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公开(公告)号：KR1020120051034A
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：KR1020127004693
申请日：2010-08-24
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 아른트킬리안 , 베그리히트옌스 , 히르제코른이자벨-로다 , 슈라이어한스-위르겐
IPC: C23C18/54
CPC classification number: C23C18/54 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/31 , C23C18/38 , C23C18/00 , C23C18/48
Abstract: 본 발명은 인쇄 회로 기판, IC 기판, 반도체 웨이퍼 등의 제조에서 최종 마무리로서 1 ㎛ 이상의 두께를 갖는 주석 및 주석 합금의 무전해 (침적) 도금 방법에 관한 것이다. 본 방법은 구리 접촉 패드와 무전해 도금된 주석 층 사이에 무전해 도금된 구리 희생 층을 이용하며, 이 희생 층은 주석 도금 동안 완전히 용해된다. 본 방법은 두꺼운 주석 층의 무전해 도금 동안 접촉 패드로부터 구리의 원하지 않는 손실을 보상한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种在印刷电路板，IC基板，半导体晶片等的制造中作为最终光洁度的厚度为‰¥1μm的锡和锡合金的无电镀（浸渍）电镀方法。 该方法在铜接触焊盘和化学镀锡层之间利用铜的无电解电镀牺牲层，其在镀锡期间完全溶解。 该方法在厚锡层的无电镀期间补偿了来自接触焊盘的铜的不期望的损失。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140002708A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：KR1020137019246
申请日：2012-01-11
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 킬리안아른트 , 베그리히트옌스 , 히르제코른이자벨-로다
Abstract: Sn
2+ 이온들, 환원제로서 Ti
3+ 이온들, 무기 착화제 및 페난트롤린 또는 이의 유도체를 함유하는 자가촉매 주석 도금욕이 개시된다. 이 도금욕은 인쇄 회로 판, IC 기판, 및 반도체 웨이퍼의 금속배선 (metallization) 의 제조에 적합하다.-
公开(公告)号：KR101727358B1
公开(公告)日：2017-04-14
申请号：KR1020137019246
申请日：2012-01-11
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 킬리안아른트 , 베그리히트옌스 , 히르제코른이자벨-로다
Abstract: Sn이온들, 환원제로서 Ti이온들, 무기착화제및 페난트롤린또는이의유도체를함유하는자가촉매주석도금욕이개시된다. 이도금욕은인쇄회로판, IC 기판, 및반도체웨이퍼의금속배선 (metallization) 의제조에적합하다.
Abstract translation: 公开了包含Sn离子，Ti离子作为还原剂，无机络合剂和菲咯啉或其衍生物的自催化镀锡浴。 这适用于制造印刷电路板，IC基板和半导体晶圆的金属化。
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公开(公告)号：KR101689914B1
公开(公告)日：2016-12-26
申请号：KR1020127004693
申请日：2010-08-24
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 아른트킬리안 , 베그리히트옌스 , 히르제코른이자벨-로다 , 슈라이어한스-위르겐
IPC: C23C18/54
CPC classification number: C23C18/54 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/31 , C23C18/38
Abstract: 본발명은인쇄회로기판, IC 기판, 반도체웨이퍼등의제조에서최종마무리로서 1 ㎛이상의두께를갖는주석및 주석합금의무전해 (침적) 도금방법에관한것이다. 본방법은구리접촉패드와무전해도금된주석층 사이에무전해도금된구리희생층을이용하며, 이희생층은주석도금동안완전히용해된다. 본방법은두꺼운주석층의무전해도금동안접촉패드로부터구리의원하지않는손실을보상한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种在印刷电路板，IC基板，半导体晶片等的制造中作为最终光洁度的厚度为‰¥1μm的锡和锡合金的无电镀（浸渍）电镀方法。 该方法在铜接触焊盘和化学镀锡层之间利用铜的无电解电镀牺牲层，其在镀锡期间完全溶解。 该方法在厚锡层的无电镀期间补偿了来自接触焊盘的铜的不期望的损失。
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公开(公告)号：KR101852658B1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：KR1020147012607
申请日：2012-08-22
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 히르제코른이자벨-로다 , 베그리히트옌스 , 킬리안닥터아른트
IPC: C23C18/44
CPC classification number: C23C18/44 , C23C18/1637
Abstract: 본발명은팔라듐및/또는팔라듐합금의무전해증착을위한수성도금조조성물및 상기수성도금조조성물을이용하는방법에관한것이다. 수성도금조는팔라듐이온의공급원, 환원제, 인을포함하지않는질화착화제및 1 내지 5 개의포스포네이트잔기를포함하는하나이상의유기안정화제를포함한다. 수성도금조가구리이온을포함하는경우에, 수성도금조및 방법이특히유용하다.
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公开(公告)号：KR1020140091548A
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：KR1020147012607
申请日：2012-08-22
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 히르제코른이자벨-로다 , 베그리히트옌스 , 킬리안닥터아른트
IPC: C23C18/44
CPC classification number: C23C18/44 , C23C18/1637
Abstract: 본 발명은 팔라듐 및/또는 팔라듐 합금의 무전해 증착을 위한 수성 도금조 조성물 및 상기 수성 도금조 조성물을 이용하는 방법에 관한 것이다. 수성 도금조는 팔라듐 이온의 공급원, 환원제, 인을 포함하지 않는 질화 착화제 및 1 내지 5 개의 포스포네이트 잔기를 포함하는 하나 이상의 유기 안정화제를 포함한다. 수성 도금조가 구리 이온을 포함하는 경우에, 수성 도금조 및 방법이 특히 유용하다.
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