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公开(公告)号：KR100817853B1
公开(公告)日：2008-03-31
申请号：KR1020060093025
申请日：2006-09-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01G9/08 , C01G11/00 , C01G11/02 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02601 , H01L29/22 , Y10S438/962 , Y10S977/774
Abstract: 본 발명은 점진적 농도구배 껍질 구조를 갖으며 높은 발광효율과 광화학적 안정도를 갖는 양자점 및 이러한 양자점을 단시간 내에 경제적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 양자점 제조 방법은, 중심을 형성한 이후 정제과정과 재분산 과정을 거친 이후 껍질을 형성해야만 했던 비경제적이고 비효율적인 기존의 방법과는 달리, 반도체 전구체의 반응성 차이를 이용하여 단시간 내에 경제적으로 양자점을 형성하는 장점을 지니고 있다. 또한, 형성된 양자점은 중심의 형성 이후에 점진적인 농도구배를 지니는 껍질이 형성됨으로써, 껍질을 두껍게 형성해도 중심/껍질 양자점이 지니고 있던 격자간 불일치의 문제가 나타나지 않으며 나아가 껍질 부분에 의하여 흡수된 전자와 정공이 중심부분으로 흘러들어가서 빛을 발하는 훤넬 개념이 적용되기 때문에, 발광 효율이 80% 이상에 이르는 높은 효율을 지닌다. 본 발명에 따른 양자점은 기존의 중심/껍질과는 다른 구조를 지닌 새로운 개념의 양자점으로써, II-IV족에 국한되지 않고, III-V족 등의 다른 반도체 양자점에도 응용될 수 있는 것으로서, 새로운 물성의 반도체 양자점 개발에 사용될 수 있고, 다양한 분양에 적용될 수 있다.
양자점, II족 원소, VI족 원소, 점진적 농도구배 껍질 구조-
公开(公告)号：KR1020080027642A
公开(公告)日：2008-03-28
申请号：KR1020060093025
申请日：2006-09-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01G9/08 , C01G11/00 , C01G11/02 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02601 , H01L29/22 , Y10S438/962 , Y10S977/774
Abstract: A quantum dot having a gradient shell structure and a method of manufacturing the same are provided to form economically the same within a short period of time by using a reaction difference of a semiconductor precursor. A quantum dot has a shell structure of a chemical compound of a second to sixth groups based on a chemical compound of a second to fourth groups. The chemical compound of the second to sixth groups for forming a shell has a band gap larger than a band gap of the chemical compound of the second to sixth groups for forming a core. The shell of the chemical compound of the second to sixth groups has gradient concentration. A method of manufacturing the quantum dot includes a process for mixing and heating the chemical compounds of the second group for forming the shell and the core, a process for heating the mixture at the temperature of 100-350 ‹C, a process for mixing the chemical compounds of the six group for forming the shell and the core, and a process for forming a shell structure having a gradient at the temperature of 100-350 ‹C.
Abstract translation: 提供具有梯度壳结构的量子点及其制造方法，以通过使用半导体前体的反应差在短时间内经济地形成。 基于第二至第四组的化合物，量子点具有第二至第六组的化合物的壳结构。 用于形成壳的第二至第六组的化合物具有比用于形成芯的第二至第六组的化合物的带隙大的带隙。 第二至第六组化合物的壳体具有梯度浓度。 制造量子点的方法包括混合和加热用于形成壳和芯的第二组的化合物的方法，在100-350℃的温度下加热该混合物的方法， 用于形成壳和芯的六组的化合物，以及在100-350℃的温度下形成具有梯度的壳结构的方法。
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公开(公告)号：KR1020090008096A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：KR1020070071413
申请日：2007-07-17
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
Abstract: A doped quantum dots with magnetic and optical properties and a manufacturing method thereof are provided to obtain magnetic and optical properties by doping an element with a magnetic property in the quantum dot stably. A magnetic element-VI element precursor is synthesized by combining magnetic elements and VI group element. A II group element precursor is synthesized by heating the II group semiconductor element at a temperature of 100 to 300 degrees centigrade. A quantum doe is formed by synthesizing the magnetic element-VI element precursor and the VI group element precursor with the II group element precursor.
Abstract translation: 提供具有磁性和光学特性的掺杂量子点及其制造方法，以通过在量子点中稳定地掺杂具有磁性的元素来获得磁性和光学性质。 通过组合磁性元素和VI族元素来合成磁性元素-VI元素前体。 通过在100〜300℃的温度下加热II族半导体元件来合成II族元素前体。 通过用II族元素前体合成磁性元素-VI元素前体和VI族元素前体来形成量子体。
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