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公开(公告)号：WO2012157853A2
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/KR2012/003037
申请日：2012-04-20
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원 , 백성호 , 김재현 , 김성빈
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , Y02E10/50
Abstract: 상기의 기술적 과제를 이루기 위한 본 출원의 일 측면에 따른 실리콘 태양 전지의 제조 방법이 개시된다. 상기 실리콘 태양 전지의 제조 방법에 있어서, 먼저, 제1 도전형으로 도핑된 실리콘 기판을 준비한다. 상기 실리콘 기판 상에 상기 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형의 에미터층을 형성한다. 상기 에미터층을 가공하여 상기 에미터층의 광흡수 표면적을 증가시킨다. 상기 가공된 에미터층 상에 산화아연 시드층을 수열합성법에 의하여 형성한다. 상기 산화아연 시드층으로부터 나노막대 형태의 산화아연 반사방지층을 수열합성법에 의하여 성장시킨다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种根据本申请的一个方面的硅太阳能电池的制造方法。 在制造硅太阳能电池的方法中，首先，制备以第一导电类型掺杂的硅衬底。 在硅衬底上形成与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层。 通过处理发射极层来增加发射极层的光吸收表面积。 使用水热法在经处理的发射极层上形成氧化锌籽晶层。 使用水热法从氧化锌种子层生长具有纳米棒形状的氧化锌防反射层。
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公开(公告)号：KR101589458B1
公开(公告)日：2016-02-02
申请号：KR1020130120240
申请日：2013-10-10
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01M4/48 , H01M4/36 , H01M10/058 , H01M4/62
Abstract: 본발명은전기전도도가우수한금속입자가코팅된실리콘나노와이어및 이의제조방법, 상기실리콘나노와이어를이용하여, 실리콘계음극활물질을제조하는방법및 이를이용한리튬 2차전지를제조하는방법을제공한다. 본발명에따른, 금속입자가코팅된실리콘나노와이어를이용하여제조된음극활물질을포함하는리튬 2차전지의경우, 고용량유지및 사이클수명개선효과가있을뿐만아니라, 고속충/방전구현이가능하다. 본발명에따른, 금속입자가코팅된실리콘나노와이어를제조하는방법은, (a) 실리콘기판상에서로이격된제 1 금속입자들을형성하는단계; (b) 상기실리콘기판을선택적으로식각하여실리콘나노와이어를형성하는단계; (c) 상기제 1 금속입자들을제거하는단계; (d) 상기실리콘나노와이어표면상에서로이격된제 2 금속입자들을형성하는단계; 및 (e) 표면상에상기제 2 금속입자들이형성된실리콘나노와이어를상기실리콘기판으로부터분리하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150041818A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：KR1020130120240
申请日：2013-10-10
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01M4/48 , H01M4/36 , H01M10/058 , H01M4/62
CPC classification number: H01M4/48 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/058
Abstract: 본발명은전기전도도가우수한금속입자가코팅된실리콘나노와이어및 이의제조방법, 상기실리콘나노와이어를이용하여, 실리콘계음극활물질을제조하는방법및 이를이용한리튬 2차전지를제조하는방법을제공한다. 본발명에따른, 금속입자가코팅된실리콘나노와이어를이용하여제조된음극활물질을포함하는리튬 2차전지의경우, 고용량유지및 사이클수명개선효과가있을뿐만아니라, 고속충/방전구현이가능하다. 본발명에따른, 금속입자가코팅된실리콘나노와이어를제조하는방법은, (a) 실리콘기판상에서로이격된제 1 금속입자들을형성하는단계; (b) 상기실리콘기판을선택적으로식각하여실리콘나노와이어를형성하는단계; (c) 상기제 1 금속입자들을제거하는단계; (d) 상기실리콘나노와이어표면상에서로이격된제 2 금속입자들을형성하는단계; 및 (e) 표면상에상기제 2 금속입자들이형성된실리콘나노와이어를상기실리콘기판으로부터분리하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及具有导电性优异的金属颗粒的硅纳米线，其制造方法，使用该硅纳米线的硅系负极活性物质的制造方法以及锂二次电池的制造方法 使用方法。 根据本发明的包含通过使用其上涂覆有金属颗粒的硅纳米线制造的硅基负极活性材料的锂二次电池保持其高容量并且具有改善的循环寿命，并且可以高速充电和排出。 根据本发明的用于制造其上涂覆有金属颗粒的硅纳米线的方法包括以下步骤：（a）在硅衬底上形成彼此间隔开的第一金属颗粒; （b）选择性地蚀刻硅衬底以形成硅纳米线; （c）去除第一金属颗粒; （d）在所述硅纳米线上形成彼此间隔开的第二金属颗粒; 和（e）从硅衬底分离硅纳米线与其上形成的第二金属颗粒。
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公开(公告)号：KR1020140047762A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：KR1020120113536
申请日：2012-10-12
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a CIGS light absorbing layer. According to one embodiment of the present invention, the method of manufacturing a CIGS light absorbing layer includes a step of forming a CIGS thin film; a selenization step; and a thermal treatment step. According to one embodiment of the present invention, the CIGS thin film is formed on a substrate by using a selenium precursor solution. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Forming a CIGS thin film on a substrate in a solution method; (S20) Selenizing the CIGS thin film in the solution method; (S30) Thermal treatment in a nitrogen atmosphere chamber
Abstract translation: 本发明涉及一种制造CIGS光吸收层的方法。 根据本发明的一个实施例，制造CIGS光吸收层的方法包括形成CIGS薄膜的步骤; 硒化步骤 和热处理步骤。 根据本发明的一个实施方案，通过使用硒前体溶液在基底上形成CIGS薄膜。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）溶液法在基板上形成CIGS薄膜; （S20）溶液法对CIGS薄膜进行硒化处理; （S30）氮气氛下的热处理
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公开(公告)号：KR101328148B1
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020110120242
申请日：2011-11-17
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/1395 , H01M10/05
Abstract: 기판; 및 상기 기판 위에 배치된 실리콘 미세구체들의 어레이를 포함하되, 상기 실리콘 미세구체들은 속이 비어 있는 구조를 갖는 다공성 실리콘 구조체가 제공된다.
Abstract translation: 目的：提供硅结构以具有中空结构和高孔隙率，从而释放在充放电期间产生的应力并具有高循环性能和容量。 构造：多孔硅结构（100）包括衬底（110）; 以及布置在基底上的硅微球的阵列（120）。 硅微球具有中空结构。 多孔硅结构的制造方法包括通过使聚合物微球自对准而形成球形聚合物膜的步骤; 通过用硅涂覆球形聚合物膜形成多孔硅膜的步骤; 以及通过除去聚合物微球形成中空硅球（！25）的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130009997A
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：KR1020127027886
申请日：2012-04-20
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell and a manufacturing method thereof are provided to reduce a refractive index in comparison with an antireflection layer of a thin film structure by applying zinc oxide of a nanorod structure with an air gap to an antireflection layer of a silicon solar cell. CONSTITUTION: A light absorption layer(210) includes silicon doped with a P type or N type. An emitter layer(220) includes silicon with opposite conductive type to the light absorption layer. A first electrode(230) is formed on the lower side of the light absorption layer. A second electrode is formed on a part of the emitter layer. An antireflection layer(250) includes a fine structure(221) of a microsize and an ultra fine structure(251) of a nanosize.
Abstract translation: 目的：提供硅太阳能电池及其制造方法，通过将具有气隙的纳米棒结构的氧化锌应用于硅太阳能电池的防反射层，与薄膜结构的抗反射层相比减小折射率 。 构成：光吸收层（210）包括掺杂有P型或N型的硅。 发射极层（220）包括与光吸收层相反的导电类型的硅。 第一电极（230）形成在光吸收层的下侧。 第二电极形成在发射极层的一部分上。 抗反射层（250）包括微尺寸的精细结构（221）和纳米尺寸的超细结构（251）。
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8.发明授权신규 유기규소 또는 유기게르마늄 고분자 나노 복합체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지용 음극활물질 有权具有有机硅或有机锗聚合物的新型纳米复合材料的制备方法和含有该纳米复合材料的锂二次电池的负极活性材料
公开(公告)号：KR101699427B1
公开(公告)日：2017-01-24
申请号：KR1020150079055
申请日：2015-06-04
Applicant: 계명대학교 산학협력단 , 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01M4/60 , H01M4/38 , H01M4/137 , H01M4/134 , H01M10/052
Abstract: 본발명은신규유기규소또는유기게르마늄고분자나노복합체, 이의제조방법및 이를포함하는리튬이차전지용음극활물질에관한것이다. 본발명에따른신규한유기규소또는유기게르마늄나노복합체를음극활물질로서사용한리튬이차전지는기존흑연소재의전극보다구조의큰 스트레스가없이 7배이상의우수한용량값과안정된배터리특성을나타내고, Li 원천의손실없이용량유지가가능하며, 초기용량으로복귀하는용량복귀율이우수하며, 우수한사이클수명을가지므로종래흑연소재의전극을포함하는리튬이차전지를대체하여유용하게쓰일수 있다.
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9.发明公开신규 유기규소 또는 유기게르마늄 고분자 나노 복합체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지용 음극활물질 有权具有有机硅或有机锗聚合物的新型纳米复合材料的制备方法和含有该纳米复合材料的锂二次电池的负极活性材料
公开(公告)号：KR1020160143032A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：KR1020150079055
申请日：2015-06-04
Applicant: 계명대학교 산학협력단 , 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01M4/60 , H01M4/38 , H01M4/137 , H01M4/134 , H01M10/052
Abstract: 본발명은신규유기규소또는유기게르마늄고분자나노복합체, 이의제조방법및 이를포함하는리튬이차전지용음극활물질에관한것이다. 본발명에따른신규한유기규소또는유기게르마늄나노복합체를음극활물질로서사용한리튬이차전지는기존흑연소재의전극보다구조의큰 스트레스가없이 7배이상의우수한용량값과안정된배터리특성을나타내고, Li 원천의손실없이용량유지가가능하며, 초기용량으로복귀하는용량복귀율이우수하며, 우수한사이클수명을가지므로종래흑연소재의전극을포함하는리튬이차전지를대체하여유용하게쓰일수 있다.
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10.发明公开
公开(公告)号：KR1020160127252A
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：KR1020150057963
申请日：2015-04-24
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L29/7869 , C01B32/182 , H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/778 , H01L29/78603 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 본발명은그래핀옥사이드(graphene oxide, GO) 및테트라메틸암모늄하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)를포함하는혼합용액을제조하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서제조된혼합용액을가열하는단계(단계 2);를포함하는환원및 질소가도핑된그래핀옥사이드의제조방법를제공한다. 본발명에따른환원및 질소가도핑된그래핀옥사이드의제조방법은질소도펀트로서테트라메틸암모늄하이드록사이드라는 4 차암모늄염을사용함으로써저온에서도충분한환원및 질소가도핑된그래핀옥사이드를제조할수 있다. 또한, 그래핀옥사이드및 테트라메틸암모늄하이드록사이드의혼합비율을조절함으로써질소도핑레벨(doping level)을조절할수 있다. 나아가, 별도의첨가제를포함하지않고환원및 질소가도핑된그래핀옥사이드를제조할수 있기때문에친환경적이고, 액상공정으로대량생산이가능하다.
Abstract translation: 本发明提供还原和N-掺杂的石墨烯氧化物的制备方法，包括以下步骤：制备含有氧化石墨烯（GO）和氢氧化四甲基铵（TMAH）（步骤1）的混合溶液，并加热步骤1中制备的混合溶液 第2步）。 本发明的还原型和N-掺杂石墨烯氧化物的制备方法可以通过使用四铵氢氧化铵（四铵盐）作为氮掺杂剂，即使在低温也能提供完全还原和N-掺杂的石墨烯氧化物。 根据该方法，可以通过控制氧化石墨烯和四甲基氢氧化铵的混合比来调节N掺杂水平。 此外，该方法不需要任何额外的添加剂来制备还原和N-掺杂的石墨烯氧化物，因此它是一种促进大规模生产的纯环境方法。
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