公开(公告)号：KR101689914B1

公开(公告)日：2016-12-26

申请号：KR1020127004693

申请日：2010-08-24

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 아른트킬리안 ,  베그리히트옌스 ,  히르제코른이자벨-로다 ,  슈라이어한스-위르겐

IPC: C23C18/54

CPC classification number: C23C18/54 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/31 ,  C23C18/38

Abstract: 본발명은인쇄회로기판, IC 기판, 반도체웨이퍼등의제조에서최종마무리로서 1 ㎛이상의두께를갖는주석및 주석합금의무전해 (침적) 도금방법에관한것이다. 본방법은구리접촉패드와무전해도금된주석층 사이에무전해도금된구리희생층을이용하며, 이희생층은주석도금동안완전히용해된다. 본방법은두꺼운주석층의무전해도금동안접촉패드로부터구리의원하지않는손실을보상한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种在印刷电路板，IC基板，半导体晶片等的制造中作为最终光洁度的厚度为‰¥1μm的锡和锡合金的无电镀（浸渍）电镀方法。 该方法在铜接触焊盘和化学镀锡层之间利用铜的无电解电镀牺牲层，其在镀锡期间完全溶解。 该方法在厚锡层的无电镀期间补偿了来自接触焊盘的铜的不期望的损失。

公开(公告)号：KR1020120051034A

公开(公告)日：2012-05-21

申请号：KR1020127004693

申请日：2010-08-24

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 아른트킬리안 ,  베그리히트옌스 ,  히르제코른이자벨-로다 ,  슈라이어한스-위르겐

IPC: C23C18/54

CPC classification number: C23C18/54 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/31 ,  C23C18/38 ,  C23C18/00 ,  C23C18/48

Abstract: 본 발명은 인쇄 회로 기판, IC 기판, 반도체 웨이퍼 등의 제조에서 최종 마무리로서 1 ㎛ 이상의 두께를 갖는 주석 및 주석 합금의 무전해 (침적) 도금 방법에 관한 것이다. 본 방법은 구리 접촉 패드와 무전해 도금된 주석 층 사이에 무전해 도금된 구리 희생 층을 이용하며, 이 희생 층은 주석 도금 동안 완전히 용해된다. 본 방법은 두꺼운 주석 층의 무전해 도금 동안 접촉 패드로부터 구리의 원하지 않는 손실을 보상한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种在印刷电路板，IC基板，半导体晶片等的制造中作为最终光洁度的厚度为‰¥1μm的锡和锡合金的无电镀（浸渍）电镀方法。 该方法在铜接触焊盘和化学镀锡层之间利用铜的无电解电镀牺牲层，其在镀锡期间完全溶解。 该方法在厚锡层的无电镀期间补偿了来自接触焊盘的铜的不期望的损失。