리고 상기 아일랜드들(30) 외부 위에 배치된 상기 얇은 층(13)의 상기 자유 표면(13)의 영역들을 덮는 층으로서 마스크를 형성하는 단계, 산화물층의 두께를 감소시키기 위해 상기 아일랜드들(30)에 존재하는 상기 매립된 산화물층을 용해하기 위한 열 처리를 계속하는 단계를 포함한다.